一种隧穿磁阻传感器的接口电路制造技术

本发明专利技术公开了隧穿磁阻传感器的接口电路，包括三十八个MOS管、连个电容和九个开关，第一开关、第二开关、第三开关、第四开关、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和第四MOS管构成高频调制电路，第五开关、第六开关、第七开关、第八开关、第十七MOS管、第二十二MOS管和第二十三MOS管构成高频解调电路，通过高频调制电路将隧穿磁阻传感器输出的信号调制到斩波频率处，再经过高频解调电路进行高频解调；优点是设置在隧穿磁阻传感器的输出端，能够抑制隧穿磁阻传感器输出信号中的低频1/f噪声来提高信噪比，从而输出具有较高信噪比的信号，消除低频1/f噪声对隧穿磁阻传感器的最小磁场探测能力造成影响，使隧穿磁阻传感器即使用于地磁场信号测量时也具有高灵敏度。号测量时也具有高灵敏度。号测量时也具有高灵敏度。

【技术实现步骤摘要】
一种隧穿磁阻传感器的接口电路


[0001]本专利技术涉及接口电路，尤其是涉及一种隧穿磁阻传感器的接口电路。

技术介绍

[0002]近年来，随着磁电子学的深入研究，具有多层膜结构的微型隧穿磁阻传感器得到了迅猛地发展。微型隧穿磁阻传感器是利用薄膜电阻工艺技术设计生产微小型化的器件，不但在航空航天GPS导航和卫星等军事领域得到广泛应用，同时也在民用生活领域中的方方面面得到广泛应用，例如在汽车电子、生物医疗、环境监测、物联网、智能手机等民用领域中成为不可缺少的角色，具有很大的市场应用需求。隧穿磁阻传感器拥有高灵敏度、微型化、低成本、低功耗、高度集成和高响应频率等特性，使其将会成为未来磁阻传感器竞争的制高点。
[0003]隧穿磁阻传感器是采用磁控溅射方法制备出磁性隧穿结，然后将多个磁性隧穿结串联构成隧穿磁电阻，这样隧穿磁电阻的磁阻变化率可以得到大幅提升，其灵敏度也大大提高。但在高精度磁探测领域应用中，隧穿磁阻传感器虽然具备较高的磁场灵敏度，其本底噪声也较大，特别是在磁性隧穿结的自由层磁化翻转过程中的噪声高于处于磁化饱和态时几个数量级。磁性隧穿结的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种隧穿磁阻传感器的接口电路，其特征在于包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管、第十三MOS管、第十四MOS管、第十五MOS管、第十六MOS管、第十七MOS管、第十八MOS管、第十九MOS管、第二十MOS管、第二十一MOS管、第二十二MOS管、第二十三MOS管、第三十MOS管、第三十一MOS管、第三十二MOS管、第三十三MOS管、第三十四MOS管、第三十五MOS管、第三十六MOS管、第三十七MOS管、第三十八MOS管、第一电容、第二电容和九个开关，九个开关均为模拟开关，每个开关均具有两个连接端和两个时钟控制端，两个连接端分别称为第一个连接端和第二个连接端，两个时钟端分别称为第一个时钟端和第二个时钟端，将九个开关分别称为第一开关、第二开关、第三开关、第四开关、第五开关、第六开关、第七开关、第八开关、第九开关和第十开关，所述的第一MOS管、所述的第二MOS管、所述的第三MOS管、所述的第四MOS管、所述的第五MOS管、所述的第六MOS管、所述的第七MOS管、所述的第十一MOS管、所述的第十二MOS管、所述的第十三MOS管、所述的第十四MOS管、所述的第十五MOS管、所述的第十六MOS管、所述的第十七MOS管、所述的第十八MOS管、所述的第十九MOS管、所述的第三十MOS管、所述的第三十一MOS管、所述的第三十二MOS管、所述的第三十三MOS管、所述的第三十五MOS管和所述的第三十七MOS管均为PMOS管，所述的第八MOS管、所述的第九MOS管、所述的第十MOS管、所述的第二十MOS管、所述的第二十一MOS管、所述的第二十二MOS管、所述的第二十三MOS管、所述的第三十四MOS管、所述的第三十六MOS管和所述的第三十八MOS管均为NMOS管；所述的第一开关的第一个连接端和所述的第二开关的第一连接端连接且其连接端为所述的接口电路的正输入端Vin+，用于连接隧穿磁阻传感器的正输出端，所述的第三开关的第一个连接端和所述的第四开关的第一连接端连接且其连接端为所述的接口电路的负输入端Vin
‑
，用于连接隧穿磁阻传感器的负输出端，所述的第一开关的第二个连接端、所述的第三开关的第二个连接端、所述的第一MOS管的栅极和所述的第三MOS管的栅极连接，所述的第二开关的第二个连接端、所述的第四开关的第二个连接端、所述的第二MOS管的栅极和所述的第四MOS管的栅极连接，所述的第一MOS管的漏极和所述的第三MOS管的源极连接，所述的第二MOS管的漏极和所述的第四MOS管的源极连接，所述的第三MOS管的漏极和所述的第九MOS管的栅极连接，所述的第四MOS管的漏极和所述的第十MOS管的栅极连接，所述的第一MOS管的源极、所述的第二MOS管的源极和所述的第六MOS管的漏极连接，所述的第六MOS管的源极和所述的第五MOS管的漏极连接，所述的第五MOS管的源极、所述的第十一MOS管的源极、所述的第十二MOS管的源极、所述的第十五MOS管的源极、所述的第十八MOS管的源极、所述的第十九MOS管的源极、所述的第七MOS管的源极、所述的第三十MOS管的源极和所述的第三十一MOS管的源极连接且其连接端接入电源电压VCC，所述的第九MOS管的源极、所述的第十MOS管的源极、所述的第二十二MOS管的源极、所述的第二十三MOS管的源极、所述的第八MOS管的栅极、所述的第八MOS管的源极和所述的第二电容的一端连接且其连接端作为所述的接口电路的负输出端Vout
‑
，用于接地GND，所述的第九MOS管的漏极、所述的第十三MOS管的漏极、所述的第十三MOS管的栅极、所述的第十四MOS管的栅极、所述的第五开关的第一个连接端和所述的第六开关的第一个连接端连接，所述的第十MOS管的漏极、所述的第十四MOS管的漏极、所述的第七开关的第一个连接端和所述的第八开关的第一个连接端连接，所述的第十三MOS管的源极、所述的第十一MOS管的漏极和所述的第九开关的第一
个连接端连接，所述的第十四MOS管的源极、所述的第十二MOS管的漏极和所述的第十开关的第一个连接端连接，所述的第九开关的第二个连接端、所述的第十开关的第二个连接端、所述的第十一MOS管的栅极和所述的第十二MOS管的栅极连接，所述的第五开关的第二个连...

【专利技术属性】
技术研发人员：李翔宇，汪鹏君，叶浩，李刚，
申请(专利权)人：温州大学，
类型：发明
国别省市：