【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法
[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种半导体结构的形成方法。
技术介绍
[0002]在现有的半导体领域中，鳍式场效应晶体管(FinFET)是一种新兴的多栅器件，与平面式的金属
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氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)相比，鳍式场效应晶体管具有更强的短沟道抑制能力，具有更强的工作电流，现已广泛应用于半导体各种器件中。但随着半导体工艺的进一步发展，晶体管尺度缩小到几纳米以下，FinFET本身的尺寸已经缩小至极限后，无论是鳍片距离、短沟道效应、还是漏电和材料极限也使得晶体管制造变得岌岌可危，甚至物理结构都无法完成。
[0003]环绕式栅极(gate
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around，GAA)器件成为行业内研究和发展的一个新方向。这项技术的特点是实现了栅极对沟道的四面包裹，源极和漏极不再和基底接触，而是利用线状(可以理解为棍状)或者平板状、片状等多个源极和漏极横向垂直于栅极分布后，实现MOSFET的基本结构和功能。这样设计在很大程度上解决了...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括第一区和第二区，所述第一区上和所述第二区上分别具有若干相互分立的初始复合结构，所述初始复合结构包括沿所述基底表面的法线方向交替堆叠的若干初始牺牲层和若干初始沟道层；在所述第一区上的若干初始复合结构表面形成第一掺杂膜、以及位于所述第一掺杂膜表面的第一隔离层，所述第一掺杂膜的材料内含有第一粒子；在所述第一隔离层表面和第二区上的若干初始复合结构表面形成第二掺杂膜，所述第二掺杂膜的材料内含有第二粒子；形成所述第二掺杂膜之后，进行第一热处理，驱动所述第一粒子掺杂入第一区上的初始复合结构内，并驱动所述第二粒子掺杂入第二区上的初始复合结构内，在所述第一区上形成若干相互分立的第一复合结构，并在所述第二区上形成若干相互分立的第二复合结构。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一热处理的工艺包括退火工艺。3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一热处理的工艺参数包括：时长的范围为1秒～30秒。4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一热处理的工艺参数包括：温度的范围为600摄氏度～1100摄氏度。5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一复合结构包括沿所述基底表面的法线方向交替堆叠的若干第一牺牲层和若干第一沟道层，所述第一牺牲层和第一沟道层内掺杂所述第一粒子，所述第二复合结构包括沿所述基底表面的法线方向交替堆叠的若干第二牺牲层和若干第二沟道层，所述第二牺牲层和第二沟道层内掺杂所述第二粒子。6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：第一热处理之后，去除所述第一牺牲层；在去除所述第一牺牲层之后，在所述第一区上形成横跨若干第一沟道层的第一栅结构、以及位于所述第一栅结构两侧的第一沟道层内的第一源漏结构，所述第一栅结构包围每个第一沟道层，所述第一栅结构的侧壁面具有第一栅侧墙；第一热处理之后，去除所述第二牺牲层；在去除所述第二牺牲层之后，在所述第二区上形成横跨若干第二沟道层的第二栅结构、以及位于所述第二栅结构两侧的第二沟道层内的第二源漏结构，且所述第二栅结构包围每个第二沟道层，所述第二栅结构的侧壁面具有第二栅侧墙。7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一掺杂膜与所述第一区上的若干初始复合结构的顶面及侧壁面接触。8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二掺杂膜与所述第二区上的若干初始复合结构的顶面及侧壁面接触。9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底与每个所述初始复合结构之间具有隔离鳍，并且，所述半导体结构的形成方法还包括：在形成所述第二掺杂膜之前，在所述基底的表面和相邻的隔离鳍之间形成第一底部隔离层。10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一底部隔离层的表面齐平于所述初始复合结构的底面。
11.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一掺杂膜、所述第一隔离层和所述第一底部隔离层的形成方法包括：在形成所述第一掺杂膜和所述第一隔离层之前，在所述基底、相邻的隔离鳍之间、以及若干所述初始复合结构的表面形成初始底部隔离层；对第一区上的初始底部隔离层进行刻蚀，直至暴露出第一区上的若...
【专利技术属性】
技术研发人员：苏博，于海龙，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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