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基于非易失性存储器的智能屏幕系统及控制方法技术方案

技术编号:39321521 阅读:18 留言:0更新日期:2023-11-12 16:01
本申请涉及一种基于非易失性存储器的智能屏幕系统及控制方法,其中,包括:双层ITO导电层,用于检测高频扫描电流的电流改变量,确定用户触摸输入位置,并获取用户的输入信息,以基于用户触摸输入位置发送电压脉冲;屏蔽层,用于为双层ITO导电层屏蔽干扰电信号;非易失性存储器层,用于接收电压脉冲,并根据电压脉冲确定非易失性存储器的当前功能模式,以对输入信息进行存储或计算操作。由此,解决了传统屏幕技术中,触摸技术只提供了用户的输入信息,无法在屏幕端对信息进行处理,信息处理效率和智能化程度较低等问题。率和智能化程度较低等问题。率和智能化程度较低等问题。

【技术实现步骤摘要】
基于非易失性存储器的智能屏幕系统及控制方法


[0001]本申请涉及智能屏幕
,特别涉及一种基于非易失性存储器的智能屏幕系统及控制方法。

技术介绍

[0002]智能手机的使用频率在人们日常生活中越来越高,触摸屏作为智能手机的重要组成部件执行显示内容等功能。从导电器件材料角度出发,触摸屏技术可分为电阻型和电容型,随着技术的不断更新,屏幕尺寸逐渐增大,电阻型触摸屏技术由于其不支持多点触摸模式逐渐被电容型触摸屏技术取代。
[0003]手机屏幕的显示层主要可分为钢化玻璃层、电容触摸层、OLED(Organic Light Emitting Diode,有机发光二极管)显示层。其中,电容触摸层利用横向排列和纵向排列的电容进行工作的,最常见利用的透明导电材料为ITO(Indium Tin Oxide,氧化铟锡),其组成结构为一层横向菱形ITO加一层绝缘层加一层纵向菱形ITO,当用户手指触碰屏幕时,菱形ITO上的电荷分布发生改变,部分电荷转移至人的手指尖,电路通过使用高频电流横向扫描再经过处理器的精确计算,即可得到电荷分布改变的位置即触摸位置。
[0004]然而,现有智能屏幕技术通过触摸的方式输入信息后,屏幕显示模块没有参与到对于触摸输入信息的数据处理过程,使得信息输入仅可经过软件算法在处理器中完成相关输出结果的产生,使得相关功能实现的功耗较大,手机等屏幕的智能化程度较低,亟待解决。

