电子设备附着用磁石制造技术

本实用新型专利技术涉及一种电子设备附着用磁石，包括第一磁石与第二磁石，所述的第二磁石通过第一磁石内部形成的空腔垂直于第一磁石的上表面，所述第一磁石分为多个不同的磁场方向，上述多个不同的磁场方向朝向空腔排列，并将第二磁石上部设置为N极，下部设置为S极，则第一磁石中靠近空腔方向的一端设置为N极，远离空腔方向的一端设置为S极，且第一磁石中的磁场方向与第二磁石中的磁场方向正交，从而增强第一磁石与第二磁石的磁力,使得第一磁石与第二磁石的磁力最大化的同时，保证磁石与电子设备的附着力，并能够拓宽电子设备和磁石之间的间隔及电子设备设计选择范围。隔及电子设备设计选择范围。隔及电子设备设计选择范围。

【技术实现步骤摘要】
电子设备附着用磁石


[0001]本技术涉及磁性材料领域，具体涉及一种电子设备附着用磁石。

技术介绍

[0002]在现有技术中，为了增加便携式电子设备与充电器之间的附着力，仅依靠增加磁石的直径或缩小便携式电子设备与充电器之间的距离作为增加磁石之间磁力的技术解决方案。然而，随着对便携式电子设备小型化需求的增加，通过增加磁石的直径或缩小便携式电子设备与充电器之间的距离来增加磁力是有限的。

