本申请提供一种反相器及其制备方法、半导体器件、芯片、终端设备，反相器包括衬底以及位于其上方堆叠的具有的第二栅极和第二沟道的n型场效应管和具有第一栅极和第一沟道的p型场效应管，第一沟道和第二沟道中均具有与衬底的顶部表面垂直的(110)晶面和与衬底的顶部表面平行的(100)晶面，第一沟道沿第一方向的尺寸大于沿第二方向的尺寸，第二沟道沿第一方向的尺寸小于沿第二方向的尺寸，且第一沟道沿第一方向的尺寸大于第二沟道沿第一方向的尺寸；第一栅极覆盖第一表面和第二表面中的至少一个，第二栅极覆盖第三表面和第四表面中的至少一个。本申请方案可提升p型场效应管中的空穴迁移率，提升电性能，还可提高反相器的微缩性能。还可提高反相器的微缩性能。还可提高反相器的微缩性能。还可提高反相器的微缩性能。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
【专利技术属性】
技术研发人员：万光星，尹晓艮，黄威森，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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