磁传感器以及制造磁传感器的方法技术

本公开的目的是提高磁传感器的输出。磁传感器(1)包括陶瓷基底(2)、GMR层(5)和底涂层(4)。陶瓷基底(2)包括基底主体(20)和釉层(3)。基底主体(20)包含陶瓷作为材料。釉层(3)形成在基底主体(20)的表面上。GMR层(5)具有包括多个磁性层(6)和多个非磁性层(7)的层叠结构。底涂层(4)形成在釉层(3)和GMR层(5)之间。底涂层(4)含有BCC固溶体。(4)含有BCC固溶体。(4)含有BCC固溶体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】磁传感器以及制造磁传感器的方法


[0001]本公开总体上涉及磁传感器以及制造磁传感器的方法，并且更具体地涉及包括GMR层的磁传感器以及制造这种磁传感器的方法。

技术介绍

[0002]专利文献1公开了一种磁阻(MR)传感器(磁传感器)，该磁阻传感器包括：含有NiFe的MR条和含有NiFeCr合金并与所述MR条耦连的第一间隔层(底涂层(undercoat layer))。选择第一间隔层的组成比以优化MR条的MR系数和热稳定性。
[0003]引用清单
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：US 5731936A

技术实现思路

[0006]本公开的一个目的是提高磁传感器的输出。
[0007]根据本公开的一个方面的磁传感器包括陶瓷基底、GMR层和底涂层。所述陶瓷基底包括基底主体和釉层(glazing layer)。所述基底主体含有陶瓷作为其材料。所述釉层形成在所述基底主体的表面上。所述GMR层具有多个磁性层和多个非磁性层的多层结构。所述底涂层形成在所述釉层和所述GMR层之间。所述底涂层含有BCC固溶体。
[0008]根据本公开的另一个方面的制造磁传感器的方法包括以下步骤：在含有陶瓷作为其材料的基底主体的表面上形成釉层；在所述釉层的表面上形成含有BCC固溶体的底涂层；和在所述底涂层的表面上形成GMR层，而GMR层具有多个磁性层和多个非磁性层的多层结构。
附图说明
[0009]图1是根据一个示例性实施方案的一种磁传感器的侧横截面图；
[0010]图2是示出一种制造磁传感器的方法的流程图；
[0011]图3是示出磁传感器的特性的图；以及
[0012]图4是示出磁传感器的特性的图。
具体实施方式
[0013]现在将参照附图来描述根据示例性实施方案的磁传感器和制造磁传感器的方法。注意，以下描述的实施方案仅是本公开的各种实施方案中的一种示例性实施方案，并且不应被解释为限制性的。而是，在不背离本公开的范围的情况下，可以根据设计选择或任何其他因素以各种方式容易地改变实施方案。在以下实施方案描述中参照的附图全都是示意图。因此，图上所示的各构成要素的尺寸(包括厚度)的比率(例如，图1中所示的导体21、22的厚度与釉层3的厚度的比率)并不总是反应它们的实际尺寸比。
[0014](实施方案)
[0015](概要)
[0016]如图1所示，根据示例性实施方案的磁传感器1包括陶瓷基底2、巨磁阻效应(GMR)层5和底涂层4。陶瓷基底2包括基底主体20和釉层3。基底主体20含有陶瓷作为其材料。釉层3形成在基底主体20的表面上。GMR层5具有多个磁性层6和多个非磁性层7的多层结构。底涂层4形成在釉层3和GMR层5之间。底涂层4含有体心立方(body
‑
centered cubic，BCC)固溶体。
[0017]根据本实施方案，在釉层3和GMR层5之间形成底涂层4减小了陶瓷基底2与GMR层5的磁性层6之间的表面能的差。这在形成磁性层6的步骤中促进了磁性层6在与基底主体20的表面平行的方向上的晶体生长，由此使得能够形成厚度小的磁性层6。这有助于提高GMR层5的输出。另外，与基底主体20的表面相比，釉层3的表面可以更容易地平坦化。也就是说，设置釉层3使得能够将陶瓷基底2的表面平坦化。这进一步促进了磁性层6在与基底主体20表面平行的方向上的晶体生长。
[0018](详细内容)
[0019]接下来，将更详细地描述根据本实施方案的磁传感器1。在以下描述中，其上设置有GMR层5的一侧被定义为从陶瓷基底2观看的上侧，而其上设置有陶瓷基底2的另一侧被定义为从GMR层5观看的下侧。注意，这些定义不应被解释为限制使用磁传感器1的方向。
