晶片支撑装置和成膜设备制造方法及图纸

一种晶片支撑装置，包括：基座(40)，其具有设置在一个表面上的晶片安装表面(41)和布置在晶片安装表面(41)中的提升销通孔(44)；插入提升销通孔(44)中的提升销(50)；以及提升和降低基座(40)的升降装置(60)，基座(40)的晶片安装表面(41)是不平坦的，在提升销通孔(44)和提升销(50)之间形成通气路径(55)。升销(50)之间形成通气路径(55)。升销(50)之间形成通气路径(55)。

【技术实现步骤摘要】
晶片支撑装置和成膜设备


[0001]本公开涉及晶片支撑装置和成膜设备。

技术介绍

[0002]CVD设备被称为薄膜形成设备，其通过在待处理衬底(例如硅晶片)的表面上沉积由包含薄膜成分的源气体的化学反应产生的物质来形成薄膜。作为CVD设备，广泛使用等离子体CVD设备。在等离子体CVD设备中，通过将源气体激发成等离子体状态并产生活性激发分子、自由基和离子来促进化学反应。在等离子体CVD设备中，支撑待膜沉积的晶片的晶片支撑装置布置在室中。在晶片支撑装置上方，布置有用于将源气体引入室内部的喷淋头。通过在喷淋头和晶片支撑装置之间施加射频(RF)电压来产生等离子体。
[0003]作为晶片支撑装置，具有基座、升降装置和提升销的装置是已知的(参见US2012/0149194)。基座具有晶片安装在其上的晶片安装表面。用于提升销的通孔设置在基座的晶片安装表面上，并且提升销插入用于提升销的通孔中。当在布置在晶片安装表面上的晶片表面上形成薄膜时，基座被升降装置提升，使得提升销不从晶片安装表面突出。在晶片表面上形成薄膜之后，基座被升降装置降低，以使提升销从晶片安本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片支撑装置，包括：基座，其具有设置在一个表面上的晶片安装表面和布置在该晶片安装表面中的提升销通孔；插入提升销通孔中的提升销；以及提升和降低基座的升降装置，基座的晶片安装表面不平坦，在提升销通孔和提升销之间形成通气路径。2.根据权利要求1所述的晶片支撑装置，其中，所述提升销具有轴和直径大于轴的头部，所述提升销通孔具有头部插入部和轴插入部，头部插入部的直径大于形成在晶片安装表面侧的提升销的头部的直径，轴插入部通过台阶部连接到头部插入部，轴插入部的直径小于头部插入部的直径且大于提升销的轴的直径，当所述基座被所述升降装置移动到下限位置时，头部和台阶部分离，并且当基座被升降装置移动到上限位置时，头部和台阶部接合，从而至少在其一部分中形成间隙。3.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：相田高永，森幸博，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：