一种非线性宏单元模式闪存的信号质量测试方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种非线性宏单元模式闪存的信号质量测试方法、装置、设备及系统，涉及电子信息技术领域，以解决NAND Flash信号难以读写分离的问题，该方法包括：在非线性宏单元模式闪存进行读写数据传输过程中，采集非线性宏单元模式闪存的测试信号；根据测试信号中的读写检测信号，确定非线性宏单元模式闪存的工作情况；其中，工作情况包括写状态和读状态；从测试信号中分离得到各工作情况各自对应的目标信号；其中，目标信号包括对应的工作情况下的测试信号；本发明专利技术合理地选取四种测试信号，将三种测试信号作为触发信号，便捷且准确地完成这四种测试信号的读写分离，以便测试人员查看NAND Flash的信号质量。Flash的信号质量。Flash的信号质量。

【技术实现步骤摘要】
一种非线性宏单元模式闪存的信号质量测试方法及装置


[0001]本专利技术涉及电子信息
，特别涉及一种非线性宏单元模式闪存的信号质量测试方法、装置、设备及系统。

技术介绍

[0002]随着电子信息技术的不断发展，对于NAND Flash(非线性宏单元模式闪存)这类高密度存储器具有很大的需求，NAND Flash具有很多优异的特性，比如存储容量大、密度高、快速随机访问、可靠性高、成本低等，被广泛应用SSD(Solid State Disk，固态硬盘)中进行数据存储。目前主流SSD都是使用NAND FLASH作为存储芯片，为保证NAND Flash芯片在SSD上稳定运行，保证数据的安全性与可靠性，测量SSD上NAND Flash芯片的信号完整性是否符合标准，已经成SSD研发过程中必不可少的重要流程，这对SSD存储性能和评估有着至关重要的影响。
[0003]现有技术中，SSD上NAND Flash芯片信号的测试，无法进行正常工作状态的读写分离，只能利用上位机对SSD发起进行读写命令，从而使得主控芯片对NAND Flash进行读写传输，最后本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种非线性宏单元模式闪存的信号质量测试方法，其特征在于，包括：在非线性宏单元模式闪存进行读写数据传输过程中，采集所述非线性宏单元模式闪存的测试信号；其中，所述测试信号包括芯片使能信号、读使能信号、数据选通信号和数据传输信号；根据所述测试信号中的读写检测信号，确定所述非线性宏单元模式闪存的工作情况；其中，所述读写检测信号包括所述芯片使能信号、所述读使能信号和所述数据选通信号，所述工作情况包括写状态和读状态；从所述测试信号中分离得到各所述工作情况各自对应的目标信号；其中，所述目标信号包括对应的工作情况下的测试信号。2.根据权利要求1所述的非线性宏单元模式闪存的信号质量测试方法，其特征在于，所述非线性宏单元模式闪存为服务器中固态硬盘上的任一非线性宏单元模式闪存芯片。3.根据权利要求1所述的非线性宏单元模式闪存的信号质量测试方法，其特征在于，所述根据所述测试信号中的读写检测信号，确定所述非线性宏单元模式闪存的工作情况，包括：若所述读使能信号的频率处于预设频率、所述芯片使能信号处于预设芯片使能且所述数据选通信号处于上升沿或下降沿，则确定所述工作情况为所述读状态；若所述读使能信号的频率不处于所述预设频率、所述芯片使能信号处于所述预设芯片使能且所述数据选通信号处于上升沿或下降沿，则确定所述工作情况为所述写状态。4.根据权利要求3所述的非线性宏单元模式闪存的信号质量测试方法，其特征在于，所述预设频率为所述非线性宏单元模式闪存所在的固态硬盘的非线性宏单元模式输入/输出的时钟频率。5.根据权利要求3所述的非线性宏单元模式闪存的信号质量测试方法，其特征在于，所述确定所述工作情况为所述读状态之前，还包括：判断所述芯片使能信号是否处于所述预设芯片使能；若处于所述预设芯片使能，则判断所述数据选通信号是否处于上升沿或下降沿；若处于上升沿或下降沿，则判断所述读使能信号的脉宽是否处于所述预设频率对应的脉宽范围；若处于所述预设频率对应的脉宽范围，则确定所述工作情况为所述读状态；若不处于所述预设频率对应的脉宽范围，则确定所述工作情况为所述写状态。6.根据权利要求1所述的非线性宏单元模式闪存的信号质量测试方法，其特征在于，还包括：分别对所述数据选通信号和所述数据传输信号进行抗歪斜校准，得到校准数据选通信号和校准数据传输信号；对应的，所述读写检测信号包括所述芯片使...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘聖福，崔光磊，张晓东，李娜，
申请(专利权)人：郑州云海信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：