本公开提供电子装置及其制造方法。所述电子装置包括基板、多个发光组件及反射结构。多个发光组件设置于基板上。反射结构设置于基板上且位于多个发光组件中的相邻两者之间。其中，反射结构的厚度表示为Y1，多个发光组件中的相邻两者的间距的一半表示为X1，多个发光组件中的相邻两者中的一者所发射的光具有一发光角度，所述发光角度的一半表示为θ，且X1、θ与Y1符合以下关系式：X1
【技术实现步骤摘要】
电子装置及其制造方法
[0001]本公开是关于一种电子装置及其制造方法，特别是关于设置有反射结构的电子装置及其制造方法。
技术介绍
[0002]电子装置包括发光组件。
[0003]目前的电子装置通常借由涂布诸如白漆的反射漆来提高电子装置的光散射及/或反射能力。然而，受限于反射漆的涂布制程，使得反射漆的尺寸(高度、外形)都有所限制，无法进一步改善电子装置。
[0004]因此，关于电子装置及其制造方法仍有一些问题需要克服。
技术实现思路
[0005]在一些实施例中，提供电子装置。所述电子装置包括基板、多个发光组件及反射结构。多个发光组件设置于基板上。反射结构设置于基板上且位于多个发光组件中的相邻两者之间。其中，反射结构的厚度表示为Y1，多个发光组件中的相邻两者的间距的一半表示为X1，多个发光组件中的相邻两者中的一者所发射的光具有一发光角度，所述发光角度的一半表示为θ，且X1、θ与Y1符合以下关系式：
[0006]X1
×
0.5
×
tan(90
‑
θ)≤Y1≤X1
×
1.8
×
tan(90
‑
θ)。
[0007]在一些实施例中，提供电子装置。所述电子装置包括基板、多个发光组件、反射结构及反射微结构。多个发光组件设置于基板上。反射结构设置于基板上。反射结构位于多个发光组件中的相邻两者之间。反射微结构设置于反射结构上。
[0008]在一些实施例中，提供电子装置的制造方法。所述制造方法包括提供基板。设置多个发光组件于基板上。设置反射材料于基板及多个发光组件上。借由黄光制程图案化反射材料以形成位于多个发光组件中的相邻两者之间的反射结构。
附图说明
[0009]为让本专利技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本专利技术的具体实施方式作详细说明，其中：
[0010]图1根据本公开的一些实施例，显示电子装置的俯视示意图。
[0011]图2根据本公开的一些实施例，显示于图1的电子装置的A
‑‑
A
’
线段撷取的剖面示意图。
[0012]图3根据本公开的一些实施例，显示于图1的电子装置的B
‑‑
B
’
线段撷取的剖面示意图。
[0013]图4根据本公开的一些实施例，显示于图1的电子装置的C
‑‑
C
’
线段撷取的剖面示意图。
[0014]图5至图8根据本公开的另一些实施例，分别显示电子装置的C
‑‑
C
’
线段撷取的剖
面示意图。
[0015]图9A至图9F根据本公开的一些实施例，显示在制造制程的不同阶段的电子装置的剖面示意图。
[0016]图10A至图10E根据本公开的一些实施例，显示在制造制程的不同阶段的电子装置的剖面示意图。
[0017]【符号说明】
[0018]1,2,3,4,5,6,7,8:电子装置
[0019]100:基板
[0020]110:第一底膜
[0021]111:第一屏蔽
[0022]120:第二底膜
[0023]121:第二屏蔽
[0024]200:发光组件
[0025]300:反射组件
[0026]300a:第一反射组件
[0027]300b:第二反射组件
[0028]310:第一反射结构
[0029]310
’
:反射材料
[0030]311:第一底表面
[0031]312:第一顶表面
[0032]320:第二反射结构
[0033]321:第二底表面
[0034]322:第二顶表面
[0035]410:第一反射微结构
[0036]410
’
:反射微结构材料
[0037]410a:第一微结构宽度
[0038]410b:第一微结构间距
[0039]410c,420c:间距
[0040]410d:第一微结构厚度
[0041]420:第二反射微结构
[0042]420a:第二微结构宽度
[0043]420b:第二微结构间距
[0044]420d:第二微结构厚度
[0045]510:反射组件
[0046]520:保护结构
[0047]600:光学膜
[0048]d1,d1
’
,d2:最小距离
[0049]d3,d4:距离
[0050]D1:第一方向
[0051]D2:第二方向
[0052]D3:第三方向
[0053]E1,E2,E3:边界
[0054]L:光线
[0055]P:间距
[0056]S1,S2,S3,S4:侧边
[0057]SS,SS1:侧表面
[0058]SA,SB,TS:顶表面
[0059]W1:第一宽度
[0060]W2:第二宽度
[0061]W3:第三宽度
[0062]W4:第四宽度
[0063]W5:发光组件宽度
[0064]W6:最大宽度
[0065]X1:半间距
[0066]X2:周边间距
[0067]Y1:第一厚度
[0068]Y2:第二厚度
[0069]Y3:第三厚度
[0070]Y4:第四厚度
[0071]Y5:第五厚度
[0072]θ:半角度
[0073]第一角度
[0074]第二角度
具体实施方式
[0075]以下针对本公开实施例的电子装置作详细说明。应了解的是，以下的叙述提供许多不同的实施例，用以实施本公开一些实施例的不同态样。以下所述特定的组件及排列方式仅为简单清楚描述本公开一些实施例。当然，这些仅用以举例而非本公开的限定。此外，在不同实施例中可能使用类似及/或对应的标号标示类似及/或对应的组件，以清楚描述本公开。然而，这些类似及/或对应的标号的使用仅为了简单清楚地叙述本公开一些实施例，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关联性。
[0076]应理解的是，实施例中可能使用相对性用语，例如「较低」或「底部」或「较高」或「顶部」，以描述附图的一个组件对于另一组件的相对关系。可理解的是，如果将附图的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在「较低」侧的组件将会成为在「较高」侧的组件。本公开实施例可配合附图一并理解，本公开的附图亦被视为公开说明的一部分。应理解的是，本公开的附图并未按照比例绘制，事实上，可能任意的放大或缩小组件的尺寸以便清楚表现出本公开的特征。
[0077]再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，可能包含第一材料层
diode，LED)或光电二极管(photodiode本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电子装置，其特征在于，包括：一基板；多个发光组件，设置于所述基板上；以及一反射结构，设置于所述基板上且位于所述多个发光组件中的相邻两者之间，其中，所述反射结构的厚度表示为Y1，所述多个发光组件中的所述相邻两者的间距的一半表示为X1，所述多个发光组件中的所述相邻两者中的一者所发射的光具有一发光角度，所述发光角度的一半表示为θ，且X1、θ与Y1符合以下关系式：X1
×
0.5
×
tan(90
‑
θ)≤Y1≤X1
×
1.8
×
tan(90
‑
θ)。2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，更包括：一反射微结构，设置于所述反射结构上。3.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述反射结构具有邻近于所述基板的一第一表面及远离所述基板的一第二表面，且所述第一表面的宽度小于所述第二表面的宽度。4.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述反射结构的剖面外形为矩形、正梯形、倒梯形或弧边形。5.如权利要求1所述的电子装置，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴尚儒，王帅，陈华斌，郭兼豪，宋源益，黄大维，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。