【技术实现步骤摘要】
气体输送系统及半导体处理装置
[0001]本技术涉及半导体加工
,具体涉及一种气体输送系统及半导体处理装置。
技术介绍
[0002]在使用沉积方法,如:原子层沉积(Atomic Layer Deposition,以下简称ALD)方法在真空反应腔内的衬底表面生成薄膜时,为了使制备成的薄膜的台阶覆盖率(step coverage)更高,需要在短时间内向真空反应腔内输送大量工艺气体。目前,为达到这一目的,常用的方法是在气体输送系统中设置一缓冲罐,利用该缓冲罐储存工艺气体至高压,再通过快速响应阀门释放该高压工艺气体,从而达到向真空反应腔内快速输送大量工艺气体的目的。
[0003]目前,多种工艺制程的不同需求对缓冲罐的适应性提出了更高要求,根据不同的工艺制程,需要采用不同体积的缓冲罐:缓冲罐体积较小时,罐内压力容易升高,可在短时间内形成高压工艺气体,单位时间内向真空反应腔提供更多的工艺气体,从而减少工艺时间,因此适用于追求快速的制程;缓冲罐体积较大时,其总容量高,释放高压气体的时间也相对较长(如10s),因此适用于追求更 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种气体输送系统,其特征在于,包括:缓冲罐;至少一个密封截断阀,设置在所述缓冲罐内部与缓冲罐的内侧壁密封,用于将所述缓冲罐分隔为至少两个密封的缓冲单元;至少两个缓冲单元沿第一方向排布,所述缓冲罐的同一个缓冲单元上设置有进气口和出气口;阀开关,用于控制所述密封截断阀的开关,以连通或密封相邻的两个缓冲单元;气体输入管道,其一端与所述进气口连通,另一端与一气体源相连;气体输出管道,其一端与所述出气口连通,另一端与一反应腔连通。2.如权利要求1所述的气体输送系统,其特征在于,每个所述缓冲单元的容积为200mL~500mL。3.如权利要求1所述的气体输送系统,其特征在于,每个所述缓冲单元包括罐体和与罐体连通的气体通道,相邻两个缓冲单元分别通过其气体通道连通且一体成型。4.如权利要求3所述的气体输送系统,其特征在于,每个所述缓冲单元的气体通道的横截面小于其罐体的横截面。5.如权利要求4所述的气体输送系统,其特征在于,所述密封截断阀设置在所述缓冲单元的气体通道处。6.如权利要求1或4所述的气体输送系统,其特征在于,所述密封截断阀为闸板阀,该闸板阀与所述缓冲罐活动密封连接,在闸板阀的外侧壁与缓冲罐的内侧壁上均设有密封圈。7.如权利要求1或4所述的气体输送系统,其特征在于,所述密封截断阀为隔膜阀。8.如权利要求1或4所述的气体输送系统,其特征在于,所...
【专利技术属性】
技术研发人员:许灿,
申请(专利权)人:中微半导体设备上海股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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