一种检测系统技术方案

技术编号:39346404 阅读:8 留言:0更新日期:2023-11-18 11:00
本实用新型专利技术涉及一种检测系统,检测系统包括:待测物,具有第一端面、与第一端面相对的第二端面、以及在第一端面和第二端面之间的棒体;转动装置,使得待测物绕着待测物的轴向进行转动;检测光源,其包括第一检测光源和第二检测光源;光源波长对待测物具有穿透和波导效应,设置在与待测物的轴向大致平行的位置;图像采集装置,其与检测光源位于棒体的相对两侧;包括第一图像采集装置和第二图像采集装置;其中,第一检测光源的中心、第一图像采集装置的采集中心、以及棒体的轴心基本处于同一平面;第二图像采集装置与第二检测光源之间具有倾斜角度。倾斜角度。倾斜角度。

【技术实现步骤摘要】
一种检测系统


[0001]本技术涉及一种检测系统,更具体而言,涉及一种材料的检测系统。

技术介绍

[0002]在半导体器件中,通常使用由半导体材料构成的晶片作为半导体器件的衬底材料。半导体材料构成的晶片则是通过对半导体材料构成的半导体棒材切割、加工而制得的。
[0003]半导体材料构成的棒材在生产过程中需经过提纯、拉晶、搬运等一系列流程,难免会受到一些未知因素的影响而导致晶棒出现内部缺陷,示例性的,如孪晶、位错和裂纹等。这些内部缺陷不容易被发现。具有此类缺陷的棒材在切割时,裂纹部分会出现碎片,碎片进入切割机器内将导致机器打扫不便,严重会导致机器宕机甚至带来安全隐患。具有此类缺陷的棒材被制作成半导体器件时,将严重影响半导体器件的可靠性和使用寿命。
[0004]因此,提供一种能精确检测棒材内部缺陷的检测系统和方法是业界期望的。

技术实现思路

[0005]本技术针对上述技术问题,提供了一种精确检测棒材内部缺陷的检测系统。
[0006]在下文中将给出关于本技术的简要概述,以便提供关于本技术某些方面的基本理解。应当理解,此概述并不是关于本技术的穷举性概述。它并不是意图确定本技术的关键或重要部分,也不是意图限定本技术的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概念,以此作为稍后论述的更详细描述的前序。
[0007]根据本技术的一方面提供一种检测系统,包括待测物,具有第一端面、与第一端面相对的第二端面、以及在第一端面和第二端面之间的棒体;转动装置,使得所述待测物绕着所述棒体的轴向进行转动;检测光源,其包括第一检测光源和第二检测光源;图像采集装置,其包括第一图像采集装置和第二图像采集装置;其中,所述第一检测光源的中心、所述第一图像采集装置的采集中心、以及所述棒体的轴心基本处于同一平面;所述第二图像采集装置与所述第二检测光源之间具有倾斜角度。
[0008]进一步的,所述第二图像采集装置与所述检测光源间具有70
°‑
80
°
的角度范围。
[0009]进一步的,进一步具有图像处理模块,所述图像处理模块能够合图处理所述图像采集装置采集的图像。
[0010]进一步的,所述第一检测光源为波长对所述待测物具有穿透和波导效应的线性光源,所述第一图像采集装置为面阵型或线阵型图像的采集装置;所述第二检测光源为可见光光源,所述第二图像处理装置为面阵型图像采集装置或线阵型图像采集装置。
[0011]进一步的,所述线性光源的波长在1200~1700纳米范围内。
[0012]进一步的,面阵型或线阵型图像装置采用铟镓砷红外探测器。
[0013]进一步具有测距装置,用于获取所述待测物的几何参数,所述测距装置为结构光三维传感器。
[0014]进一步具有运动控制模块,用于根据所述几何参数自适应的在三维方向上调整所
述图像采集装置的采集参数、位置和所述检测光源的位置。
[0015]进一步具有装置台,所述检测光源、所述图像采集装置和所述测距装置设置在所述装置台上。
[0016]进一步具有第一装载装置,所述第一装载装置适配于离线的所述检测系统,具有物承载面及在其上间隔设置的适配不同型号的所述待测物的托具。
[0017]进一步具有第二装载装置,所述第二装载装置适配于在线的所述检测系统,具有待测物承载面。
[0018]进一步的,所述第二装载装置为生产线上的运输轨道。
[0019]进一步的,所述转动装置与所述第一装载装置或所述第二装载装置的结构配合以抬升并转动所述待测物。
[0020]进一步的,所述装置台包括X轴直线模组、Y轴直线模组和Z轴直线模组,所述转动装置能对所述X轴直线模组进行抬升运动。
[0021]进一步的,所述的待测物为圆形单晶硅棒。
[0022]本技术的技术方案至少能有助于实现如下效果之一:可离线或在线检测待测物的内部缺陷;可用机器检测的方式替代人工检测;可自适应多种不同外轮廓和直径的待测物物;通过合图处理能得到更丰富的图像信息,能准确判定待测物的内部的缺陷。
附图说明
[0023]参照附图下面说明本技术的具体内容,这将有助于更加容易地理解本技术的以上和其他目的、特点和优点。附图只是为了示出本技术的原理。在附图中不必依照比例绘制出单元的尺寸和相对位置。
[0024]图1a

