用于在存储器装置中提供不同时钟频率的内部时钟信号的设备和方法制造方法及图纸

在本申请案中描述用于在存储器装置中提供不同时钟频率的内部时钟信号的设备和方法。实例设备包含读取命令缓冲器和读取数据输出电路。所述读取命令缓冲器响应于第一时钟信号而缓冲读取命令并且响应于第二时钟信号而提供所述读取命令。所述读取数据输出电路当被来自所述读取命令缓冲器的所述读取命令启动时并行接收多个数据位，并且响应于输入/输出IO时钟信号而依序提供所述多个数据位。数据时钟定时电路提供在第一模式中具有第一时钟频率并且在第二模式中具有第二时钟频率的所述IO时钟信号，并且另外提供在所述第一和第二模式中具有所述第一时钟频率的所述第二时钟信号。中具有所述第一时钟频率的所述第二时钟信号。中具有所述第一时钟频率的所述第二时钟信号。

【技术实现步骤摘要】
用于在存储器装置中提供不同时钟频率的内部时钟信号的设备和方法
[0001]分案申请的相关信息
[0002]本案是分案申请。该分案的母案是申请日为2018年01月10日、申请号为201880007233.0、专利技术名称为“用于在存储器装置中提供不同时钟频率的内部时钟信号的设备和方法”的专利技术专利申请案。


[0003]本申请案涉及用于在存储器装置中提供不同时钟频率的内部时钟信号的设备和方法。

技术介绍

[0004]目前和未来一代的半导体存储器应用使用极高存储器I/O速度来读取和写入数据。此类半导体存储器的实例包含动态随机存取存储器(DRAM)和同步动态随机存取存储器(SDRAM)等。
[0005]对高存储器I/O速度的需求在图形存储器例如当前和未来一代的GDDR5/GDDR5X规范中尤其如此。图形存储器被设计成用于需要例如超过8Gbps的高带宽和高存储器I/O速度的应用。然而，高存储器I/O速度与较低存储器I/O速度相比消耗更多功率。虽然多个此类存储器应用需要高存储器I/O速度，但其它应用可优化考虑较低功率消耗并且接受较本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于提供内部时钟信号的设备，其包括：读取命令缓冲器，其被配置成响应于第一时钟信号而缓冲读取命令并且被配置成响应于第二时钟信号而提供缓冲的读取命令；读取数据输出电路，其被配置成当被所述缓冲的读取命令启动时并行接收多个数据位，并且响应于输入/输出IO时钟...

【专利技术属性】
技术研发人员：J，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：