本申请公开了一种IR Drop处理方法及装置和芯片，通过在P&R过程中，针对位于预先定义区域中的特定Cell和/或单元密度大于预设密度阈值的区域提前增布电源线，以及在P&R之后的一轮IR Drop检查后，对于包括发生IR Drop的单元密集程度大于预设密集程度阈值的区域加粗电源线，高效地解决了IR Drop问题，极大地缩短了ECO阶段IR Drop的收敛时间，从而避免了造成芯片的性能下降。通过本申请实施例，在IC设计Signoff之前将IR Drop降到了可控范围之内，确保了IC芯片的性能和可靠性。保了IC芯片的性能和可靠性。保了IC芯片的性能和可靠性。
【技术实现步骤摘要】
一种IR Drop处理方法及装置和芯片
[0001]本申请涉及但不限于集成电路技术，尤指一种IR Drop处理方法及装置和芯片。
技术介绍
[0002]电压降(IR Drop，Internal Resistance Drop)是指在集成电路(IC，Integrated Circuit)中在电流流过电源和地网络时，由于电源线和地线的电阻造成的电压下降和上升的现象。IR Drop会在高功率运行时产生较大的电流，导致供电网络中的电压降低，影响IC芯片的性能和可靠性。而且，由于工艺的不断演进，金属互连线的宽度越来越窄，电阻值越来越大，供电电压越来越小，IR Drop的效应越来越明显。
[0003]如何降低IR Drop，确保IC芯片的性能和可靠性是一个亟需解决的技术问题。
技术实现思路
[0004]本申请提供一种IR Drop处理方法及装置和芯片，能够降低IR Drop，确保IC芯片的性能和可靠性。
[0005]本专利技术实施例提供了一种IR Drop处理方法，包括：
[0006]在布局阶段，对集成电路IC设计中预先定义区域，在第一金属层添加一条以上电源线，添加的电源线与除第一金属层之外的至少两金属层的电源线互连；和/或，在布线阶段，对IC设计中单元密度大于预设密度阈值的区域，在第二金属层添加一条以上电源线，添加的电源线与除第二金属层之外的至少两金属层的电源线互连；
[0007]完成布局布线，对IC设计进行电压降IR Drop检查，对于包括发生IR Drop的单元密集程度大于预设密集程度阈值的区域，加粗第三金属层上的一条以上电源线。
[0008]在一种示例性实例中，所述加粗第三金属层上的一条以上电源线之后，还包括：
[0009]对于还存在IR Drop问题的单元Cell，通过移动该Cell到相对空旷的位置，为Cell添加电源线；或者，设置该Cell的单元格间距，以使得该Cell周围的Cell与该Cell之间保持足够的距离。
[0010]在一种示例性实例中，所述加粗第三金属层上的一条以上电源线之后，还包括：
[0011]将加粗后的所述第三金属层电源线与除第三金属层之外的至少两金属层的电源线互连。
[0012]在一种示例性实例中，所述预先定义区域可以包括：高功耗的区域，和/或高频率工作条件的区域。
[0013]在一种示例性实例中，所述第一金属层包括第四层金属层；所述除第一金属层之外的至少两金属层包括：第三层金属层和第七层金属层；
[0014]所述添加的第四层金属层的电源线的长度大于两条第七层金属层的电源线间的距离。
[0015]在一种示例性实例中，所述在布线阶段，在所述第二金属层添加一条以上电源线之前，还包括：
[0016]所述布线完成后，以检测块为单位，抓取所述IC设计中所述单元密度大于预设密度阈值的区域。
[0017]在一种示例性实例中，所述第二金属层包括第四层金属层；所述除第二金属层之外的至少两金属层包括：第三层金属层和第七层金属层。
[0018]在一种示例性实例中，所述第三金属层包括高层金属层。
[0019]本申请实施例还提供一种计算机可读存储介质，存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于执行上述任一项所述的IR Drop处理方法。
[0020]本申请实施例再提供一种计算机设备，包括存储器和处理器，其中，存储器中存储有以下可被处理器执行的指令：用于执行上述任一项所述的IR Drop处理方法的步骤。
[0021]本申请实施例又提供一种IR Drop处理装置，包括：第一处理模块和/或第二处理模块、IR Drop检查模块，以及第三处理模块；其中，
[0022]第一处理模块，用于在布局阶段，对IC设计中预先定义区域，在第一金属层添加一条以上电源线，添加的电源线与除第一金属层之外的至少两金属层的电源线互连；
[0023]第二处理模块，用于在布线阶段，对IC设计中单元密度大于预设密度阈值的区域，在第二金属层添加一条以上电源线，添加的电源线与除第二金属层之外的至少两金属层的电源线互连；
[0024]IR Drop检查模块，用于完成布局布线，对IC设计进行IR Drop检查；
