有机化合物、发光器件、发光装置制造方法及图纸

提供新颖有机化合物、发光器件及发光装置。该有机化合物由通式(G1)表示。R1至R

【技术实现步骤摘要】
fabrication using standard UV photolithography”phys.stat.sol.(RRL)2，No.1，p.16
‑
18(2008)

技术实现思路

[0010]一般而言，在发光器件的电子注入层中使用功函数小的锂(Li)等碱金属或该碱金属的化合物。并且，通过使用上述碱金属或其化合物可以确保良好的电子注入性。另外，由于上述碱金属或其化合物与电子传输性材料的相互作用，可以确保电荷产生能力而将电子注入到电子传输层。因此，通过将上述碱金属或其化合物用于电子注入层，可以实现器件的低电压化。
[0011]但是，上述碱金属或其化合物是容易氧化且不稳定的材料。因此，有如下问题：如果在发光器件的制造工序中与水或氧等大气成分等起反应，则导致发光器件的驱动电压的大幅上升或发光效率的显著降低。因此，有机EL器件需要在真空或氮等惰性气体的气氛下制造。
[0012]尤其是，串联发光器件具有夹着中间层多个发光层串联层叠的结构，该中间层包括碱金属或该碱金属的化合物的层以将电子注入到与阳极一侧接触的发光单元。另一方面，在单发光器件中，可以在将有机化合物层加工为规定形状之后形成包括碱金属或该碱金属的化合物的层的结构。因此，与单发光器件相比，在串联发光器件中碱金属或该碱金属的化合物的层与水或氧等大气成分起反应的盖然性高。
[0013]近年来，作为将有机化合物层制造成规定形状的方法之一，广泛地采用使用金属掩模的真空蒸镀法(掩模蒸镀)。但是，随着高密度化、高精细化的进展，由于以位置对准精度、与衬底的配置间隔的问题为代表的各种原因，掩模蒸镀的进一步的高精细化接近极限。另一方面，通过利用光刻法加工有机化合物膜的形状，可以形成更致密的图案。在该方法中，由于大面积化也容易，所以进行有关使用光刻法的有机化合物膜的加工的研究。
[0014]例如，也可以利用光刻法等平版印刷术制造本专利技术的一个方式的发光器件。在利用光刻法进行制造时，至少第二发光层和比第二发光层更靠近第一电极一侧的有机化合物层同时被加工，因此具有其端部在垂直方向上大致对齐的形状。
[0015]另外，当利用光刻法制造串联发光器件时，在加工工序中中间层被暴露于大气、抗蚀剂树脂、水或药液等。在中间层的N型层中包含碱金属或该碱金属的化合物的器件中，由于该工序而N型层劣化而导致特性的大幅下降。就是说，由于中间层中的碱金属或该碱金属的化合物的层被暴露于光刻工序，导致驱动电压的大幅上升以及发光效率的显著降低。
[0016]本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的有机化合物。本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种设计自由度高的半导体装置。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种制造工艺中的设计自由度高的半导体装置。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种可靠性高的发光器件。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种功耗低的发光器件、发光装置、电子设备、显示装置及电子器件。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种功耗低且可靠性高的发光器件、发光装置、电子设备、显示装置及电子器件。
[0017]注意，上述目的的记载不妨碍其他目的的存在。注意，本专利技术的一个方式并不需要实现所有上述目的。另外，说明书、附图以及权利要求书等的记载中显然存在上述目的以外
的目的，可以从说明书、附图以及权利要求书等的记载中获得上述目的以外的目的。
[0018]本专利技术的一个方式是一种由通式(G1)表示的有机化合物。
[0019][化学式1][0020]在上述通式(G1)中，R1至R
16
分别独立地表示氢(包括氘)、取代或未取代的碳原子数为1至10的直链烷基、取代或未取代的碳原子数为3至10的支链烷基、取代或未取代的碳原子数为1至10的烷氧基、取代或未取代的碳原子数为3至12的环烷基、取代或未取代的碳原子数为4至10的具有交联结构的环烷基、碳原子数为3至12的三烷基硅基、取代或未取代的碳原子数为6至30的芳基和取代或未取代的碳原子数为3至30的杂芳基中的任一个，R1至R
16
中的至少一个表示由下述通式(g1
‑
1)表示的取代基，上述通式(G1)的R1至R
16
中的一个或两个以上表示氢(包括氘)及由下述通式(g1
‑
1)表示的取代基以外的取代基。
[0021][化学式2][0022]在上述通式(g1
‑
1)中，氢也可以为氘。另外，*表示键。
[0023]在上述有机化合物中，氢(包括氘)及通式(g1
‑
1)以外的取代基的数量等于或多于由通式(g1
‑
1)表示的取代基的数量。
[0024]本专利技术的一个方式是一种由通式(G2)或通式(G3)表示的有机化合物。
[0025][化学式3][0026][化学式4][0027]在上述通式(G2)及(G3)中，R1至R
12
