半导体装置的制造方法制造方法及图纸

提供一种电特性良好的半导体装置的制造方法。半导体装置通过如下工序制造：形成包含金属氧化物的半导体层的第一工序；形成第一绝缘层的第二工序；在第一绝缘层上形成第一导电膜的第三工序；通过对第一导电膜的一部分进行蚀刻来形成第一导电层，形成第一导电层重叠于半导体层上的第一区域以及第一导电层不重叠与半导体层上的第二区域的第四工序；以及对导电层进行第一处理的第五工序。第一处理是在包括含有氧元素而不含有氢元素的第一气体与含有氢元素而不含有氧元素的第二气体的混合气体的气氛下进行的等离子体处理。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的一个方式涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法。本专利技术的一个方式涉及一种晶体管及晶体管的制造方法。注意，本专利技术的一个方式不局限于上述。作为本说明书等所公开的本专利技术的一个方式的的例子，可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、电子设备、照明装置、输入装置、输入输出装置、这些装置的驱动方法或这些装置的制造方法。半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。

技术介绍

1、作为可用于晶体管的半导体材料，使用金属氧化物的氧化物半导体受到瞩目。例如，专利文献1公开了如下半导体装置：层叠有多个氧化物半导体层，在该多个氧化物半导体层中，被用作沟道的氧化物半导体层包含铟及镓，并且铟的比例比镓的比例高，使得场效应迁移率(有时，简称为迁移率或μfe)得到提高的半导体装置。

2、由于能够用于半导体层的金属氧化物可以利用溅射法等形成，所以可以被用于构成大型显示装置的晶体管的半导体层。此外，因为可以将使用多晶硅或非晶硅的晶体管的生产设备的一部分改良而利用，所以可以抑制设备投资。此外，与使用非晶硅的晶体管相比，使用金属氧本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置的制造方法，包括：

2.一种半导体装置的制造方法，包括：

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置的制造方法，包括：

2.一种半导体装置的制造方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈崎健一，岛行德，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：