一种类光栅结构金属电极制造方法和电极技术

本申请提供一种类光栅结构金属电极制造方法和电极，用IBE离子束刻蚀设备发射第一粒子束以第一角度在掩膜版的遮掩下刻蚀金属层得到粗刻类光栅结构金属电极，用IBE离子束刻蚀设备发射第二粒子束以第二角度在掩膜版的遮掩下刻蚀粗刻类光栅结构金属电极以得到最终类光栅结构金属电极。即可先用小角度刻蚀以初步打开金属层得到粗刻类光栅结构金属电极，再用大角度利用掩膜的遮蔽对金属层顶部先行修饰，当掩膜逐渐消耗，粒子束可逐渐刻蚀至金属层底部。这样，既对小角度刻蚀产生的侧壁金属粘污进行有效清除，同时又可因金属层顶部与底部刻蚀时间差，形成特殊角度的金属侧壁，从而得到形貌规则，粗糙度低的最终类光栅结构金属电极。属电极。属电极。

【技术实现步骤摘要】
一种类光栅结构金属电极制造方法和电极


[0001]本申请涉及半导体
，特别涉及一种类光栅结构金属电极制造方法和电极。

技术介绍

[0002]在集成电路(IC，integrated circuit)或微电子工业中，银和金等贵金属薄膜由于具有电阻率低和良好的电迁移电阻，在形成金属电极时展现了巨大的潜力，然而由于这些贵金属的挥发性有限，较难通过反应性等离子体蚀刻形成形貌较好的类光栅结构金属电极，同样，采用湿法刻蚀技术也存在刻蚀形貌不规则，粗糙度高的问题。
[0003]因此，如何提高制造的类光栅结构金属电极的规则度，减小粗糙度，是本领域需要解决的技术问题。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请的目的在于提供一种类光栅结构金属电极制造方法和电极，可以制造出特定角度的类光栅结构金属电极，其形貌规则度高，粗糙度小。
[0005]为实现上述目的，本申请有如下技术方案：
[0006]第一方面，本申请实施例提供了一种类光栅结构金属电极制造方法，包括：
[0007]提供依次层叠的基板、金属层和掩膜版；...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种类光栅结构金属电极制造方法，其特征在于，包括：提供依次层叠的基板、金属层和掩膜版；采用IBE离子束刻蚀设备发射第一粒子束以第一角度在所述掩膜版的遮掩下刻蚀所述金属层得到粗刻类光栅结构金属电极；采用所述IBE离子束刻蚀设备发射第二粒子束以第二角度在所述掩膜版的遮掩下刻蚀所述粗刻类光栅结构金属电极以得到最终类光栅结构金属电极；所述第一角度小于所述第二角度，所述第一角度为所述第一粒子束与所述基板表面法向所成的角度，所述第二角度为所述第二粒子束与所述基板表面法向所成的角度。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一角度大于或等于0
°
且小于或等于20
°
，所述第二角度大于或等于50
°
且小于或等于80
°
。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括通过以下步骤预先获得所述第一粒子束和所述第二粒子束：将第一刻蚀气体通入放电腔室以得到所述第一等离子束，采用中和器对所述第一等离子束进行中和为...

【专利技术属性】
技术研发人员：王耀，彭泰彦，蒋中原，杨宇新，许开东，
申请(专利权)人：江苏鲁汶仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：