分别独立地表示氢(包括氘)、取代或未取代的碳原子数为1至10的直链烷基、取代或未取代的碳原子数为3至10的支链烷基、取代或未取代的碳原子数为1至10的烷氧基、取代或未取代的碳原子数为3至12的环烷基、取代或未取代的碳原子数为4至10的具有交联结构的环烷基和碳原子数为3至12的三烷基硅基中的任一个。注意，上述通式(G2)的R1至R
12
中的一个以上及通式(G3)的R1至R8中的一个以上表示氢(包括氘)以外的取代基。另外，上述通式(G2)及(G3)中的氢也可以为氘。
[0028]本专利技术的一个方式是一种由通式(G4)表示的有机化合物。
[0029][化学式5][0030]在上述通式(G4)中，R1至R
14
及R
16
分别独立地表示氢(包括氘)、取代或未取代的碳原子数为1至10的直链烷基、取代或未取代的碳原子数为3至10的支链烷基、取代或未取代的碳原子数为1至10的烷氧基、取代或未取代的碳原子数为3至12的环烷基、取代或未取代的碳原子数为4至10的具有交联结构的环烷基和碳原子数为3至12的三烷基硅基中的任一个，上述通式(G4)的R1至R
14
以及R
16
中的一个以上表示氢(包括氘)以外的取代基。另外，上述通式(G4)中的氢也可以为氘。
[0031]本专利技术的一个方式是一种由通式(G5)表示的有机化合物。
[0032][化学式6][0033]在上述通式(G5)中，R1至R9、R
11
至R
14
及R
16
分别独立地表示氢(包括氘)、取代或未取
代的碳原子数为1至10的直链烷基、取代或未取代的碳原子数为3至10的支链烷基、取代或未取代的碳原子数为1至10的烷氧基、取代或未取代的碳原子数为3至12的环烷基、取代或未取代的碳原子数为4至10的具有交联结构的环烷基、碳原子数为3至12的三烷基硅基中的任一个，上述通式(G5)的R1至R9、R
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种由通式(G1)表示的有机化合物：其中，R1至R
16
分别独立地表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至10的直链烷基、取代或未取代的碳原子数为3至10的支链烷基、取代或未取代的碳原子数为1至10的烷氧基、取代或未取代的碳原子数为3至12的环烷基、取代或未取代的碳原子数为4至10的具有交联结构的环烷基、碳原子数为3至12的三烷基硅基、取代或未取代的碳原子数为6至30的芳基和取代或未取代的碳原子数为3至30的杂芳基中的任一个，R1至R
16
中的至少一个表示由通式(g1
‑
1)表示的取代基：通式(G1)的R1至R
16
中的一个以上表示氢及所述由通式(g1
‑
1)表示的取代基以外的取代基，并且，*表示键。2.根据权利要求1所述的有机化合物，其中通式(G1)的R1至R
16
中的两个以上表示氢及所述由通式(g1
‑
1)表示的取代基以外的取代基。3.根据权利要求1所述的有机化合物，其中氢及所述由通式(g1
‑
1)表示的取代基以外的取代基的数量等于或多于由通式(g1
‑
1)表示的取代基的数量。4.根据权利要求1所述的有机化合物，其中在通式(g1
‑
1)中包括至少一个氘原子。5.根据权利要求1所述的有机化合物，其中在一个大气压、室温下，所述有机化合物的重量分数的水中溶解度为1.0
×
10
‑8g/mL以上且小于2.3
×
10
‑6g/mL。6.根据权利要求1所述的有机化合物，其中在一个大气压、室温下，所述有机化合物的重量分数的水中溶解度为1.0
×
10
‑6g/mL以上且小于3.9
×
10
‑4g/mL。7.根据权利要求1所述的有机化合物，其中在一个大气压、室温下，所述有机化合物的重量分数的水中溶解度为5.8
×
10
‑5g/mL以上且小于6.1
×
10
‑5g/mL。8.根据权利要求1所述的有机化合物，其中在一个大气压、室温下，所述有机化合物的水中溶解度为1，1
’‑
(9，9
’‑
螺二[9H
‑
芴]
‑
2，7
‑
二基)双(1，3，4，6，7，8
‑
六氢
‑
2H
‑
嘧啶并[1，2
‑
a]嘧啶)的水中溶解度的1/5以下。9.一种由通式(G2)或通式(G3)表示的有机化合物：
其中，R1至R
12
分别独立地表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至10的直链烷基、取代或未取代的碳原子数为3至10的支链烷基、取代或未取代的碳原子数为1至10的烷氧基、取代或未取代的碳原子数为3至12的环烷基、取代或未取代的碳原子数为4至10的具有交联结构的环烷基和碳原子数为3至12的三烷基硅基中的任一个，并且，通式(G2)的R1至R
12
中的一个以上以及通式(G3)的R1至R8中的一个以上表示氢以外的取代基。10.根据权利要求9所述的有机化合物，其中所述有机化合物由通式(G4)表示：其中R1至R
14
及R
16
分别独立地表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至10的直链烷基、取代或未取代的碳原子数为3至10的支链烷基、取代或未取代的碳原子数为1至10的烷氧基、取代或未取代的碳原子数为3至12的环烷基、取代或未取代的碳原子数为4至10的具有交联结构的环烷基和碳原子数为3至12的三烷基硅基中的任一个，并且通式(G4)的R1至R
14

【专利技术属性】
技术研发人员：春山拓哉，川上祥子，吉安唯，大泽信晴，渡部刚吉，吉住英子，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：