[0020](1)陶瓷基底
[0021]陶瓷基底2包括基底主体20、釉层3和导体21
‑
26。
[0022]在本实施方案中，陶瓷基底2是氧化铝基底。也就是说，陶瓷基底2含有氧化铝作为基底主体20的材料。氧化铝含量(纯度)优选地等于或大于96％且等于或小于99％。换言之，基底主体20优选地含有氧化铝含量等于或大于96％且等于或小于99％的氧化铝作为其材料。这提供了具有高强度的陶瓷基底2。
[0023]基底主体20具有第一表面201和第二表面202。第一表面201是基底主体20在厚度方向的一侧的表面(上表面)。第二表面202是基底主体20在厚度方向的另一侧的表面(下表面)。也就是说，第二表面202是与第一表面201相反的表面。
[0024]第一表面201被形成为平坦表面。釉层3形成在第一表面201上。
[0025]第二表面202被形成为平坦表面。导体22、25布置在第二表面202上。导体22、25与GMR层5电连接。导体22、25中的每个都作为用于从GMR层5提取输出信号的电极8。也就是说，陶瓷基底2包括与GMR层5电连接的一对电极8。
[0026]基底主体20具有多个(例如，在图1中为两个)通孔203、204。这些通孔203、204中的每个都贯穿第一表面201和第二表面202。这些通孔203、204邻近GMR层5设置。
[0027]釉层3形成在整个第一表面201上。釉层3含有玻璃材料(比如非晶玻璃)作为其材料。
[0028]导体21
‑
26由导电材料(比如银
‑
钯(Ag
‑
Pd))制成。导体21、24形成在釉层3的表面(上表面)上。导体22、25形成在基底主体20的第二表面202上。导体23穿过通孔203。换言之，导体23形成在通孔203的内表面上。导体26穿过通孔204。换言之，导体26形成在通孔204的内表面上。
[0029]导体21
‑
23彼此电连接。导体21与GMR层5接触，并且由此与GMR层5电连接。GMR层5
经由导体21、23与导体22(电极8)电连接。换言之，导体21、23将导体22(电极8)与GMR层5电连接。
[0030]导体24
‑
26彼此电连接。导体24与GMR层5接触，并且由此与GMR层5电连接。GMR层5经由导体24、26与导体25(电极8)电连接。换言之，导体24、26将导体25(电极8)与GMR层5电连接。
[0031]陶瓷基底2安装在另一个基底上。更具体地，基底主体20的第二表面202面向另一个基底的表面。另外，导体22、25(一对电极8)与在另一个基底的表面上形成的导体接触并且电连接。
[0032]釉层3的厚度优选地等于或大于10μm且等于或小于100μm。另外，釉层3的在其上形成底涂层4的表面(上表面)优选地具有尽可能小的表面粗糙度。在该情况下，表面粗糙度可以由表面纹理参数(比如JIS B 0601标准所定义的算术平均粗糙度Ra)来表示。釉层3的在其上形成底涂层4的该表面的算术平均粗糙度Ra优选地等于或小于0.02μm。
[0033](2)本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种磁传感器，所述磁传感器包括：陶瓷基底，所述陶瓷基底包括：含有陶瓷作为其材料的基底主体；和在所述基底主体的表面上形成的釉层；巨磁阻效应层，所述巨磁阻效应层具有多个磁性层和多个非磁性层的多层结构；以及底涂层，所述底涂层形成在所述釉层和所述巨磁阻效应层之间，并且含有体心立方固溶体。2.权利要求1所述的磁传感器，其中所述基底主体含有氧化铝含量等于或大于96％且等于或小于99％的氧化铝作为其材料。3.权利要求1所述的磁传感器，其中所述陶瓷基底是氮化铝基底。4.权利要求1至3中任一项所述的磁传感器，其中所述体心立方固溶体含有Ni
‑
Fe
‑
Cr或Fe
‑
Si中的至少一种。5.权利要求1至4中任一项所述的磁传感器，其中所述陶瓷基底还包括：与所述巨磁阻效...

【专利技术属性】
技术研发人员：小原直树，尾中和弘，中谷友也，普拉板醤，
申请(专利权)人：松下控股株式会社，
类型：发明
国别省市：