技术实现思路

[0003]为了解决上述问题，本技术提供了一种能够使磁石磁力最大化的同时，拓宽电子设备和磁石之间的间隔、通用性强的电子设备附着用磁石。
[0004]为了到达上述目的，本技术设计的电子设备附着用磁石，包括第一磁石与第二磁石，所述的第二磁石通过第一磁石内部形成的空腔垂直于第一磁石的上表面，所述第一磁石分为多个不同的磁场方向，上述多个不同的磁场方向朝向空腔排列，并将第二磁石上部设置为N极，下部设置为S极，则第一磁石中靠近空腔方向的一端设置为N极，远离空腔方向的一端设置为S极，且第一磁石中的磁场方向与第二磁石中的磁场方向正交。这样设置的作用在于将第二磁石竖直插装在第一磁石内部的空腔内，从而通过以底面为基准垂直方向上磁化的第二磁石磁场方向与以底面为基准水平方向及中空部方向上磁化的第一磁石磁场方向彼此增强最大化磁力,使得磁石与电子设备之间的附着力最大化。
[0005]进一步的方案是，将第一磁石与第二磁石之间高度比例设置为1:2或1:3或1:1.5，且上述第一磁石与空腔的外型均采用圆柱或N角形立柱，其中N为3以上的自然数，且第二磁石的外型与空腔的外型相配。这样设置的作用在于第一磁石与第二磁石的外型可采用多种方式设置，以提升该装置的其通用性，同时由于第一磁石和第二磁石距底面高度越高，磁石所产生的磁场越大，磁石磁力也会增加，然而，当上述第一磁石距底面高度和上述第二磁石距底面高度相近时，第一磁石和第二磁石的上部可能相互排斥，影响第一磁石与第二磁石的组装，从而通过限制第一磁石距底面高度和上述第二磁石距底面高度之间的高度比，在保证第一磁石与第二磁石能够顺畅组装的前提下，尽可能提升磁石的磁力。
[0006]更进一步的方案是，所述第一磁石的外表面上的全部或部分配置了屏蔽磁场的屏蔽层。这样设置的作用在于通过第一磁石外表面上设置的强磁性屏蔽层，可以屏蔽磁石的磁力线中的至少一个方向(例如：水平方向或垂直方向)的磁力线。
[0007]更进一步的方案是，所述的屏蔽层均布在第一磁石的侧面及底面上，或仅分布在第一磁石的侧面上，或仅分布在第一磁石的底面上。这样设置的作用在于通过将屏蔽层适当的配置在第一磁石外表面上，能够阻断第一磁石周围的磁场，防止损坏电子设备中的敏感元件。
[0008]更进一步的方案是，所述的第一磁石外表面上的全部或部分配置了非强磁性的材
料层，所述材料层采用非磁性材料、顺磁性材料或反磁性材料中的任意一个。这样设置的作用在于通过在第一磁石外表面上适当配置非强磁性的材料层，从而在不影响第一磁石磁力的情况下，防止第一磁石外表面在组装时，由于外部因素的影响而损坏。
[0009]更进一步的方案是，所述的材料层均配置在第一磁石的侧面及底面，或仅配置在第一磁石的侧面，或仅配置在第一磁石的底面。
[0010]另一种进一步的方案是，将第一磁石根据其磁场方向分割成至少两个可重新拼接为第一磁石的分割磁石。这样设置的作用在于通过将第一磁石根据其磁场方向分割多个分割磁石，使分割磁石磁场方向更集中于第一磁石内部设置的空腔，从而能够增强磁石的磁力。
[0011]更进一步的方案是，所述的分割磁石最佳数量为2～8。这样设置的作用在于通过将分割磁石的数量设置在2～8区间内，从而避免由于分割数过大，则分割磁石之间的排斥力增大，导致将分割磁石重新组装为第一磁石时可能会出现问题。
[0012]更进一步的方案是，每两相邻设置的分割磁石侧面上全部或部分配置有非强磁性的材料层，所述材料层采用非磁性材料、顺磁性材料或反磁性材料中的任意一个。这样设置的作用在于通过分割磁石之间设置的非强磁性材料层，减小两相邻设置分割磁石之间的排斥力。
[0013]另一种更进一步的方案是，所述的屏蔽层的外表面的全部或部分配置了非强磁性的材料层，所述材料层采用非磁性材料、顺磁性材料或反磁性材料中的任意一个。这样设置的作用在于通过在屏蔽层外表面设置的材料层，防止第一磁石外表面的屏蔽层在组装时，由于外部因素的影响而损坏。
[0014]本技术所设计的电子设备附着用磁石，通过将第二磁石安装在第一磁石内部的空腔内，彼此增强第一磁石与第二磁石的磁力,从而可以使磁石与电子设备的附着力最大化，再通过将第一磁石分割成多组可重新拼接的分割磁石，且将分割磁石的磁场方向朝向空腔排列，使得其磁场方向更集中于上述第一磁石的中心，进而进一步增大磁石的磁力，同时通过设计第一磁石与第二磁石之间的高度比，防止第一磁石与第二磁石的高度相近时，第一磁石和第二磁石的上部出现相互排斥的情况，影响第一磁石与第二磁石的组装工序，最后通过设置在第一磁石外表面的屏蔽层，阻断第一磁石周围的磁场，防止损坏电子设备中的敏感元件，同时根据情况能够进一步最大化电子设备附着用磁石的磁力。
[0015]综上所述本技术具有能够使磁石的磁力最大化，保证磁石与电子设备的附着力，同时，拓宽电子设备和磁石之间的间隔及电子设备设计选择范围的优点。
附图说明
[0016]图1是第一磁石为一体化磁石的电子设备附着用磁石及电子设备内磁石的示意图。
[0017]图2是第一磁石为一体化磁石电子设备附着用磁石及第二磁石的结构示意图。
[0018]图3是第一磁石分为两个部分的电子设备附着用磁石及电子设备内磁石的示意图。
[0019]图4是第一磁石分为四个部分的电子设备附着用磁石及电子设备内磁石的示意图。
[0020]图5是第一磁石分为六个部分的电子设备附着用磁石及电子设备内磁石的示意图。
[0021]图6是将从第一磁石中分割的分割磁石之间部分侧壁上配置非磁性、顺磁性部分和反磁性部分中任意一个以上的电子设备附着磁石及电子设备内磁石的示意图。
[0022]图7将从第一磁石中分割的分割磁石之间的侧壁上配置非磁性、顺磁性部分和反磁性部分中任意一个以上的电子设备附着磁石及电子设备内磁石的示意图。
[0023]图8是第一磁石采用C字形一体化磁石，第一磁石剩余空间中全部或或部分配置非磁性、顺磁性部分和反磁性部分中任意一个以上的电子设备附着磁石及电子设备内磁石的示意图。
[0024]图9是第一磁石的底面上配置强磁性屏蔽层的电子设备附着用磁石及电子设备内磁石的示意图。
[0025]图10是第一磁石的侧面及底面上配置强磁性屏蔽层的电子设备附着用磁石及电子设备内磁石的示意图。
[0026]图11是第一磁石的侧面上配置强磁性屏蔽层的电子设备附着用磁石及电子设备内磁石的示意图。
[0027]图12是强磁性屏蔽层侧面上配置非强磁性材本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子设备附着用磁石，包括第一磁石(100)与第二磁石(200)，其特征在于，所述的第二磁石(200)通过第一磁石(100)内部形成的空腔(101)垂直于第一磁石(100)的上表面，所述第一磁石(100)分为多个不同的磁场方向，上述多个不同的磁场方向朝向空腔(101)排列，并将第二磁石(200)上部设置为N极，下部设置为S极，则第一磁石(100)中靠近空腔(101)方向的一端设置为N极，远离空腔(101)方向的一端设置为S极，且第一磁石(100)中的磁场方向与第二磁石(200)中的磁场方向正交。2.根据权利要求1所述的电子设备附着用磁石，其特征在于，将第一磁石(100)与第二磁石(200)之间高度比例设置为1:2或1:3或1:1.5，且上述第一磁石(100)与空腔(101)的外型均采用圆柱或N角形立柱，其中N为3以上的自然数，且第二磁石(200)的外型与空腔(101)的外型相配。3.根据权利要求2所述的电子设备附着用磁石，其特征在于，所述第一磁石(100)的外表面上的全部或部分配置了屏蔽磁场的屏蔽层(300)。4.根据权利要求3所述的电子设备附着用磁石，其特征在于，所述的屏蔽层(300)均布在第一磁石(100)的侧面及底面上，或仅分布在第一磁石(100)的侧面上，或仅分布在第一磁石(100)部分的底面上。...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴春泽，
申请(专利权)人：宁波诺钯特磁石技术有限公司，
类型：新型
国别省市：