光电检测装置和电子设备制造方法及图纸

提供了一种能够抑制电极焊盘的寄生电容增大的光电检测装置。所述光电检测装置包括第一半导体层，所述第一半导体层包括光电转换单元、作为光入射面的一面和作为元件形成面的另一面；绝缘层，所述绝缘层层叠在所述第一半导体层的所述光入射面侧；电极焊盘，所述电极焊盘从所述绝缘层的在与所述第一半导体层侧的表面相对的一侧的表面露出，所述绝缘层介于所述第一半导体层和所述电极焊盘之间；以及具有绝缘性的绝缘环，所述绝缘环在厚度方向上贯穿所述第一半导体层，并且在平面图中围绕所述电极焊盘。极焊盘。极焊盘。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光电检测装置和电子设备


[0001]本技术(根据本公开的技术)涉及光电检测装置和电子设备，并且特别地涉及分别包括电极焊盘的光电检测装置和电子设备。

技术介绍

[0002]关于堆叠式图像传感器的配线接合焊盘，从容易安装球的角度出发，提出了一种将电极焊盘布置在上侧基板的表面上的结构(例如，专利文献1)。由于可以通过将电极焊盘布置在最外表面上来减小球的尺寸，因此可以减小电极焊盘的尺寸，从而可以减小芯片尺寸。
[0003]引用文献列表
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本专利申请特开第2019
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68049号