技术实现思路

[0005]本申请提供一种基于非易失性存储器的智能屏幕系统及控制方法,以解决传统屏幕技术中,触摸技术只提供了用户的输入信息,无法在屏幕端对信息进行处理,信息处理效率和智能化程度较低等问题。
[0006]本申请第一方面实施例提供一种基于非易失性存储器的智能屏幕系统,包括:双层ITO导电层,用于检测高频扫描电流的电流改变量,确定用户触摸输入位置,并获取用户的输入信息,以基于所述用户触摸输入位置发送电压脉冲;屏蔽层,用于为所述双层ITO导电层屏蔽干扰电信号;以及非易失性存储器层,用于接收所述电压脉冲,并根据所述电压脉冲确定非易失性存储器的当前功能模式,以对所述输入信息进行存储或计算操作。
[0007]可选地,在本申请的一个实施例中,还包括:基板;玻璃保护层;绝缘层,所述绝缘层设置于所述双层ITO导电层之间。
[0008]可选地,在本申请的一个实施例中,所述非易失性存储器层包括:晶体管;至少一条信号线,用于接收所述电压脉冲,基于所述电压脉冲利用欧姆定律和/或基尔霍夫电流定律进行乘法或加法运算;非易失性存储器器件,用于根据所述至少一条信号线接收的所述电压脉冲改变电阻的大小,以执行存储操作。
[0009]可选地,在本申请的一个实施例中,所述至少一条信号线包括至少一条字线、至少
一条位线和至少一条源线。
[0010]可选地,在本申请的一个实施例中,所述非易失性存储器层还包括:处理组件,用于利用预设的神经网络模型对所述用户的输入信息进行处理,得到优化数据。
[0011]可选地,在本申请的一个实施例中,所述非易失性存储器层按照所述双层ITO导电层的行数和列数进行排列,形成交叉阵列。
[0012]本申请第二方面实施例提供一种基于非易失性存储器的智能屏幕控制方法,包括以下步骤:检测高频扫描电流的电流改变量,确定用户触摸输入位置,并获取用户的输入信息,以基于所述用户触摸输入位置发送电压脉冲;接收所述电压脉冲,并根据所述电压脉冲确定非易失性存储器的当前功能模式,以对所述输入信息进行存储或计算操作。
[0013]可选地,在本申请的一个实施例中,所述根据所述电压脉冲确定非易失性存储器的当前功能模式,以对所述输入信息进行存储或计算操作,包括:利用预设的神经网络模型对所述用户的输入信息进行处理,得到优化数据。
[0014]本申请第三方面实施例提供一种电子设备,包括:存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序,所述处理器执行所述程序,以实现如上述实施例所述的基于非易失性存储器的智能屏幕控制方法。
[0015]本申请第四方面实施例提供一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质存储计算机程序,该程序被处理器执行时实现如上的基于非易失性存储器的智能屏幕控制方法。
[0016]由此,本申请的实施例具有以下有益效果:
[0017]本申请的实施例包括双层ITO导电层,用于检测高频扫描电流的电流改变量,确定用户触摸输入位置,并获取用户的输入信息,以基于用户触摸输入位置发送电压脉冲;屏蔽层,用于为双层ITO导电层屏蔽干扰电信号;非易失性存储器层,用于接收电压脉冲,并根据电压脉冲确定非易失性存储器的当前功能模式,以对输入信息进行存储或计算操作。本申请可利用非易失性存储器的记忆和计算功能,提取用户的输入信息,使得显示屏参与数据的计算与存储,从而不仅可以降低软件计算功耗,也提高了触摸位置的检测精度和屏幕整体的灵活性。由此,解决了传统屏幕技术中,触摸技术只提供了用户的输入信息,无法在屏幕端对信息进行处理,信息处理效率和智能化程度较低等问题。
[0018]本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本申请的实践了解到。
附图说明
[0019]本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
[0020]图1为根据本申请实施例提供的一种基于非易失性存储器的智能屏幕控制方法的流程图;
[0021]图2为本申请的一个实施例提供的一种基于非易失性存储器的智能屏幕系统的组成架构示意图;
[0022]图3为本申请的一个实施例提供的一种非易失性存储器的阵列结构示意图;
[0023]图4为本申请的一个实施例提供的一种双层ITO导电层的电容结构示意图;
[0024]图5为本申请的一个实施例提供的一种基于非易失性存储器的智能屏幕系统的执行逻辑示意图;
[0025]图6为根据本申请实施例的基于非易失性存储器的智能屏幕系统的示例图;
[0026]图7为本申请实施例提供的电子设备的结构示意图。
[0027]其中,10

基于非易失性存储器的智能屏幕系统、100

双层ITO导电层、200

屏蔽层、300

非易失性存储器层、701

存储器、702

处理器、703

通信接口。
具体实施方式
[0028]下面详细描述本申请的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,旨在用于解释本申请,而不能理解为对本申请的限制。
[0029]下面参考附图描述本申请实施例的基于非易失性存储器的智能屏幕系统及控制方法。针对上述
技术介绍
中提到的传统屏幕技术中,触摸技术仅提供用户的本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于非易失性存储器的智能屏幕系统,其特征在于,包括:双层ITO导电层,用于检测高频扫描电流的电流改变量,确定用户触摸输入位置,并获取用户的输入信息,以基于所述用户触摸输入位置发送电压脉冲;屏蔽层,用于为所述双层ITO导电层屏蔽干扰电信号;以及非易失性存储器,用于接收所述电压脉冲,并根据所述电压脉冲确定非易失性存储器的当前功能模式,以对所述输入信息进行存储或计算操作。2.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,还包括:基板;玻璃保护层;绝缘层,所述绝缘层设置于所述双层ITO导电层之间。3.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述非易失性存储器层包括:晶体管;至少一条信号线,用于接收所述电压脉冲,基于所述电压脉冲利用欧姆定律和/或基尔霍夫电流定律进行乘法或加法运算;非易失性存储器器件,用于根据所述至少一条信号线接收的所述电压脉冲改变电阻的大小,以执行存储操作。4.根据权利要求3所述的系统,其特征在于,所述至少一条信号线包括至少一条字线、至少一条位线和至少一条源线。5.根据权利要求3所述的系统,其特征在于,所述非易失性存储器层还包括:处理组件,用于利用预设的神经网络模型对所述用户的输入信息进行处理,得到优化数据。6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员:张清天苏煜皓高滨唐建石钱鹤吴华强
申请(专利权)人:清华大学
类型:发明
国别省市:

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