一种切割保护液、其制备方法与应用技术

本申请公开了一种切割保护液、其制备方法与应用，切割保护液包括高分子聚合物和有机溶剂；高分子聚合物具有键合有烷氧基硅烷的第一分子链、键合有疏水基团的第二分子链和键合有亲水基团的第三分子链，第一分子链、第二分子链和第三分子链依次连接。该切割保护液能够适应于不同形状的基材，贴合基材表面，在基材表面形成完整的保护膜；并且，该保护膜具有碱敏感性，在切割工艺完成后，保护膜能够被碱性溶剂完整除去，清洗工艺简单。清洗工艺简单。清洗工艺简单。

【技术实现步骤摘要】
一种切割保护液、其制备方法与应用


[0001]本申请属于芯片切割
，具体涉一种切割保护液、其制备方法与应用。

技术介绍

[0002]GaAs基芯片普遍具有高深宽比结构，当激光切割保护液用在具有高深宽比结构芯片时，会出现底部切割道炸裂或台阶边缘保护不住熔渣残留的问题，因此需要开发一种能同时保护GaAs芯片底部切割道、台阶边缘的激光切割保护液。

技术实现思路

[0003]申请目的：本申请提供一种切割保护液、其制备方法与应用，旨在能同时保护GaAs芯片底部切割道和台阶边缘，提高半导体制造过程中的良品率和生产率。
[0004]技术方案：本申请的一种切割保护液，包括高分子聚合物和有机溶剂；所述高分子聚合物具有键合有烷氧基硅烷的第一分子链、键合有疏水基团的第二分子链和键合有亲水基团的第三分子链，所述第一分子链、所述第二分子链和所述第三分子链依次连接。
[0005]在一些实施例中，所述烷氧基硅烷选自甲氧基硅烷、乙氧基硅烷和丙氧基硅烷中的至少一种；和/或
[0006]所述疏水基团选自甲基、乙基中的至少一种；和/或
[0007]所述亲水基团选自酯基、羧基、羟基中的至少一种。
[0008]在一些实施例中，所述第一分子链选自烯烃的结构单元；所述第二分子链选自丙烯酸的结构单元；所述第三分子链选自丙烯酸的结构单元。
[0009]在一些实施例中，以质量份计，包括：8～35份的高分子聚合物、50～100份的有机溶剂、0.1～2份的增韧剂、0.001～0.005份的无机粒子和0.1～0.5份的紫外线吸收剂。
[0010]在一些实施例中，所述高分子聚合物的分子量为5000～50000；和/或
[0011]所述增韧剂选自羧基液体丁腈橡胶、端羧基液体丁腈橡胶、聚硫橡胶、液体硅橡胶、羧基丁腈橡胶、氯丁橡胶、丙烯酸酯橡胶中的至少一种；和/或
[0012]所述无机粒子选自纳米碳酸钙、纳米二氧化硅、纳米二氧化钛中的至少一种；和/或
[0013]所述紫外线吸收剂选自2,2
‑
二羟基
‑
4,4
‑
二甲氧基二苯甲酮
‑
5,5
‑
二磺酸钠、邻羟基苯甲酸苯酯、邻硝基苯胺中的至少一种；和/或
[0014]所述有机溶剂选自甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、叔丁醇、异丁醇、乙醚、甲基乙基醚、二正丁醚、丙二醇甲醚、乙二醇丙醚、乙酸乙酯、乙酸正丁酯中的至少一种。
[0015]在一些实施例中，所述增韧剂选自丙烯酸酯橡胶，所述无机粒子选自纳米碳酸钙，且所述丙烯酸酯橡胶与所述纳米碳酸钙的质量比为(100
‑
500):1；和/或
[0016]所述有机溶剂选自异丙醇和丙二醇甲醚，且所述异丙醇与所述丙二醇甲醚的质量比为(1
‑
20):1。
[0017]在一些实施例中，本申请还提供一种切割保护液的制备方法，包括以下步骤：
[0018]步骤一、取反应溶剂、第一单体、第二单体、第三单体混合，再加入引发剂，反应得到高分子聚合物；
[0019]步骤二、分别称取8～35份的高分子聚合物、0.1～2份的增韧剂，0.001～0.005份的无机粒子、0.1～0.5份的紫外线吸收剂和50～100份的有机溶剂，混合、搅拌后，制备得到切割保护液。
[0020]在一些实施例中，所述第一单体选自γ
‑
甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三异丙氧基硅烷中的至少一种；
[0021]所述第二单体选自甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸月桂酯、甲基丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸十八烷基酯中的至少一种；
[0022]所述第三单体选自丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸
