一种multi-fingerMOS器件版图的EM和IR分析方法技术

一种multi

【技术实现步骤摘要】
一种multi
‑
finger MOS器件版图的EM和IR分析方法


[0001]本专利技术涉及集成电路仿真分析
，尤其涉及一种multi
‑
finger MOS器件版图的EM和IR分析方法。

技术介绍

[0002]集成电路电源分配系统的用途是提供晶体管执行芯片逻辑功能所需的电压与电流。需进行详尽的分析才能确认芯片设计的电源分配方法是否具有强韧性。VDD(电源电压)网络上的压降(IR)和VSS(地或电源负极)网络上的地线反弹会影响设计整个时序和功能，如果忽视它们的存在，很可能导致芯片设计失败。电源网格中的大电流也会引起电迁移(EM)效应，在芯片的正常寿命时间内会引起电源网格的金属线性能劣化。这些不良效应最终将造成电路故障和严重的可靠性问题。所以现在都要对芯片做EM和IR分析，优化芯片的电源网络设计。
[0003]由于Multi
‑
finger MOS(多指结构场效应晶体管)器件往往在版图中占据着一块较大的区域，现有的电迁移和电流电阻压降分析技术(EM和IR)会将multi
‑
finger MOS器件作为一个整体来进行分析，因此无法精确仿真multi
‑
finger MOS器件内部以及不同finger之间的EM和IR情况，得不到精确的分析结果。

