一种半导体器件形成数据线的方法及半导体器件技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件中数据线的制作方法及装置，该方法包括：在衬底上形成第一氧化层；对所述第一氧化层进行刻蚀，以在所述第一氧化层中形成用于设置数据线的多个第一凹槽；在每个第一凹槽内侧壁形成隔离层；在所述隔离层所围绕形成的第二凹槽内形成金属线，作为数据线，通过先刻蚀出数据线所处位置的第一凹槽，再在该第一凹槽内壁形成隔离层，在隔离层围设的第二凹槽内形成金属线作为数据线，进而有效避免现有技术中在制作数据线时，先形成金属线，再进行外部隔离时，造成相邻数据线之间产生粘合或弯曲等不良现象的问题，并且本方法可以大幅减少工艺步骤，简化工艺。简化工艺。简化工艺。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件形成数据线的方法及半导体器件


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体器件形成数据线的方法及半导体器件。

技术介绍

[0002]在半导体制造工艺中形成数据线时，由于数据线结构宽度较细，细微图形的高宽比较大，因此，相邻的数据线之间在经过湿法等工艺后，会产生粘合或者弯曲等不良现象。
[0003]因此，如何避免数据线之间产生粘合或者弯曲等不良现象是目前亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0004]鉴于上述问题，提出了本专利技术以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种半导体器件形成数据线的方法及半导体器件。
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供了一种半导体器件中数据线的制作方法，包括：
[0006]在衬底上形成第一氧化层；
[0007]对所述第一氧化层进行刻蚀，以在所述第一氧化层中形成用于设置数据线的多个第一凹槽；
[0008]在每个第一凹槽内侧壁形成隔离层；
[0009]在所述隔离层所围绕形成的第二凹槽内形成金属线，作为数据线。
[0010]进一步地，所述在每个第一凹槽内侧壁形成隔离层，包括：
[0011]在每个第一凹槽内侧壁依次形成第二氧化层和第一SiN层；或者
[0012]在每个第一凹槽内侧壁依次形成第二SiN层和第三氧化层。
[0013]进一步地，所述第二氧化层的厚度、所述第一SiN层的厚度、所述第三氧化层的厚度以及所述第二SiN层的厚度均为
[0014]进一步地，所述在每个第一凹槽内侧壁形成隔离层，包括：
[0015]在每个第一凹槽内侧壁形成SiN和氧化物的混合物。
[0016]进一步地，所述多个第一凹槽包括与衬底的接触部接触的接触槽，所述在所述隔离层所围绕形成的第二凹槽内形成金属线，作为数据线之前，还包括：
[0017]在所述接触槽底端形成金属硅化物，以使所述金属硅化物连接至所述接触部。
[0018]进一步地，所述金属硅化物具体为如下任意一种：
[0019]CoSi
x
和NiSi
x
。
[0020]进一步地，所述在所述隔离层所围绕形成的第二凹槽内形成金属线，作为数据线之后，还包括：
[0021]对所述金属线进行回刻，去除多余的金属线。
[0022]进一步地，所述在所述隔离层所围绕形成的第二凹槽内形成金属线，作为数据线之后，还包括：
[0023]在所述金属线上形成第三SiN层。
[0024]进一步地，所述在所述金属线周围形成第三SiN层之后，还包括：
[0025]对超出所述第一凹槽高度的所述第三SiN层进行刻蚀去除；或者
[0026]对超出所述第一凹槽高度的所述第三SiN层进行化学机械平坦化去除。
[0027]第二方面，本专利技术还提供了一种半导体器件，包括：
[0028]具有接触部的衬底，所述接触部上设置有金属硅化物；
[0029]与所述金属硅化物连接的金属线；
[0030]位于所述金属线周围的隔离层；
[0031]位于所述衬底上且位于所述隔离层外围的第一氧化层。
[0032]本专利技术实施例中的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
