同步整流控制电路及恒压电源制造技术

本实用新型专利技术公开了一种同步整流控制电路及恒压电源，包括：功率转换器，输入端与恒压电压输入连接，输出端与交直流转换控制芯片连接；半导体晶体元件，输入端与功率转换器的输出端连接，输出端与交直流转换控制芯片连接；交直流转换控制芯片，用于在恒压电压输入状态，将交流信号转换为直流信号输出；保护模块，与交直流转换控制芯片的电流输出端连接，保护模块用于在输出电流高于熔断值状态切断电路。当恒压电压输入时，交直流转换控制芯片将交流信号转换成直流信号，并通过内部同步信号控制同步的半导体晶体元件导通和截止,实现了交流

【技术实现步骤摘要】
同步整流控制电路及恒压电源


[0001]本技术涉及恒压电源
，尤其是涉及一种同步整流控制电路及恒压电源。

技术介绍

[0002]恒压电源是一种电子设备，它能够提供稳定的电压输出，无论在负载变化或输入电压波动的情况下，都能保持相同的输出电压。当输入电压稳定时，将交流电压转换为所需的直流电压，并通过整流电路将其转换成纯直流信号。
[0003]但是，相关技术中，交流
‑
直流转换过程中的效率较低，且输出电压的稳定性较差。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于克服上述技术不足，提出一种同步整流控制电路及恒压电源，能够提升恒压电源交流
‑
直流转换过程中的效率和输出电压的稳定性。
[0005]为达到上述技术目的，第一方面，本技术的技术方案提供一种同步整流控制电路，包括：
[0006]功率转换器，输入端与恒压电压输入连接，输出端与交直流转换控制芯片连接；
[0007]半导体晶体元件，输入端与所述功率转换器的输出端连接，输出端与所述交直流转换控制芯片连接；
[0008]交直流转换控制芯片，用于在恒压电压输入状态，将交流信号转换为直流信号输出，所述交直流转换控制芯片用于根据信号转换状态控制所述半导体晶体元件的导通或截止；
[0009]保护模块，与所述交直流转换控制芯片的电流输出端连接，所述保护模块用于在输出电流高于熔断值状态切断电路。
[0010]与现有技术相比，本技术的有益效果包括：
[0011]本技术的同步整流控制电路包括：功率转换器、半导体晶体元件、交直流转换控制芯片和保护模块，当恒压电压输入时，交直流转换控制芯片将交流信号转换成直流信号，并通过内部同步信号控制同步的半导体晶体元件导通和截止,实现了交流
‑
直流转换过程中的效率提升，提升了输出电压的稳定性。
[0012]根据本技术的一些实施例，所述交直流转换控制芯片为TEA1995T芯片。
[0013]根据本技术的一些实施例，所述半导体晶体元件包括：二极管D10和二极管D11，所述二极管D10的负极与所述功率转换器的第一输出端口和所述TEA1995T芯片的DSA端口连接，所述二极管D10的正极与所述TEA1995T芯片的SSB端口连接；
[0014]所述二极管D11的负极与所述功率转换器的第二输出端口和所述TEA1995T芯片的DSB端口连接，所述二极管D11的正极与所述TEA1995T芯片的SSB端口连接。
[0015]根据本技术的一些实施例，所述半导体晶体元件包括：
[0016]MOS管Q4和MOS管Q5，所述MOS管Q4的漏极与所述功率转换器的第一输出端口和所
述TEA1995T芯片的DSA端口连接，所述MOS管Q4的源极与所述TEA1995T芯片的SSB端口连接，所述MOS管Q4的栅极与所述TEA1995T芯片的GDA端口连接；
[0017]所述MOS管Q5的漏极与所述功率转换器的第二输出端口和所述TEA1995T芯片的DSB端口连接，所述MOS管Q5的源极与所述TEA1995T芯片的SSB端口连接,所述MOS管Q5的栅极与所述TEA1995T芯片的GDB端口连接。
[0018]根据本技术的一些实施例，在所述MOS管Q4的栅极与所述TEA1995T芯片的GDA端口之间设置有电阻R24，在所述MOS管Q5的栅极与所述TEA1995T芯片的GDB端口设置有电阻R23。
[0019]根据本技术的一些实施例，所述保护模块包括：
[0020]熔断器，所述熔断器的输入端连接所述TEA1995T芯片的电流输出端，所述熔断器的输出端为直流电源输出，所述熔断器用于在输出电流高于熔断值状态切断电路。
[0021]根据本技术的一些实施例，在所述熔断器的输入端和所述TEA1995T芯片的电流输出端还并联连接有电容CD3和电阻R33。