技术实现思路

[0004]为了解决现有技术的缺陷，本专利技术的目的在于提供一种multi
‑
finger MOS器件版图的EM和IR分析方法，对版图图形中multi
‑
finger MOS器件进行分割，形成MOS器件阵列，从而能够对版图进行精确的EM和IR分析，帮助设计人员有效查找问题。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术提供的multi
‑
finger MOS器件版图的EM和IR分析方法，包括以下步骤：
[0006]获取原始版图信息；
[0007]对栅极图层的几何图形进行矩形化处理；
[0008]利用源极图层、漏极图层的几何图形过滤栅极图层的矩形；
[0009]根据栅极图层图形的宽长比确定处理后MOS器件的方向；
[0010]计算处理后MOS器件的宽度以及对应阵列的行数和列数，得到MOS器件阵列的坐标位置信息；
[0011]删除原始的multi
‑
finger MOS器件区域，根据所述MOS器件阵列的坐标位置信息生成新的MOS器件阵列；
[0012]对含有所述新的MOS器件阵列的版图提取寄生参数信息；
[0013]根据所述寄生参数信息，进行EM和IR分析，输出分析结果。
[0014]进一步地，所述原始版图信息，包括：栅极图层的几何信息、漏极图层的几何信息、栅极图层的几何信息、以及对应multi
‑
finger MOS器件区域的finger属性信息。
[0015]进一步地，所述利用源极图层、漏极图层的几何图形过滤栅极图层的矩形的步骤，
进一步地包括：如果栅极图层几何图形的两侧不存在与之相交或相邻的源极图形和漏极图形，则过滤掉所述栅极图形，否则予以保留。
[0016]进一步地，所述根据栅极图层图形的宽长比确定处理后MOS器件的方向的步骤，进一步包括：根据栅极图层中矩形的X方向和Y方向的长度比来确定经过处理后的MOS器件的方向，当X方向和Y方向的长度比小于1，则MOS器件的方向为Y方向，否则MOS器件的方向为X方向。
[0017]进一步地，所述计算处理后MOS器件的宽度以及对应阵列的行数和列数，得到MOS器件阵列的坐标位置信息的步骤，进一步地包括：
[0018]处理后的MOS器件的宽度等于MOS器件总宽度与finger的个数之比；
[0019]MOS器件阵列的列数等于过滤后栅极图形的个数；
[0020]MOS器件阵列的行数等于finger的个数与MOS器件阵列的列数之比。
[0021]更进一步地，所述对含有所述新的MOS器件阵列的版图提取寄生参数信息的步骤，包括提取寄生电阻及坐标信息。
[0022]为了实现上述目的，本专利技术还提供一种电子设备，包括存储器、处理器，所述存储器上存储有在所述处理器上运行的程序，所述处理器运行所述程序时执行如上所述的multi
‑
finger MOS器件版图的EM和IR分析方法的步骤。
[0023]为了实现上述目的，本专利技术还提供一种计算机可读存储介质，其上储存有计算机程序，所述程序被处理器执行时实现如上所述的multi
‑
finger MOS器件版图的EM和IR分析方法。
[0024]本专利技术提供的multi
‑
finger MOS器件版图的EM和IR分析方法，与现有技术相比具有如下有益效果：
[0025]基于原始版图对multi
‑
finger MOS器件区域进行分割，生成MOS器件阵列，进而对含有该MOS器件阵列的版图进行EM和IR分析，极大简化了对multi
‑
finger MOS器件版图做精确EM和IR分析的流程，无需人工修正版图，即可完成对multi
‑
finger MOS器件版图的EM和IR的精确分析。
[0026]本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。
附图说明
[0027]附图用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，并与本专利技术的实施例一起，用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的限制。在附图中：
[0028]图1为根据本专利技术的multi
‑
finger MOS器件版图的EM和IR分析方法流程图；
[0029]图2为根据本专利技术的原始multi
‑
finger MOS版图示意图；
[0030]图3为根据本专利技术的栅极图层几何图形矩形化示意图；
[0031]图4为根据本专利技术的过滤栅极图形后示意图；
[0032]图5为根据本专利技术的生成MOS器件阵列示意图；
[0033]图6为根据本专利技术的电子设备结构示意图。
具体实施方式
[0034]以下结合附图对本专利技术的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0035]下面将参照附图更详细地描述本专利技术的实施例。虽然附图中显示了本专利技术的某些实施例，然而应当理解的是，本专利技术可以通过各种形式来实现，而且不应该被解释为限于这里阐述的实施例，相反提供这些实施例是为了更加透彻和完整地理解本专利技术。应当理解的是，本专利技术的附图及实施例仅用于示例性作用，并非用于限制本专利技术的保护范围。
[0036]本文使用的术语“包括”及其变形是开放性包括，即“包括但不限于”。术语“基于”是“至少部分地基于”。术语“一个实施例”表示“至本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种multi
‑
finger MOS器件版图的EM和IR分析方法，包括以下步骤：获取原始版图信息；对栅极图层的几何图形进行矩形化处理；利用源极图层、漏极图层的几何图形过滤栅极图层的矩形；根据栅极图层图形的宽长比确定处理后MOS器件的方向；计算处理后MOS器件的宽度以及对应阵列的行数和列数，得到MOS器件阵列的坐标位置信息；删除原始的multi
‑
finger MOS器件区域，根据所述MOS器件阵列的坐标位置信息生成新的MOS器件阵列；对含有所述新的MOS器件阵列的版图提取寄生参数信息；根据所述寄生参数信息，进行EM和IR分析，输出分析结果。2.根据权利要求1所述的multi
‑
finger MOS器件版图的EM和IR分析方法，其特征在于，所述原始版图信息，包括：栅极图层的几何信息、漏极图层的几何信息、栅极图层的几何信息、以及对应multi
‑
finger MOS器件区域的finger属性信息。3.根据权利要求1所述的multi
‑
finger MOS器件版图的EM和IR分析方法，其特征在于，所述利用源极图层、漏极图层的几何图形过滤栅极图层的矩形的步骤，进一步地包括：如果栅极图层几何图形的两侧不存在与之相交或相邻的源极图形和漏极图形，则过滤掉所述栅极图形，否则予以保留。4.根据权利要求1所述的multi
‑
finger MOS器件版图的EM和IR分析方法，其特征在于，所述根据栅极图层图形的宽长...

【专利技术属性】
技术研发人员：盛明辉，李雷，陈志东，
申请(专利权)人：北京华大九天科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：