一种X射线探测器叠层结构、形成方法以及X射线探测器技术

本发明专利技术公开了一种X射线探测器叠层结构、形成方法以及X射线探测器，结构包括综合层和传感器层，所述传感器层在第一综合层上蚀刻而成，所述第一综合层采用刚性的受激发光材料，第一综合层同时起到衬底基板和闪烁体层的作用，利用该结构形成X射线探测器，该探测器其相较于传统的探测器厚度减小，提高空间利用率，提高光利用率，光扩散距离变短，有利于削弱各个像素点之间的光扩散影响，可以提高发光效率从而提高探测器的分辨率，本发明专利技术减少了衬底基板结构，使得综合层同时起到原来的衬底基板和闪烁体层作用，简化结构以及制造工艺。简化结构以及制造工艺。简化结构以及制造工艺。

【技术实现步骤摘要】
一种X射线探测器叠层结构、形成方法以及X射线探测器


[0001]本专利技术属于X射线探测器
，具体涉及一种X射线探测器叠层结构及X射线探测器。

技术介绍

[0002]X射线机系统中，X射线探测器是最为重要的关键部件之一，它直接决定了采集信号的质量，进而决定了最终图像的质量，因此也是近年来在技术上进步最快的X射线机关键部件。数字化探测器的成功应用将X射线机带入到了数字化阶段。传统X射线探测器结构是采用衬底基板、中间电路层、顶层闪烁体层的三层叠加结构，为了承载中间电路层，衬底基板需要设计地较厚，造成探测器厚的缺点，空间利用率低，不利于X射线探测器的轻薄化，同时也存在衬底基板存在时的工艺步骤较多，加工更加繁琐的问题。

