真空镀膜蒸发舟及真空镀膜设备制造技术

本实用新型专利技术的目的在于揭示一种真空镀膜蒸发舟及真空镀膜设备，涉及真空镀膜技术领域，包括蒸发舟本体及腔体，所述腔体的底部设置若干凹槽，相邻的所述凹槽之间设置连通槽，所述连通槽的深度小于所述凹槽的深度，与现有技术相比，本实用新型专利技术技术效果如下：通过在腔体的底部设置若干凹槽，相邻的所述凹槽之间设置连通槽，通过凹槽及连通槽增加了腔体的表面积，使铝的加热面和熔池体积增加，从而增加了铝的热熔效率，使铝的蒸发更加均匀，铝蒸发量大幅增加，同时大幅减少铝珠随气态铝蒸发，从而减少因铝珠飞溅到薄膜表面而形成的针孔。而减少因铝珠飞溅到薄膜表面而形成的针孔。而减少因铝珠飞溅到薄膜表面而形成的针孔。

【技术实现步骤摘要】
真空镀膜蒸发舟及真空镀膜设备


[0001]本技术涉及真空镀膜
，特别是一种真空镀膜蒸发舟及真空镀膜设备。

技术介绍

[0002]真空镀膜是指在高真空的条件下加热金属或非金属材料，使其蒸发并凝结于镀件(金属、半导体或绝缘体)表面而形成镀膜的一种方法。在向薄膜表面进行镀铝时，是通过蒸发舟将铝加热至气态，使气态铝镀于薄膜表面。因薄膜为高分子材质且厚度为微米级别，对气态铝的温度敏感。目前，蒸发舟存在容积不足，且对铝的加热效率不足，导致铝液(铝珠)随气态铝蒸发，铝液(铝珠)接触薄膜后，因铝液(铝珠)体积大且热量聚集，将使薄膜被烫有针孔，导致薄膜产品瑕疵。
[0003]有鉴于此，有必要开发一种真空镀膜蒸发舟及真空镀膜设备，以克服上述缺陷，提高蒸发舟的加热效率。

