图像传感器制造技术

一种图像传感器包括：像素分离部，在基板中并配置为分离像素，像素包括第一像素，像素分离部包括至少部分地限定第一像素的第一至第四侧壁；第一源极跟随器栅电极，在第一像素上并与第一侧壁和第二侧壁相邻；第一杂质区，与第一侧壁和第二侧壁相遇的第一拐角相邻；第二杂质区，与第二侧壁和第三侧壁相遇的第二拐角相邻；以及第三杂质区，与第一侧壁和第四侧壁相遇的第三拐角相邻。第一至第三杂质区与第一源极跟随器栅电极相邻。第二杂质区和第三杂质区彼此电连接。质区彼此电连接。质区彼此电连接。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器


[0001]本专利技术构思涉及图像传感器。

技术介绍

[0002]图像传感器是将光学图像转换为电信号的半导体器件。图像传感器可以分类为电荷耦合器件(CCD)型和互补金属氧化物半导体(CMOS)型。CMOS图像传感器缩写为CIS。CIS包括多个二维排列的像素。每个像素包括光电二极管(PD)。光电二极管用于将入射光转换为电信号。

技术实现思路

[0003]本专利技术构思的一些示例实施方式提供了能够降低信号噪声的图像传感器。
[0004]根据本专利技术构思的一些示例实施方式的一种电子器件可以包括图像传感器，该图像传感器可以包括：像素分离部，在基板中并配置为分离沿顺时针方向设置的多个像素中的像素，所述多个像素包括第一像素，其中像素分离部包括至少部分地限定第一像素的第一至第四侧壁。图像传感器还可以包括：第一源极跟随器栅电极，在第一像素上并与第一侧壁和第二侧壁相邻；第一杂质区，在第一像素中在基板中并与第一侧壁和第二侧壁相遇的第一拐角相邻；第二杂质区，在第一像素中在基板中并与第二侧壁和第三侧壁相遇的第二拐角相邻；以及第三杂质区，在第一像素中在基板中并与第一侧壁和第四侧壁相遇的第三拐角相邻。第一至第三杂质区可以与第一源极跟随器栅电极相邻。第二杂质区和第三杂质区可以彼此电连接。
[0005]根据本专利技术构思的一些示例实施方式的一种电子器件可以包括：像素分离部，在基板中并配置为分离第一至第四像素；侧接地区，在第一至第四像素的每个中在基板中与像素分离部的侧壁相邻，并彼此连接，以至少部分地包括连续地延伸穿过第一至第四像素的单个侧接地区；以及下接地区，在第一至第四像素的一个中与基板的下表面相邻。下接地区可以与侧接地区的至少一部分接触。
[0006]根据本专利技术构思的一些示例实施方式的一种电子器件可以包括：基板，包括在第一方向上彼此相邻的第一像素组和第二像素组，第一和第二像素组的每个给定像素组可以包括绕给定像素组的中心沿顺时针方向排列的第一至第四像素；像素分离部，在基板中并配置为将每个像素组的第一至第四像素彼此分离，并将第一和第二像素组彼此分离；第一至第四传输晶体管，在第一和第二像素组的每个给定像素组中，以对应于给定像素组中的第一至第四像素的分离的相应像素，第一至第四传输晶体管中的每个包括传输栅极和浮置扩散区；以及源极跟随器晶体管，分别位于第一和第二像素组的每个中的第一至第四像素的至少一个中并彼此连接。每个源极跟随器晶体管可以包括源极跟随器栅电极以及与源极跟随器栅电极相邻的一个源极区和两个漏极区。所述一个源极区可以与源极跟随器栅电极的中心相邻。所述两个漏极区之间的第一距离可以大于所述两个漏极区之一与所述一个源极区之间的第二距离。
附图说明
[0007]示例实施方式将从以下结合附图的简明说明被更清楚地理解。附图呈现了在此描述的非限制性的示例实施方式。
[0008]图1是根据本专利技术构思的一些示例实施方式的图像传感器的一个像素的平面图。
[0009]图2A、图2B和图2C分别是根据本专利技术构思的一些示例实施方式的沿着图1中的线A
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A'、B
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B'和C