技术实现思路

[0003]为克服上述存在之不足，提出了一种X射线探测器叠层结构，其相较于传统的探测器厚度减小，提高空间利用率，提高光利用率，光扩散距离变短，有利于削弱各个像素点之间的光扩散影响，可以提高发光效率从而提高探测器的分辨率，本专利技术减少了衬底基板结构，使得综合层同时起到原来的衬底基板和闪烁体层作用，简化结构以及制造工艺。
[0004]为实现上述目的本专利技术所采用的技术方案是：提供一种X射线探测器叠层结构。其包括综合层和传感器层，所述传感器层在第一综合层上蚀刻而成，所述第一综合层采用刚性的受激发光材料，第一综合层同时起到衬底基板和闪烁体层的作用。
[0005]根据本专利技术所述的一种X射线探测器叠层结构，其进一步的优选技术方案是：在传感器层的另一面紧贴设置有第二综合层。
[0006]根据本专利技术所述的一种X射线探测器叠层结构，其进一步的优选技术方案是：所述第二综合层直接用透明黏性介质粘在传感器层上，粘性介质厚度小于0.3mm。
[0007]根据本专利技术所述的一种X射线探测器叠层结构，其进一步的优选技术方案是：所述第一综合层采用的材质为环氧树脂、高发光效率塑料、薄板型普通塑料、红光塑料中的任一种；所述第二综合层采用的材质为环氧树脂、高发光效率塑料、薄板型普通塑料、红光塑料中的任一种。
[0008]根据本专利技术所述的一种X射线探测器叠层结构，其进一步的优选技术方案是：所述第一综合层和第二综合层的厚度均应小于1mm。
[0009]根据本专利技术所述的一种X射线探测器叠层结构，其进一步的优选技术方案是：所述第一综合层、第二综合层的抗拉强度：大于1595 N/mm2，所述第一综合层的硬度：洛氏硬度应大于86。
[0010]根据本专利技术所述的一种X射线探测器叠层结构，其进一步的优选技术方案是：所述传感器层为X射线探测器的测量层，传感器层由多个像素单元组成，每个像素单元由一个TFT和一个光电二极管组成。
[0011]根据本专利技术所述的一种X射线探测器叠层结构，其进一步的优选技术方案是：探测器中每个TFT的栅极按照行的方式连接在一起并引出，探测器中每个光电二极管的阳极按照列的方式连接在一起并引出，每个光电二极管阴极与对应像素单元中的TFT的源极连接，探测器中每个TFT的漏极按照列的方式连接在一起并引出。
[0012]一种X射线探测器叠层结构形成方法，其步骤包括：1）在第一综合层上溅射栅极材料膜，经掩膜曝光、显影、干法蚀刻后形成栅极布线图案；2）用等离子体增强化学气相沉积法进行连续成膜，形成SiN
X
膜、非掺杂的非晶硅膜，掺磷的高浓度掺杂N型非晶硅膜，然后再进行掩膜曝光及干法蚀刻形成TFT部分的非晶硅图案；3）用溅射成膜法形成透明电极，再经掩膜曝光及湿法蚀刻形成显示电极图案；4）使用掩膜曝光及干法蚀刻法形成栅极端部绝缘膜的接触孔图案；5）将AL等进行溅射成膜，用掩膜曝光、蚀刻形成TFT的源极、漏极以及信号线图案，用等离子体增强化学气相沉积法形成保护绝缘膜，再用掩膜曝光及干法蚀刻进行绝缘膜的蚀刻成形，该保护绝缘膜用于对栅极以及信号线电极端部和显示电极的保护；6）同理，重复步骤1）
‑
5）形成光电二极管层，每个光电二极管的阳极按照列的方式连接在一起并引出，每个光电二极管阴极与对应像素单元中的TFT的源极连接，探测器中每个TFT的漏极按照列的方式连接在一起并引出，光电二极管层与TFT层合称为传感器层。
[0013]一种X射线探测器，由上述X射线探测器叠层结构构成。
[0014]相比现有技术，本专利技术的技术方案具有如下优点/有益效果：1、本专利技术相较于传统的探测器厚度减小，提高空间利用率，提高光利用率，光扩散距离变短，有利于削弱各个像素点之间的光扩散影响，可以提高发光效率从而提高探测器的分辨率。
[0015]2、本专利技术减少了衬底基板结构，使得综合层同时起到原来的衬底基板和闪烁体层作用，简化结构以及制造工艺。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本专利技术实施方式的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0017]图1是现有的X射线探测器的结构示意图。
[0018]图2是本专利技术一种X射线探测器叠层结构实施例1的结构示意图。
[0019]图3是本专利技术一种X射线探测器叠层结构实施例2的结构示意图。
[0020]图中标记分别为：1.综合层101.第一综合层102.第二综合层2.传感器层3.衬底基板4.顶层闪烁体层。
具体实施方式
[0021]为使本专利技术目的、技术方案和优点更加清楚，下面对本专利技术实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式是本专利技术的一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本专利技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本专利技术保护的范围。因此，以下提供的本专利技术的实
施方式的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施方式。
[0022]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中可以不对其进行进一步定义和解释。
[0023]实施例1：如图1所示，现有的X射线探测器采用衬底基板3、中间电路层（即传感器层）、顶层闪烁体层4的三层叠加结构，其厚度一般较厚。如图2所示，一种X射线探测器叠层结构，其包括第一综合层101和传感器层2，所述传感器层2在第一综合层101上蚀刻而成，综合层1采用刚性的受激发光材料，第一综合层101同时起到衬底基板和闪烁体层的作用。
[0024]所述综合层1（包括第一综合层101和第二综合层102）的厚度均应小于1mm，在条件允许的情况下，将综合层1的厚度尽量往较薄控制以提高光利用率，削弱各个像素点之间的光扩散影响。
[0025]所述第一综合层101、第二综合层102的抗拉强度：大于1595 N/mm2，所述第一综合层101、第二综合层102的硬度：洛氏硬度（HRA）应大于8本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种X射线探测器叠层结构，其特征在于，其包括综合层和传感器层，所述传感器层在第一综合层上蚀刻而成，所述第一综合层采用刚性的受激发光材料，第一综合层同时起到衬底基板和闪烁体层的作用。2.根据权利要求1所述的一种X射线探测器叠层结构，其特征在于，在传感器层的另一面紧贴设置有第二综合层。3.根据权利要求2所述的一种X射线探测器叠层结构，其特征在于，所述第二综合层直接用透明黏性介质粘在传感器层上，粘性介质厚度小于0.3mm。4.根据权利要求3所述的一种X射线探测器叠层结构，其特征在于，所述第一综合层采用的材质为环氧树脂、高发光效率塑料、薄板型普通塑料、红光塑料中的任一种；所述第二综合层采用的材质为环氧树脂、高发光效率塑料、薄板型普通塑料、红光塑料中的任一种。5.根据权利要求1或2所述的一种X射线探测器叠层结构，其特征在于，所述第一综合层和第二综合层的厚度均应小于1mm。6.根据权利要求1或2所述的一种X射线探测器叠层结构，其特征在于，所述第一综合层、第二综合层的抗拉强度：大于1595 N/mm2，所述第一综合层、第二综合层的硬度：洛氏硬度应大于86。7.根据权利要求1或2所述的一种X射线探测器叠层结构，其特征在于，所述传感器层为X射线探测器的测量层，传感器层由多个像素单元组成，每个像素单元由一个TFT和一个光电二极管组成。8.根据权利要求7所述的一种X射线探测器叠层结构，其特征在于，探测器中每个TFT的栅极按照行的方式连接在一起并引...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑海东，孙文遂，任忠国，张良，文波，
申请(专利权)人：中创智科绵阳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：