[0025]第三处理模块，用于对于IR Drop检查后的包括发生IR Drop的单元密集程度大于预设密集程度阈值的区域，加粗第三金属层上的一条以上电源线。
[0026]在一种示例性实例中，所述第三处理模块还用于：对于还存在IR Drop问题的单元Cell，通过移动该Cell到相对空旷的位置，为Cell添加电源线；或者，设置该Cell的单元格间距，以使得该Cell周围的Cell与该Cell之间保持足够的距离。
[0027]本申请实施例还提供一种芯片，包括至少三层布设有电源线的金属层；
[0028]所述金属层包括第一金属层，第一金属层上布设有多条电源线，其中至少一条电源线是在布局阶段，对于芯片的预先定义区域，在第一金属层添加的，且添加的电源线与布设有电源线的金属层中除第一金属层之外的至少两金属层的电源线互连；和/或，布设有电源线的金属层包括第二金属层，第二金属层上布设有多条电源线，其中至少一条电源线是在布线阶段，对芯片中单元密度大于预设密度阈值的区域，在第二金属层添加的，且添加的电源线与布设有电源线的金属层中除第二金属层之外的至少两金属层的电源线互连；
[0029]布设有电源线的金属层包括第三金属层，第三金属层上布设有多条电源线，其中至少一条电源线是在完成布局布线，对于对芯片IR Drop检查后的包括发生IR Drop的单元密集程度大于预设密集程度阈值的区域，加粗的电源线。
[0030]本申请实施例中，通过在P&R过程中，针对位于预先定义区域中的特定Cell和/或单元密度大于预设密度阈值的区域提前增布电源线，以及在P&R之后的一轮IR Drop检查后，对于包括发生IR Drop的单元密集程度大于预设密集程度阈值的区域加粗电源线，高效地解决了IR Drop问题，极大地缩短了ECO阶段IR Drop的收敛时间，从而避免了造成芯片的性能下降。通过本申请实施例，在IC设计Signoff之前将IR Drop降到了可控范围之内，确保了IC芯片的性能和可靠性。
[0031]进一步地，为了更好地确保IR Drop问题都得到了解决，针对零散存在IR Drop问
题的Cell，通过移动该Cell到相对空旷的位置，为Cell添加电源线，或者，设置该Cell的单元格间距，以使得该Cell周围的Cell与该Cell之间保持足够的距离等，来解决该Cell的IR Drop问题。
[0032]本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
[0033]附图用来提供对本申请本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种IR Drop处理方法，其特征在于，包括：在布局阶段，对集成电路IC设计中预先定义区域，在第一金属层添加一条以上电源线，添加的电源线与除第一金属层之外的至少两金属层的电源线互连；和/或，在布线阶段，对IC设计中单元密度大于预设密度阈值的区域，在第二金属层添加一条以上电源线，添加的电源线与除第二金属层之外的至少两金属层的电源线互连；完成布局布线，对IC设计进行电压降IR Drop检查，对于包括发生IR Drop的单元密集程度大于预设密集程度阈值的区域，加粗第三金属层上的一条以上电源线。2.根据权利要求1所述的IR Drop处理方法，所述加粗第三金属层上的一条以上电源线之后，还包括：对于还存在IR Drop问题的单元Cell，通过移动该Cell到相对空旷的位置，为Cell添加电源线；或者，设置该Cell的单元格间距，以使得该Cell周围的Cell与该Cell之间保持足够的距离。3.根据权利要求1或2所述的IR Drop处理方法，所述加粗第三金属层上的一条以上电源线之后，还包括：将加粗后的所述第三金属层电源线与除第三金属层之外的至少两金属层的电源线互连。4.根据权利要求1或2所述的IR Drop处理方法，其中，所述预先定义区域可以包括：高功耗的区域，和/或高频率工作条件的区域。5.根据权利要求4所述的IR Drop处理方法，其中，所述第一金属层包括第四层金属层；所述除第一金属层之外的至少两金属层包括：第三层金属层和第七层金属层；所述添加的第四层金属层的电源线的长度大于两条第七层金属层的电源线间的距离。6.根据权利要求1或2所述的IR Drop处理方法，所述在布线阶段，在所述第二金属层添加一条以上电源线之前，还包括：所述布线完成后，以检测块为单位，抓取所述IC设计中所述单元密度大于预设密度阈值的区域。7.根据权利要求6所述的IR Drop处理方法，其中，所述第二金属层包括第四层金属层；所述除第二金属层之外的至少两金属层包括：第三层金属层和第七层金属层。8.根据权利要求1或2所述的IR Drop处理方法，所述第三金...
【专利技术属性】
技术研发人员：潘成超，严煌，何瑞洲，
申请(专利权)人：声龙新加坡私人有限公司，
类型：发明
国别省市：
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