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C'截取的截面图。
[0010]图3是根据本专利技术构思的一些示例实施方式的图1的图像传感器的电路图。
[0011]图4是根据本专利技术构思的一些示例实施方式的图像传感器的平面图。
[0012]图5A是根据本专利技术构思的一些示例实施方式的沿着图4的线D
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D'截取的截面图。
[0013]图5B是根据本专利技术构思的一些示例实施方式的沿着图4的线E
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E'截取的截面图。
[0014]图6是根据本专利技术构思的一些示例实施方式的图4的图像传感器的电路图。
[0015]图7是根据本专利技术构思的一些示例实施方式的图像传感器的平面图。
[0016]图8是根据本专利技术构思的一些示例实施方式的图7的图像传感器的电路图。
[0017]图9是根据本专利技术构思的一些示例实施方式的图像传感器的平面图。
[0018]图10是根据本专利技术构思的一些示例实施方式的图9的图像传感器的电路图。
[0019]图11是根据本专利技术构思的一些示例实施方式的图像传感器的平面图。
[0020]图12是根据本专利技术构思的一些示例实施方式的图11的图像传感器的电路图。
[0021]图13是根据本专利技术构思的一些示例实施方式的图像传感器的截面图。
具体实施方式
[0022]在下文中，为了更详细地描述本专利技术构思，将参照附图更详细地描述根据本专利技术构思的实施方式。在本说明书中，指示顺序的术语，诸如第一和第二，用于区分具有彼此相同/相似功能的部件，并且第一和第二可以取决于它们被提及的顺序而改变。
[0023]将理解，当元件被称为“在”另一元件“上”时，它可以直接在该另一元件上，或者也可以存在居间的元件。相比之下，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在居间的元件。还将理解，当元件被称为“在”另一元件“上”时，它可以在该另一元件上方或在该另一元件下方或与该另一元件相邻(例如，水平相邻)。
[0024]将理解，相对于其它元件和/或其性质(例如，结构、表面、方向等)可以称为“垂直”、“平行”、“共面”等的元件和/或其性质(例如，结构、表面、方向等)分别相对于其它元件和/或其性质可以“垂直”、“平行”、“共面”等，或者可以“基本上垂直”、“基本上平行”、“基本上共面”。
[0025]相对于其它元件和/或其性质“基本上垂直”的元件和/或其性质(例如，结构、表面、方向等)将理解为在制造公差和/或材料公差内相对于其它元件和/或其性质“垂直”，和/或相对于其它元件和/或其性质具有等于或小于10％(例如，
±
10％的公差)的幅度和/或角度的相对于“垂直”的偏差。
[0026]相对于其它元件和/或其性质“基本上平行”的元件和/或其性质(例如，结构、表面、方向等)将被理解为在制造公差和/或材料公差内相对于其它元件和/或其性质“平行”，和/或相对于其它元件和/或其性质具有等于或小于10％(例如，
±
10％的公差)的幅度和/或角度的相对于“平行”的偏差。
[0027]相对于其它元件和/或其性质“基本上共面”的元件和/或其性质(例如，结构、表面、方向等)将理解为在制造公差和/或材料公差内相对于其它元件和/或其性质“共面”，和/或相对于其它元件和/或其性质具有等于或小于10％(例如，
±
10％的公差)的幅度和/或角度的相对于“共面”的偏差。