1c示出本技术中一实施方式的检测系统的整体结构示意图;
[0025]图2示出本技术中另一实施方式的检测系统的整体结构示意图;
[0026]图3示出本技术中又一实施方式的检测系统的整体结构示意图;
[0027]图4a

4b示出本技术检测系统中第一检测组件和第二检测组件的示意图;
[0028]图5

图6示出本技术中提供的装载装置的一具体实施例的示意图;
[0029]图7示出本技术提供的装载装置的另一具体实施例的示意图;
[0030]图8示出比较例检测系统的示意图;
具体实施方式
[0031]在下文中将结合附图对本技术的示例性公开内容进行描述。为了清楚和简明起见,在说明书中并未描述实现本技术的所有特征。然而,应该了解,在开发任何实现本技术的过程中可以做出很多特定于本技术的决定,以便实现开发人员的具体目标,并且这些决定可能会随着本技术的不同而有所改变。
[0032]在此,还需要说明的是,为了避免因不必要的细节而模糊了本技术,在附图中仅仅示出了与根据本技术的方案密切相关的结构,而省略了与本技术关系不大的其他细节。
[0033]应理解的是,本技术并不会由于如下参照附图的描述而只限于所描述的实施形式。本文中,在可行的情况下,不同实施方式之间的特征可替换或借用、以及在一个实施
方式中可省略一个或多个特征。
[0034]<整体结构>
[0035]请参考图1a

1c,图1a

1c示出本技术中一种具体实施方式的检测系统的整体结构示意图,其中相同的附图标记表示相同的部件。
[0036]本实施方式的检测系统适用于半导体材料构成的棒材的离线检测,尤其适用于长棒材的离线检测。示例性的,长棒材为长度大于1米以上的棒材。
[0037]具体的,如图1a

1c中所示,本实施方式的检测系统包括待测棒材100、第一检测光源200、第二检测光源(图中未示出)、测距装置300、第一图像采集装置400、第二图像采集装置(图中未示出)、转动装置500、装置台600和装载装置700、图像处理装置(图中未示出)和运动控制装置(图中未示出)等装置。
[0038]转动装置500进一步包括提升部件501和旋转部件502。装置台600可以进一步包括主轴直线模组601、Y轴直线模组(本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种检测系统,其特征在于:包括:待测物,具有第一端面、与第一端面相对的第二端面、以及在第一端面和第二端面之间的棒体;转动装置,使得所述待测物绕着所述棒体的轴向进行转动;检测光源,其包括第一检测光源和第二检测光源;图像采集装置,其包括第一图像采集装置和第二图像采集装置;其中,所述第一检测光源的中心、所述第一图像采集装置的采集中心、以及所述棒体的轴心基本处于同一平面;所述第二图像采集装置与所述第二检测光源之间具有倾斜角度。2.如权利要求1所述的检测系统,其特征在于:所述第二图像采集装置与所述检测光源间具有70
°‑
80
°
的角度范围。3.如权利要求1所述的检测系统,其特征在于:进一步具有图像处理模块,所述图像处理模块能够合图处理所述图像采集装置采集的图像。4.如权利要求1所述的检测系统,其特征在于:所述第一检测光源为波长对所述待测物具有穿透和波导效应的线性光源,所述第一图像采集装置为面阵型或线阵型图像的采集装置;所述第二检测光源为可见光光源,所述第二图像采集装置为面阵型图像采集装置或线阵型图像采集装置。5.如权利要求4所述的检测系统,其特征在于:所述线性光源的波长在1200~1700纳米范围内。6.如权利要求4所述的检测系统,其特征在于:面阵型或线阵型图像装置采用铟镓砷红外探测器。7.如权利要求1所述的检测系统,其特征在于:进一步具有测距装置,用于获取所述待测物的...

【专利技术属性】
技术研发人员:徐明
申请(专利权)人:南京注势智能科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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