‑2‑
乙基己酯、丙烯酸月桂酯中的至少一种。
[0023]在一些实施例中，所述第一单体、所述第二单体、所述第三单体、所述引发剂和所述乙酸乙酯的摩尔比为(1
‑
5):(1
‑
10):(1
‑
5):(0.01
‑
0.05)
:
(15
‑
20)；
[0024]所述步骤一中，反应温度为50
‑
110℃，反应时间为6
‑
8h；
[0025]所述步骤二中，搅拌速度为200
‑
500rpm，搅拌时间为1
‑
5h。
[0026]在一些实施例中，本申请还提供所述的切割保护液在wafer切割中的应用。
[0027]有益效果：与现有技术相比，本申请的切割保护液中包括了具有烷氧基硅烷的第一分子链、疏水基团的第二分子链和亲水基团的第三分子链，其中，烷氧基硅烷提高了切割保护液的附着力，疏水基团提高了切割保护液的耐水性，亲水基团提高了切割保护液的成膜性，该切割保护液能够适应于不同形状的基材，贴合基材表面，在基材表面形成完整的保护膜；并且，该保护膜具有碱敏感性，在切割工艺完成后，保护膜能够被碱性溶剂完整除去，清洗工艺简单。
[0028]可以理解的是，与现有技术相比，本申请实施例提供的切割保护液的制备方法以及切割保护液的应用具有上述组合物的所有技术特征以及有益效果，在此不再赘述。
附图说明
[0029]下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
[0030]图1是用实施例9的切割保护液涂布后放大倍率500倍显微镜图片；
[0031]图2是用对比例1的切割保护液涂布后放大倍率500倍显微镜图片；
[0032]图3为实施例9的切割保护液的紫外光谱。
具体实施方式
[0033]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0034]在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机
械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个特征。
[0035]下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种切割保护液，其特征在于，包括高分子聚合物和有机溶剂；所述高分子聚合物具有键合有烷氧基硅烷的第一分子链、键合有疏水基团的第二分子链和键合有亲水基团的第三分子链，所述第一分子链、所述第二分子链和所述第三分子链依次连接。2.根据权利要求1所述的切割保护液，其特征在于，所述烷氧基硅烷选自甲氧基硅烷、乙氧基硅烷和丙氧基硅烷中的至少一种；和/或所述疏水基团选自甲基、乙基中的至少一种；和/或所述亲水基团选自酯基、羧基、羟基中的至少一种。3.根据权利要求1所述的切割保护液，其特征在于，所述第一分子链选自烯烃的结构单元；所述第二分子链选自丙烯酸的结构单元；所述第三分子链选自丙烯酸的结构单元。4.根据权利要求1所述的切割保护液，其特征在于，以质量份计，包括：8～35份的高分子聚合物、50～100份的有机溶剂、0.1～2份的增韧剂、0.001～0.005份的无机粒子和0.1～0.5份的紫外线吸收剂。5.根据权利要求4所述的切割保护液，其特征在于，所述高分子聚合物的分子量为5000～50000；和/或所述增韧剂选自羧基液体丁腈橡胶、端羧基液体丁腈橡胶、聚硫橡胶、液体硅橡胶、羧基丁腈橡胶、氯丁橡胶、丙烯酸酯橡胶中的至少一种；和/或所述无机粒子选自纳米碳酸钙、纳米二氧化硅、纳米二氧化钛中的至少一种；和/或所述紫外线吸收剂选自2,2
‑
二羟基
‑
4,4
‑
二甲氧基二苯甲酮
‑
5,5
‑
二磺酸钠、邻羟基苯甲酸苯酯、邻硝基苯胺中的至少一种；和/或所述有机溶剂选自甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、叔丁醇、异丁醇、乙醚、甲基乙基醚、二正丁醚、丙二醇甲醚、乙二醇丙醚、乙酸乙酯、乙酸正丁酯中的至少一种。6.根据权利要求5所述的切割保护液，其特征在于，所述增韧剂选自丙烯酸酯橡胶，所述无机粒子选自纳米碳酸钙，且所述丙烯酸酯橡胶与所述纳米碳酸钙的质...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯军，褚雨露，马超男，张楠，
申请(专利权)人：江苏奥首材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：