[0028]将理解，元件和/或其性质在此可以表述为与其它元件“相同”或“相等”，还将理解，在此表述为与其它元件“同样”、“相同”或“相等”的元件和/或其性质可以与其它元件和/或其性质“同样”、“相同”、“相等”、“基本上同样”、“基本上相同”或“基本上相等”。与其它元件和/或其性质“基本上同样”、“基本上相同”或“基本上相等”的元件和/或其本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，包括：在基板中的像素分离部，所述像素分离部配置为分离沿顺时针方向设置的多个像素中的像素，所述多个像素包括第一像素，其中所述像素分离部包括至少部分地限定所述第一像素的第一侧壁至第四侧壁；第一源极跟随器栅电极，在所述第一像素上并且与所述第一侧壁和所述第二侧壁相邻；第一杂质区，在所述第一像素中在所述基板中并且与所述第一侧壁和所述第二侧壁相遇的第一拐角相邻；第二杂质区，在所述第一像素中在所述基板中并且与所述第二侧壁和所述第三侧壁相遇的第二拐角相邻；以及第三杂质区，在所述第一像素中在所述基板中并且与所述第一侧壁和所述第四侧壁相遇的第三拐角相邻，其中所述第一杂质区至所述第三杂质区与所述第一源极跟随器栅电极相邻，以及其中所述第二杂质区和所述第三杂质区彼此电连接。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述多个像素还包括从所述第一像素开始绕中心点沿顺时针方向排列的第二像素至第四像素，其中所述第一像素至所述第四像素包括第一像素组，以及其中在所述第一像素组的包括所述中心点的中心不存在所述像素分离部。3.根据权利要求2所述的图像传感器，还包括：侧接地区，在所述第一像素至所述第四像素的每个中在所述基板中与所述像素分离部的侧壁相邻，并且彼此连接，以至少部分地包括连续地延伸穿过所述第一像素至所述第四像素的单个侧接地区；以及下接地区，在所述第二像素至所述第四像素的一个中在所述基板中与所述基板的下表面相邻，其中所述下接地区与所述侧接地区的至少一部分接触。4.根据权利要求3所述的图像传感器，还包括：在所述多个像素的一个像素中的器件隔离部，所述器件隔离部限定与所述基板的所述下表面相邻的第一有源区和第二有源区，所述下接地区在所述第一有源区中；以及在所述第二有源区上的选择栅电极。5.根据权利要求2所述的图像传感器，还包括：传输栅电极，在所述第一像素至所述第四像素的分离的相应像素中，所述传输栅电极与所述第一像素组的所述中心相邻；以及第一公共浮置扩散区，在所述第一像素组的所述中心处在所述基板中。6.根据权利要求2所述的图像传感器，还包括：在所述第二像素至所述第四像素的一个中的器件隔离部，所述器件隔离部在所述基板中限定第一有源区；以及都在所述第一有源区上的复位栅电极和双转换栅电极，其中所述第一有源区在平面图中具有L形。7.根据权利要求2所述的图像传感器，还包括：
与所述第一像素组相邻的第二像素组，所述第二像素组包括绕所述第二像素组的中心沿顺时针方向排列的第五像素至第八像素；第二源极跟随器栅电极，在所述第二像素至所述第八像素的至少一个中；以及第四杂质区至第六杂质区，与所述第二源极跟随器栅电极相邻并且在所述基板中彼此间隔开，其中所述第五杂质区和所述第六杂质区彼此电连接。8.根据权利要求7所述的图像传感器，其中所述第一源极跟随器栅电极和所述第二源极跟随器栅电极彼此电连接。9.根据权利要求2所述的图像传感器，还包括：第二源极跟随器栅电极，在所述第二像素至所述第四像素的一个中；以及第四杂质区至第六杂质区，与所述第二源极跟随器栅电极相邻并且在所述基板中彼此间隔开，其中所述第五杂质区和所述第六杂质区彼此电连接。10.根据权利要求2所述的图像传感器，还包括在所述第二像素至所述第四像素的一个中在所述基板中的存储区，其中所述存储区配置为将双转换晶体管连接到复位晶体管。11.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第二杂质区和所述第三杂质区之间的第一距离大于所述第一杂质区和所述第二杂质区之间的第二距离。12.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：金净惠，金东炫，金声仁，张敬恩，金宰浩，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：