发光装置及载置部件制造方法及图纸

实现有助于装置的小型化的载置部件。发光装置具备：半导体激光元件；以及基台，具有绝缘性的基板、第一金属层以及第二金属层，在设置第一金属层的一侧配置半导体激光元件，绝缘性的基板具有第一面与第一面的相反侧的第二面，而且，在从与第一面垂直的方向观察的俯视时，具有与第一方向垂直的第二方向的宽度大于第一方向的宽度的形状，第一金属层设于第一面，第二金属层设于第二面，而且，第一方向的宽度比第一金属层小，并且第二方向上的第一金属层的宽度与第二金属层的宽度之差小于第一方向上的第一金属层的宽度与第二金属层的宽度之差。差。差。

【技术实现步骤摘要】
发光装置及载置部件


[0001]本专利技术涉及发光装置及载置部件。

技术介绍

[0002]例如已知有在基台(submount)上安装有激光元件的发光装置。激光元件等电子部件载置于基台等载置部件而组装于装置的情况也不少。
[0003]在专利文献1中，公开了搭载激光元件的基台，该基台在AlN基板的表背面分别形成有镀铜。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2021－44468

技术实现思路

[0007]专利技术将要解决的课题
[0008]为了实现装置的小型化，载置部件有改进的余地。
[0009]用于解决课题的手段
[0010]在一实施方式中，公开一种发光装置，具备：半导体激光元件；以及基台，其具有绝缘性的基板、第一金属层及第二金属层，在设置所述第一金属层的一侧配置所述半导体激光元件，所述绝缘性的基板具有第一面、与所述第一面的相反侧的第二面，而且，在从与所述第一面垂直的方向观察的俯视时，具有与所述第一方向垂直的第二方向的宽度大于第一方向本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光装置，其特征在于，具备：半导体激光元件；以及基台，其具有绝缘性的基板、第一金属层及第二金属层，在设置所述第一金属层的一侧配置所述半导体激光元件，所述绝缘性的基板具有第一面、与所述第一面的相反侧的第二面，而且，在从与所述第一面垂直的方向观察的俯视时，具有与所述第一方向垂直的第二方向的宽度大于第一方向的宽度的形状，所述第一金属层设于所述第一面，所述第二金属层设于所述第二面，而且，所述第一方向的宽度比所述第一金属层小，并且所述第二方向上的所述第一金属层的宽度与所述第二金属层的宽度之差小于所述第一方向上的所述第一金属层的宽度与所述第二金属层的宽度之差。2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第一方向上的所述第一金属层的宽度与所述第二金属层的宽度之差大于50μm，所述第二方向上的所述第一金属层的宽度与所述第二金属层的宽度之差小于50μm。3.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，所述半导体激光元件的所述第二方向的宽度大于所述第一方向的宽度。4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光装置，其特征在于，所述基台具有设于所述第一金属层之上的布线层。5.根据权利要求1至4中任一项所述的发光装置，其特征在于，所述第一金属层的厚度为30μm以上。6.根据权利要求1至5中任一项所述的发光装置，其特征在于，所述第二金属层的厚度为30μm以上。7.根据权利要求1至6中任一项所述的发光装置，其特征在于，所述第一金属层以及所述第二金属层的所述第一方向的宽度比所述半导体激光元件的所述第一方向的宽度大。8.根据权利要求1至7中任一项所述的发光装置，其特征在于，所述第一方向上的所述第一金属层的宽度与所述第二金属层的宽度之差比所述第一方向上的所述半导体激光元件的宽度小。9.根据权利要求1至8中任一项所述的发光装置，其特征在于，配置有所述半导体激光元件的所述基台在所述第一方向上排列地配置有多个。10.根据权利要求1至9中任一项所述的发光装置，其特征在于，还具备基体，该基体具有供沿所述第一方向排列地配置的多个所述基台安装的安装面，多个所述基台在所述第一方...

【专利技术属性】
技术研发人员：榎本圣史，上村真德，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：