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本申请提供一种反相器及其制备方法、半导体器件、芯片、终端设备，反相器包括衬底以及位于其上方堆叠的具有的第二栅极和第二沟道的n型场效应管和具有第一栅极和第一沟道的p型场效应管，第一沟道和第二沟道中均具有与衬底的顶部表面垂直的(110)晶面和与...
该专利属于华为技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华为技术有限公司授权不得商用。

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