一种multi-fingerMOS器件版图的EM和IR分析方法技术

一种multi

【技术实现步骤摘要】
一种multi
‑
finger MOS器件版图的EM和IR分析方法


[0001]本专利技术涉及集成电路仿真分析
，尤其涉及一种multi
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finger MOS器件版图的EM和IR分析方法。

技术介绍

[0002]集成电路电源分配系统的用途是提供晶体管执行芯片逻辑功能所需的电压与电流。需进行详尽的分析才能确认芯片设计的电源分配方法是否具有强韧性。VDD(电源电压)网络上的压降(IR)和VSS(地或电源负极)网络上的地线反弹会影响设计整个时序和功能，如果忽视它们的存在，很可能导致芯片设计失败。电源网格中的大电流也会引起电迁移(EM)效应，在芯片的正常寿命时间内会引起电源网格的金属线性能劣化。这些不良效应最终将造成电路故障和严重的可靠性问题。所以现在都要对芯片做EM和IR分析，优化芯片的电源网络设计。
[0003]由于Multi
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finger MOS(多指结构场效应晶体管)器件往往在版图中占据着一块较大的区域，现有的电迁移和电流电阻压降分析技术(EM和IR)会将multi
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种multi
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finger MOS器件版图的EM和IR分析方法，包括以下步骤：获取原始版图信息；对栅极图层的几何图形进行矩形化处理；利用源极图层、漏极图层的几何图形过滤栅极图层的矩形；根据栅极图层图形的宽长比确定处理后MOS器件的方向；计算处理后MOS器件的宽度以及对应阵列的行数和列数，得到MOS器件阵列的坐标位置信息；删除原始的multi
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finger MOS器件区域，根据所述MOS器件阵列的坐标位置信息生成新的MOS器件阵列；对含有所述新的MOS器件阵列的版图提取寄生参数信息；根据所述寄生参数信息，进行EM和IR分析，输出分析结果。2.根据权利要求1所述的multi
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finger MOS器件版图的EM和IR分析方法，其特征在于，所述原始版图信息，包括：栅极图层的几何信息、漏极图层的几何信息、栅极图层的几何信息、以及对应multi
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finger MOS器件区域的finger属性信息。3.根据权利要求1所述的multi
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finger MOS器件版图的EM和IR分析方法，其特征在于，所述利用源极图层、漏极图层的几何图形过滤栅极图层的矩形的步骤，进一步地包括：如果栅极图层几何图形的两侧不存在与之相交或相邻的源极图形和漏极图形，则过滤掉所述栅极图形，否则予以保留。4.根据权利要求1所述的multi
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finger MOS器件版图的EM和IR分析方法，其特征在于，所述根据栅极图层图形的宽长...

【专利技术属性】
技术研发人员：盛明辉，李雷，陈志东，
申请(专利权)人：北京华大九天科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：