技术实现思路

[0004]为解决上述技术问题，本技术的目的在于揭示一种真空镀膜蒸发舟及真空镀膜设备，通过在腔体的底部设置若干凹槽，相邻的所述凹槽之间设置连通槽，通过凹槽及连通槽增加了腔体的表面积，使铝的加热面增加。
[0005]本技术的第一个专利技术目的在于开发一种真空镀膜蒸发舟。
[0006]本技术的第二个专利技术目的在于开发一种真空镀膜设备。
[0007]为实现上述第一个专利技术目的，本技术提供了一种真空镀膜蒸发舟，包括蒸发舟本体及腔体，所述腔体的底部设置若干凹槽，相邻的所述凹槽之间设置连通槽，所述连通槽的深度小于所述凹槽的深度。
[0008]优选地，所述凹槽为半球形凹槽，所述半球形凹槽的深度为3mm/>‑
10mm，所述连通槽的深度为2mm
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5mm；
[0009]若干所述半球形凹槽按横向和纵向均匀布满所述腔体的底部。
[0010]优选地，所述半球形凹槽和所述连通槽的相交处为圆角。
[0011]优选地，所述凹槽的形状为长条形凹槽，所述长条形凹槽深度为3mm
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10mm，所述长条形凹槽宽度为5mm
‑
15mm，所述连通槽的深度为2mm
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5mm；
[0012]若干所述长条形凹槽按横向或纵向均匀布满所述腔体的底部。
[0013]优选地，所述长条形凹槽和所述连通槽的相交处为圆角。
[0014]优选地，所述凹槽的形状为梯形凹槽，所述梯形凹槽深度为3mm
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10mm，所述梯形凹槽宽度为5mm
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15mm，所述连通槽的深度为2mm
‑
5mm；
[0015]若干所述梯形凹槽按横向和纵向均匀布满所述腔体的底部。
[0016]优选地，所述梯形和所述连通槽的相交处为圆角。
[0017]优选地，所述连通槽的宽度为3mm
‑
5mm。
[0018]优选地，所述腔体为长方体。
[0019]基于相同的专利技术原理，为实现上述第二个专利技术目的，本技术提供了一种真空镀膜蒸发舟，包括如第一专利技术创造所述的薄膜卷材预处理装置。
[0020]与现有技术相比，本技术技术效果如下：
[0021]通过在腔体的底部设置若干凹槽，相邻的所述凹槽之间设置连通槽，通过凹槽及连通槽增加了腔体的表面积，使铝的加热面和熔池体积增加，从而增加了铝的热熔效率，使铝的蒸发更加均匀，铝蒸发量大幅增加，大幅减少铝液(铝珠)随气态铝蒸发，从而减少因铝液(铝珠)飞溅到薄膜表面而形成的针孔。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0023]图1是本技术实施例2蒸发舟俯视示意图。
[0024]图2是本技术实施例2蒸发舟剖视示意图。
[0025]图3是本技术实施例3蒸发舟俯视示意图。
[0026]图4是本技术实施例3蒸发舟剖视示意图。
[0027]图5是本技术实施例4蒸发舟剖视示意图。
[0028]图6是本技术实施例5蒸发舟俯视示意图。
[0029]图7是本技术实施例5蒸发舟剖视示意图。
[0030]其中，1、蒸发舟本体；2、腔体；21、凹槽；22、连通槽。
具体实施方式
[0031]下面结合附图所示的各实施方式对本技术进行详细说明，但应当说明的是，这些实施方式并非对本技术的限制，本领域普通技术人员根据这些实施方式所作的功能、方法、或者结构上的等效变换或替代，均属于本技术的保护范围之内。
[0032]在本技术的描述中，需要理解的是，术语"中心"、"纵向"、"横向"、"长度"、"宽度"、"厚度"、"上"、"下"、"前"、"后"、"左"、"右"、"竖直"、"水平"、"顶"、"底"、"内"、"外"、"顺时针"、"逆时针"等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0033]实施例1
[0034]参图1至图7所示，本实施例揭示了一种真空镀膜蒸发舟的一种具体实施方式。
[0035]真空镀膜蒸发舟，参图1至图7所示，包括蒸发舟本体1及腔体2，所述腔体1为长方体，所述腔体2的底部设置若干凹槽21，相邻的所述凹槽21之间设置连通槽22，所述连通槽22的深度小于所述凹槽21的深度。具体地，若干凹槽21的目的在于扩大腔体2的底部与铝液的接触面积，同时扩大熔池体积，从而能够扩大铝液的加热面积，从而增加了铝的热熔效率，使铝的蒸发更加均匀，大幅减少铝液(铝珠)随气态铝蒸发，从而减少因铝液(铝珠)飞溅
到薄膜表面而形成的针孔；连通槽22的目的在于将相邻的凹槽21进行连通，连通槽22一方面能进一步扩大腔体2与铝液的接触面积，另一方面能够使各处的铝液连通，使腔体2内各处的铝液温度更加均匀，从而进一步减少了铝液(铝珠)随气态铝蒸发；连通槽22的深度小于凹槽21的深度，凹槽21内的铝液被加热至热熔后，可通过连通槽22进行外溢并连成一片。
[0036]实施例2
[0037]在实施例1的基础上，参见图1和图2，所述凹槽21为半球形凹槽，所述半球形凹槽的深度为3mm
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10mm，半球形凹槽的深度优选5mm，所述连通槽的深度为2mm
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5mm，连通槽的深度优选2mm，连通槽的宽度为3mm
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5mm，连通槽的宽度优选3mm；若干所述半球形凹槽按横向和纵向均匀布满所述腔体2的底部，使铝液的加热面均匀且相比现有的平底腔体大幅增加，同时扩大熔池体积，从而增加了铝的热熔效率，使铝的蒸发更加均匀，大幅减少铝液(铝珠)随气态铝蒸发，从而减少薄膜形本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.真空镀膜蒸发舟，其特征在于，包括蒸发舟本体及腔体，所述腔体的底部设置若干凹槽，相邻的所述凹槽之间设置连通槽，所述连通槽的深度小于所述凹槽的深度。2.如权利要求1所述的真空镀膜蒸发舟，其特征在于，所述凹槽为半球形凹槽，所述半球形凹槽的深度为3mm
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10mm，所述连通槽的深度为2mm
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5mm；若干所述半球形凹槽按横向和纵向均匀布满所述腔体的底部。3.如权利要求2所述的真空镀膜蒸发舟，其特征在于，所述半球形凹槽和所述连通槽的相交处为圆角。4.如权利要求1所述的真空镀膜蒸发舟，其特征在于，所述凹槽的形状为长条形凹槽，所述长条形凹槽深度为3mm
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10mm，所述长条形凹槽宽度为5mm
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15mm，所述连通槽的深度为2mm
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5mm；若干所述长条形凹槽按横向或纵向均匀布满所述腔体的底部。5.如权利要求4所述的真...

【专利技术属性】
技术研发人员：李华清，冯岩，张峰，
申请(专利权)人：江苏瀚叶铜铝箔新材料研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：