图像传感器、降低等效电容方法和存储介质技术

本申请提供一种图像传感器、降低等效电容方法和存储介质，图像传感器包括像素阵列、像素输出位线和模数转换模块；所述像素阵列通过所述像素位输出线连接所述模数转换模块；所述模数转换模块包括源极跟随晶体管。本申请提供的图像传感器、降低等效电容方法和存储介质，通过在模数转换模块中加入源极跟随晶体管，将其与像素输出位线两侧的源极跟随信号线连接，不仅能够保护像素输出位线，降低等效寄生电容，还加快信号存储速度。还加快信号存储速度。还加快信号存储速度。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器、降低等效电容方法和存储介质


[0001]本申请涉及图像传感器
，具体涉及一种图像传感器、像素输出位线的降低等效电容方法和存储介质。

技术介绍

[0002]在图像传感器(CIS)中像素阵列(pixel)输出的像素位线(bitline)走线，从像素阵列到模数转换器(coladc)都需要保护。一般通过将输出位线接地走线进行保护，但是接地保护会引入较大的寄生电容，从而影响像素阵列输出的像素信号的存储速度。
[0003]在构思及实现本申请过程中，专利技术人发现至少存在如下问题，如何保证在接地保护情况下的像素信号存储速度，如何降低等效寄生电容以及其对像素输出的影响。
[0004]前面的叙述在于提供一般的背景信息，并不一定构成现有技术。

技术实现思路

[0005]本申请提供一种图像传感器、像素输出位线的降低等效电容方法和存储介质，用于缓解等效寄生电容太大影响像素信号存储速度的问题。
[0006]在一方面，本申请提供一种图像传感器，可选地，包括像素阵列、像素输出位线和模数转换模块；
[0007]所述像素阵列通过所述像素输出位线连接所述模数转换模块；
[0008]所述模数转换模块包括源极跟随晶体管，其中：
[0009]所述源极跟随晶体管的栅极连接所述像素输出位线，所述源极跟随晶体管的漏极连接预设电压，所述源极跟随晶体管的源极接入电流源；
[0010]所述源极跟随晶体管的源极还连接源极跟随信号线，且所述源极跟随信号线沿远离所述源极跟随晶体管的源极的相对方向分别包括第一源极跟随信号子线和第二源极跟随信号子线，所述第一源极跟随信号子线和所述第二源极跟随信号子线均与所述像素输出位线平行设置，且所述第一源极跟随信号子线和所述第二源极跟随信号子线分别位于所述像素输出位线的两侧。
[0011]可选地，所述图像传感器中的所述第一源极跟随信号子线和所述像素输出位线具有第一寄生电容，所述第二源极跟随信号子线和所述像素输出位线具有第二寄生电容，所述第一寄生电容的电容值和所述第二寄生电容的电容值相等。
[0012]可选地，所述图像传感器中设所述源极跟随晶体管的增益为A，所述第一源极跟随信号子线和所述第二源极跟随信号子线之间的寄生电容为C，则第一寄生电容的电容值和所述第二寄生电容的电容值均为(1
‑
A)*C。
[0013]可选地，所述图像传感器中的所述源极跟随晶体管的增益介于0到1之间。
[0014]可选地，所述图像传感器中的所述第一源极跟随信号子线与所述像素输出位线之间的距离与所述第二源极跟随信号子线与所述像素输出位线之间的距离相等。
[0015]可选地，所述图像传感器中的所述电流源连接在所述源极跟随晶体管和接地信号
之间，用于为所述源极跟随晶体管提供恒定的电流。
[0016]可选地，所述图像传感器中的所述像素阵列包括源级跟随器，所述源级跟随器的源极连接所述像素输出位线。
[0017]另一方面，本申请提供一种图像传感器中像素输出位线的降低等效电容方法，应用于如上所述的图像传感器，可选地，包括：
[0018]像素阵列输出像素电压信号；
[0019]模数转换模块通过像素输出位线获取所述像素电压信号；
[0020]通过设置于所述模数转换模块中的源极跟随晶体管跟随所述像素电压信号生成源极跟随电压信号；
[0021]通过设置于所述第一源极跟随信号子线和第二源极跟随信号子线接收所述源极跟随晶体管生成的所述源极跟随电压信号。
[0022]可选地，所述图像传感器中像素输出位线的降低等效电容方法中设所述源极跟随晶体管的增益为A，所述第一源极跟随信号子线和所述第二源极跟随信号子线之间的寄生电容为C，则第一寄生电容的电容值和所述第二寄生电容的电容值均为(1
‑
A)*C。
[0023]另一方面，本申请提供一种存储介质，可选地，所述存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上述像素输出位线的降低等效电容方法的步骤。
[0024]如上所述，本申请提供的图像传感器、像素输出位线的降低等效电容方法和存储介质，通过在模数转换模块中加入源极跟随晶体管，将其与像素输出位线两侧的源极跟随信号线连接，不仅能够保护像素输出位线，降低等效寄生电容，还加快信号存储速度。
附图说明
[0025]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0026]图1为本申请一实施例的图像传感器的结构图。
[0027]图2为本申请一实施例的图像传感器中像素输出位线的降低等效电容方法的流程图。
[0028]本申请目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。通过上述附图，已示出本申请明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本申请构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本申请的概念。
具体实施方式
[0029]这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。
[0030]需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素，此外，本申请不同实施例中具有同样命名的部件、特征、要素可能具有相同含义，也可能具有不同含义，其具体含义需以其在该具体实施例中的解释或者进一步结合该具体实施例中上下文进行确定。
[0031]应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
[0032]第一实施例
[0033]本申请提供一种图像传感器，图1为本申请一实施例的图像传感器的结构图。
[0034]请参阅图1，在一实施例中，图像传感器包括像素阵列10、像素输出位线20和模数转换模块30。
[0035]像素阵列10通过像素输出位线20连接模数转换模块30，模数转换模块30包括源极跟随晶体管(SF)。
[0036]可选地，像素阵列10通过像素输出位线20输出像素电压信号至模数转换模块30。可选地，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，其特征在于，包括像素阵列、像素输出位线和模数转换模块；所述像素阵列通过所述像素输出位线连接所述模数转换模块；所述模数转换模块包括源极跟随晶体管，其中：所述源极跟随晶体管的栅极连接所述像素输出位线，所述源极跟随晶体管的漏极连接预设电压，所述源极跟随晶体管的源极接入电流源；所述源极跟随晶体管的源极还连接源极跟随信号线，且所述源极跟随信号线沿远离所述源极跟随晶体管的源极的相对方向分别包括第一源极跟随信号子线和第二源极跟随信号子线，所述第一源极跟随信号子线和所述第二源极跟随信号子线均与所述像素输出位线平行设置，且所述第一源极跟随信号子线和所述第二源极跟随信号子线分别位于所述像素输出位线的两侧。2.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一源极跟随信号子线和所述像素输出位线具有第一寄生电容，所述第二源极跟随信号子线和所述像素输出位线具有第二寄生电容，所述第一寄生电容的电容值和所述第二寄生电容的电容值相等。3.如权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，设所述源极跟随晶体管的增益为A，所述第一源极跟随信号子线和所述第二源极跟随信号子线之间的寄生电容为C，则第一寄生电容的电容值和所述第二寄生电容的电容值均为(1
‑
A)*C。4.如权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所述源极跟随晶体管的增益介于0到1之间。5.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一源极跟随信...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈鹏，李林，
申请(专利权)人：思特威上海电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：