技术实现思路

[0006]本专利技术要解决的技术问题
[0007]在以高速运行的系统中，需要抑制寄生电容的增加，例如，电极焊盘的寄生电容。
[0008]本技术的目的是提供一种能够抑制电极焊盘的寄生电容的增加的光电检测装置和电子设备。
[0009]技术问题的解决方案
[0010]根据本技术的一个方面的光电检测装置包括：第一半导体层，所述第一半导体层包括光电转换单元并且具有作为光入射面的一面和作为元件形成面的另一面；绝缘层，所述绝缘层层叠在所述第一半导体层的所述光入射面侧；电极焊盘，在所述绝缘层介于所述电极焊盘和所述第一半导体层之间的状态下，所述电极焊盘从所述绝缘层的在与所述第一半导体层侧的表面相对的一侧的表面露出；以及绝缘环，所述绝缘环是具有绝缘性的环、在厚度方向上贯穿所述第一半导体层并且在平面图中围绕所述电极焊盘。<br/>[0011]根据本技术的一个方面的电子设备包括上述光电检测装置和使所述光电检测装置形成来自被摄体的图像光的图像的光学系统。
附图说明
[0012]图1是示出根据本技术第一实施方案的光电检测装置的构成例的芯片布局图。
[0013]图2是示出根据本技术第一实施方案的光电检测装置的构成例的框图。
[0014]图3是根据本技术第一实施方案的光电检测装置的像素的等效电路图。
[0015]图4A是示出根据本技术第一实施方案的电极焊盘阵列的平面图。
[0016]图4B是在沿着图4A的线B
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B截取的截面中观察时电极焊盘的截面的纵向截面图。
[0017]图5是示出在沿着图1的线A
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A截取的截面中观察时根据本技术第一实施方案的光电检测装置的电极焊盘和像素区域之间的相对关系的纵向截面图。
[0018]图6A是示出根据本技术第一实施方案的绝缘环、插塞和电极焊盘之间的位置关系的平面图。
[0019]图6B是示出在沿着图6A的线C
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C截取的截面中观察时根据本技术第一实施方案的绝缘环、插塞和电极焊盘之间的位置关系的纵向截面图。
[0020]图6C是示出在根据本技术第一实施方案的光电检测装置中设置两个绝缘环的情况下的电容器的构成的示意图。
[0021]图7A是示出根据本技术第一实施方案的光电检测装置的制造方法的过程截面图。
[0022]图7B是继图7A之后的过程截面图。
[0023]图7C是继图7B之后的过程截面图。
[0024]图7D是继图7C之后的过程截面图。
[0025]图7E是继图7D之后的过程截面图。
[0026]图7F是示出在图7E的过程中形成的抗蚀剂图案的平面图。
[0027]图7G是继图7E之后的过程截面图。
[0028]图7H是继图7G之后的过程截面图。
[0029]图7I是继图7H之后的过程截面图。
[0030]图7J是继图7I之后的过程截面图。
[0031]图7K是继图7J之后的过程截面图。
[0032]图7L是继图7K之后的过程截面图。
[0033]图7M是继图7L之后的过程截面图。
[0034]图8A是示出根据本技术第一实施方案的一个绝缘环、插塞和电极焊盘之间的位置关系的平面图。
[0035]图8B是示出在根据本技术第一实施方案的光电检测装置中设置一个绝缘环的情况下的电容器的构成的示意图。
[0036]图9A是示出根据本技术第一实施方案的三个绝缘环、插塞和电极焊盘之间的位置关系的平面图。
[0037]图9B是示出在根据本技术第一实施方案的光电检测装置中设置三个绝缘环的情况下的电容器的构成的示意图。
[0038]图10是示出在没有设置绝缘环的情况下电容器的构成的示意图。
[0039]图11是示出绝缘环的数量与合成电容的计算结果之间的关系的图。
[0040]图12是示出常规光电检测装置的图。
[0041]图13是示出在沿着图1的线A
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A截取的截面中观察时根据本技术第一实施方案的变形例1的光电检测装置的电极焊盘和像素区域之间的相对关系的纵向截面图。
[0042]图14是示出在沿着图1的线A
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A截取的截面中观察时根据本技术第一实施方案的变形例2的光电检测装置的电极焊盘和像素区域之间的相对关系的纵向截面图。
[0043]图15是示出在沿着图1的线A
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A截取的截面中观察时根据本技术第一实施方案的变形例3的光电检测装置的电极焊盘和像素区域之间的相对关系的纵向截面图。
[0044]图16是示出在沿着图1的线A
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A截取的截面中观察时根据本技术第一实施方案的变形例4的光电检测装置的电极焊盘和像素区域之间的相对关系的纵向截面图。
[0045]图17是示出在沿着图1的线A
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A截取的截面中观察时根据本技术第一实施方案的
变形例5的光电检测装置的电极焊盘和像素区域之间的相对关系的纵向截面图。
[0046]图18是示出根据本技术第一实施方案的变形例6的光电检测装置的绝缘环的纵向截面图。
[0047]图19是示出根据本技术第一实施方案的变形例7的光电检测装置的绝缘环的纵向截面图。
[0048]图20是示出在沿着图1的线A
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A截取的截面中观察时根据本技术第二实施方案的光电检测装置的电极焊盘和像素区域之间的相对关系的纵向截面图。
[0049]图21A是示出根据本技术第二实施方案的绝缘环、插塞环和电极焊盘之间的位置关系的平面图。
[0050]图21B是示出在沿着图21A的线C
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C截取的截面中观察时根据本技术第二实施方案的绝缘环、插塞环和电极焊盘之间的位置关系的纵向截面图。
[0051]图22A是示出根据本技术第二实施方案的一个绝缘环、一个插塞环和电极焊盘之间的位置关系的纵向截面图。
[0052]图22B是示出在根据本技术第二实施方案的光电检测装置中设置一个绝缘环的情况下的电容器的构成的示意图。
[0053]图23是示出在根据本技术第二实施方案的光电检测装置的制造方法的过程中形成的抗蚀剂图案的平面图。
[0054]图24是示出根本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光电检测装置，包括：第一半导体层，所述第一半导体层包括光电转换单元并且具有作为光入射面的一面和作为元件形成面的另一面；绝缘层，所述绝缘层层叠在所述第一半导体层的所述光入射面侧；电极焊盘，在所述绝缘层介于所述电极焊盘和所述第一半导体层之间的状态下，所述电极焊盘从所述绝缘层的在与所述第一半导体层侧的表面相对的一侧的表面露出；以及绝缘环，所述绝缘环是具有绝缘性的环、在厚度方向上贯穿所述第一半导体层并且在平面图中围绕所述电极焊盘。2.根据权利要求1所述的光电检测装置，其中，所述绝缘环包括第一绝缘环和在平面图中围绕所述第一绝缘环的至少一个第二绝缘环。3.根据权利要求1所述的光电检测装置，其中，在平面图中所述绝缘环的外轮廓和内轮廓之间的宽度为10nm以上且300nm以下。4.根据权利要求1所述的光电检测装置，其中，所述绝缘环包括绝缘材料和间隙中的至少一种。5.根据权利要求1所述的光电检测装置，还包括：第一配线层，所述第一配线层叠置在所述第一半导体层的所述元件形成面上；第二配线层，所述第二配线层叠置在所述第一配线层的在与所述第一半导体层侧的表面相对的一侧的表面上；以及第二半导体层，所述第二半导体层叠置在所述第二配线层的在与所述第一配线层侧的表面相对的一侧的表面上，其中，所述第一配线层包括第一连接焊盘，所述第一连接焊盘面向所述第一配线层的在与所述第一半导体层侧的表面相对的一侧的表面，并且所述第一连接焊盘电连接到所述电极焊盘；所述第二配线层包括第二连接焊盘，所述第二连接焊盘面向所述第二配线层的在与所述第二半导体层侧的表面相对的一侧的表面，并且所述第二连接焊盘接合到所述第一连接焊盘；并且所述电极焊盘、所述第一连接焊盘和所述第二连接焊盘在厚度方向上彼此重叠。6.根据权利要求1所述的光电检测装置，还包括：第一配线层，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：香川恵永，亀嶋隆季，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：