[0033]本专利技术提供了一种半导体器件中数据线的制作方法，包括：在衬底上形成第一氧化层，对该第一氧化层进行刻蚀，以在该第一氧化层中形成用于设置数据线的多个第一凹槽；在每个第一凹槽内侧壁形成隔离层；在隔离层所围绕形成的第二凹槽内形成金属线，作为数据线，通过先刻蚀出数据线所处位置的第一凹槽，再在该第一凹槽内壁形成隔离层，在隔离层围设的第二凹槽内形成金属线作为数据线，进而有效避免现有技术中在制作数据线时，先形成金属线，再进行外部隔离时，造成相邻数据线之间产生粘合或弯曲等不良现象的问题，并且本方法可以大幅减少工艺步骤，简化了工艺。
附图说明
[0034]通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本专利技术的限制。而且在整个附图中，用相同的参考图形表示相同的部件。在附图中：
[0035]图1～图5示出了相关技术中工艺流程的示意图；
[0036]图6示出了本专利技术实施例中半导体器件中数据线的形成方法的步骤流程示意图；
[0037]图7～图13示出了本专利技术实施例中半导体器件中数据线的形成工艺流程的示意图。
具体实施方式
[0038]下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
[0039]在附图中示出了根据本公开实施例的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。
[0040]在本公开的上下文中，当将一层/元件称作位于另一层/元件“上”时，该层/元件可以直接位于该另一层/元件上，或者它们之间可以存在居中层/元件。另外，如果在一种朝向
中一层/元件位于另一层/元件“上”，那么当调转朝向时，该层/元件可以位于该另一层/元件“下”。
[0041]相关技术中，如图1～图5所示，在形成半导体器件的数据线时，先在数据线走线槽内沉积多晶硅柱，然后，在该多晶硅柱上依次形成金属线和SiN层，对该金属线和SiN层进行回刻，从而形成数据线，然后，在该金属线和SiN层外围沉积隔离层，在隔离层外围沉积SiN层，将最外层的SiN层去除，对剩余的区域填充氧化层，最后，再对氧化层进行化学机械平坦化处理，从而形成半导体器件中的数据线。该相关技术中，是先形成数据线的结构，再填充隔离结构，使得相邻的数据线容易造成粘合或者弯曲等不良现象。
[0042]本专利技术所提供的半导体器件的制作方法，能够有效改善上述的布料现象。
[0043]实施例一
[0044]本专利技术实施例提供了一种半导体器件中数据线的制作方法，如图6所示，包括：
[0045]S601，在衬底上形成第一氧化层。
[0046]S602，对该第一氧化层进行刻蚀，以在第一氧化层中形成用于设置数据线的多个第一凹槽。
[0047]S603，在每个第一凹槽侧壁形成隔离层。
[0048]S604，在隔离层所围绕形成的第二凹槽内形成金属线，作为数据线。
[0049]如图7所示，首先，在S601中，在该衬底701包括表面的SiN层A，该衬底701还包括多个数据走线槽7011，该数据走线本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件中数据线的制作方法，其特征在于，包括：在衬底上形成第一氧化层；对所述第一氧化层进行刻蚀，以在所述第一氧化层中形成用于设置数据线的多个第一凹槽；在每个第一凹槽内侧壁形成隔离层；在所述隔离层所围绕形成的第二凹槽内形成金属线，作为数据线。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在每个第一凹槽内侧壁形成隔离层，包括：在每个第一凹槽内侧壁依次形成第二氧化层和第一SiN层；或者在每个第一凹槽内侧壁依次形成第二SiN层和第三氧化层。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二氧化层的厚度、所述第一SiN层的厚度、所述第三氧化层的厚度以及所述第二SiN层的厚度均为4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在每个第一凹槽内侧壁形成隔离层，包括：在每个第一凹槽内侧壁形成SiN和氧化物的混合物。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个第一凹槽包括与所述衬底的接触部接触的接触槽，所述在所述隔离层所围绕形成的第二凹槽内形成金属线，作为数据线之前，还包括：在所述接触槽底端形成金属硅化物，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李春雨，卢一泓，胡艳鹏，张月，李俊杰，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：