[0022]根据本技术的一些实施例，所述电容CD3为铝电解电容。
[0023]第二方面，本技术的技术方案提供一种恒压电源，包括如第一方面中任意一项所述的同步整流控制电路。
[0024]本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
附图说明
[0025]图1是本技术的一个实施例提供的同步整流控制电路的结构示意图；
[0026]图2是本技术的另一个实施例提供的同步整流控制电路的电路图。
[0027]附图标记说明：功率转换器110、半导体晶体元件120、交直流转换控制芯片130、保护模块140。
具体实施方式
[0028]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0029]下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。
[0030]在本技术的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0031]在本技术的描述中，若干的含义是一个或者多个，多个的含义是两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第
一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。
[0032]本技术的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属
技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本技术中的具体含义。
[0033]下面结合附图，对本技术实施例作进一步阐述。
[0034]参照图1和图2，图1是本技术的一个实施例提供的同步整流控制电路的结构示意图；图2是本技术的另一个实施例提供的同步整流控制电路的电路图。
[0035]在一实施例中，同步整流控制电路包括：功率转换器110，输入端与恒压电压输入连接，输出端与交直流转换控制芯片130连接；半导体晶体元件120，输入端与功率转换器110的输出端连接，输出端与交直流转换控制芯片130连接；交直流转换控制芯片130，用于在恒压电压输入状态，将交流信号转换为直流信号输出，交直流转换控制芯片130用于根据信号转换状态控制半导体晶体元件120的导通或截止；保本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种同步整流控制电路，其特征在于，包括：功率转换器(110)，输入端与恒压电压输入连接，输出端与交直流转换控制芯片(130)和半导体晶体元件(120)连接；半导体晶体元件(120)，输入端与所述功率转换器(110)的输出端连接，输出端与所述交直流转换控制芯片(130)连接；交直流转换控制芯片(130)，用于在恒压电压输入状态，将交流信号转换为直流信号输出，所述交直流转换控制芯片(130)用于根据信号转换状态控制所述半导体晶体元件(120)的导通或截止；保护模块(140)，与所述交直流转换控制芯片(130)的电流输出端连接，所述保护模块(140)用于在输出电流高于熔断值状态切断电路。2.根据权利要求1所述的同步整流控制电路，其特征在于，所述交直流转换控制芯片(130)为TEA1995T芯片。3.根据权利要求2所述的同步整流控制电路，其特征在于，所述半导体晶体元件(120)包括：二极管D10和二极管D11，所述二极管D10的负极与所述功率转换器(110)的第一输出端口和所述TEA1995T芯片的DSA端口连接，所述二极管D10的正极与所述TEA1995T芯片的SSB端口连接；所述二极管D11的负极与所述功率转换器(110)的第二输出端口和所述TEA1995T芯片的DSB端口连接，所述二极管D11的正极与所述TEA1995T芯片的SSB端口连接。4.根据权利要求2所述的同步整流控制电路，其特征在于，所述半导体晶体元件(120)包括：MOS管Q4和M...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔孟杰，
申请(专利权)人：宁海县鹰峤电气有限公司，
类型：新型
国别省市：