本申请提供了一种静电吸盘以及等离子体刻蚀装置，该静电吸盘包括：基座、加热层、吸附层，以及由第一胶接层和第二胶接层组成的胶接层，加热层位于第一胶接层和第二胶接层之间，还包括环绕覆盖胶接层裸露侧面的陶瓷密封环。在胶接层指向陶瓷密封环的方向上，陶瓷密封环的长度变大。由上述可知，上述静电吸盘采用陶瓷密封环，并且该陶瓷密封环与吸附层和/或基座的接触面积较小，从而能够减小陶瓷密封环的导热能力，使得陶瓷密封环能够对静电吸盘的边缘起到保温作用，降低静电吸盘边缘的温度梯度，以为利用陶瓷密封环对胶接层进行密封提供了一种可行方案，进而在提高静电吸盘使用寿命的同时，保证静电吸盘的温控能力。保证静电吸盘的温控能力。保证静电吸盘的温控能力。
【技术实现步骤摘要】
一种静电吸盘以及等离子体刻蚀装置
[0001]本申请涉及半导体刻蚀设备
，尤其涉及一种静电吸盘以及包括该静电吸盘的等离子体刻蚀装置。
技术介绍
[0002]在半导体行业中，很多半导体器件的制造工艺，如传感器、存储器件等，都对工艺温度有着严格的要求。并且，在器件制造过程中，由于某些因素导致的刻蚀均匀性不够，需要改变温度对刻蚀均匀性进行改善，或者半导体刻蚀本身具有特殊图形，需要特殊的温度分布与之对应，这些工作都需要静电吸盘（Electro Static Chuck，简称ESC）的温度控制能力来实现。
[0003]ESC是目前先进半导体刻蚀设备的必备组成部件，用于实现更加精细以及精确的刻蚀。然而， ESC中胶接层的密封是对于ESC是非常重要的，因此若是刻蚀腔室中的等离子体与胶接层中的硅脂接触后，会污染刻蚀腔室。
技术实现思路
[0004]有鉴于此，本申请提供了一种静电吸盘，方案如下：
[0005]一种静电吸盘，应用于等离子刻蚀装置中，包括：
[0006]主体结构，所述主体结构包括胶接层，还包括沿第一方向依次层叠的基座、加热层、吸附层；
[0007]所述胶接层包括沿所述第一方向排布的第一胶接层和第二胶接层，所述加热层位于所述第一胶接层和所述第二胶接层之间，并且所述第一胶接层位于所述基座朝向所述加热层的一侧表面，所述第二胶接层位于所述吸附层朝向所述加热层的一侧表面；
[0008]陶瓷密封环，所述陶瓷密封环位于所述基座朝向所述加热层的一侧，并沿所述第一方向延伸至所述吸附层朝向所述加热层的一侧，环绕覆盖所述胶接层裸露的侧面；
[0009]其中，沿着第二方向，所述陶瓷密封环在所述第一方向上的长度变大，所述第二方向由所述胶接层指向所述陶瓷密封环，所述第一方向与所述第二方向垂直。
[0010]可选的，所述陶瓷密封环的材料为氧化锆、氧化铝、碳化硅。
[0011]可选的，在所述第二方向上，所述陶瓷密封环的截面形状为梯形。
[0012]可选的，所述陶瓷密封环包括沿所述第二方向依次排布的第一部分和第二部分，并且在所述第一方向上，所述第一部分的延伸长度小于所述第二部分的延伸长度。
[0013]可选的，在所述第二方向上，所述第一部分的截面形状为矩形，所述第二部分的截面形状为矩形。
[0014]可选的，所述陶瓷密封环与所述胶接层相接的表面以及与所述加热层相接的表面为弧形面。
[0015]可选的，所述陶瓷密封环为封闭环形。
[0016]可选的，所述陶瓷密封环具有至少一个第一通孔。
[0017]可选的，所述陶瓷密封环包括至少两个弧形部分，所述至少两个弧形部分沿环绕所述胶接层的方向依次排布形成封闭环形。
[0018]可选的，所述陶瓷密封环包括两个弧形部分，分别为第一弧形部分和第二弧形部分，所述第一弧形部分和所述第二弧形部分相对形成封闭环形。
[0019]可选的，所述第一弧形部分具有第一端和第二端，所述第二弧形部分具有第三端和第四端，其中，所述第一端与所述第三端相对，所述第二端与所述第四端相对，并且所述第一端和所述第三端之间具有空隙，所述第二端和所述第四端之间具有空隙。
[0020]可选的，所述第一弧形部分具有一个第二通孔，所述第二弧形部分具有一个第三通孔。
[0021]可选的，所述第一弧形部分具有多个第二通孔，所述第二弧形部分具有多个第三通孔。
[0022]可选的，所述多个第二通孔中相邻两个第二通孔之间的距离相同，所述多个第三通孔中相邻两个第三通孔之间的距离相同。
[0023]可选的，相邻两个所述第二通孔之间的距离与相邻两个所述第三通孔之间的距离相同。
[0024]可选的，在所述第二方向上，所述第二通孔包括第一子通孔和第二子通孔，所述第一子通孔与所述第二子通孔相连通，并且在所述第二方向上，所述第一子通孔的孔径逐渐变小至与所述第二子通孔的孔径相同；
[0025]在所述第二方向上，所述第三通孔包括第三子通孔和第四子通孔，所述第三子通孔和所述第四子通孔相连通，并且在所述第二方向上，所述第三子通孔的孔径逐渐变小至与所述第四子通孔的孔径相同。
[0026]可选的，所述吸附层内设置有静电吸附电极。
[0027]可选的，所述基座内部具有沿所述第二方向延伸，且贯穿所述基座的冷却液通道。
[0028]可选的，所述加热层包括沿所述第一方向依次排布的加热板和均热板。
[0029]本申请还提供了一种等离子体刻蚀装置，包括上述任一所述的静电吸盘。
[0030]与现有技术相比，本申请的技术方案的有益效果为：本申请提供的静电吸盘依次包括：基座、加热层、吸附层，以及由第一胶接层和第二胶接层组成的胶接层，加热层位于第一胶接层和第二胶接层之间，还包括环绕覆盖胶接层裸露侧面的陶瓷密封环。其中，在胶接层指向陶瓷密封环的方向上，陶瓷密封环的长度变大。由上述可知，上述静电吸盘采用陶瓷密封环，并且该陶瓷密封环与吸附层和/或基座的接触面积较小，从而能够减小陶瓷密封环的导热能力，使得陶瓷密封环能够对吸附层的边缘起到保温作用，降低吸附层边缘的温度梯度，进而使得陶瓷密封环能够对静电吸盘的边缘起到保温作用，降低静电吸盘边缘的温度梯度，以为利用陶瓷密封环对胶接层进行密封提供了一种可行方案，以使得在提高静电吸盘使用寿命的同时，确保静电吸盘的边缘温度梯度在允许范围以内，进而在提高静电吸盘使用寿命的同时，保证静电吸盘的温控能力。
附图说明
[0031]为了更清楚地说明本申请实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本
申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0032]本说明书附图所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本申请可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本申请所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本申请所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。
[0033]图1为一种现有静电吸盘的结构示意图；
[0034]图2为本申请提供的一种静电吸盘的结构示意图；
[0035]图3为本申请提供的一种静电吸盘中的主体结构的结构示意图；
[0036]图4为图2所示的一种静电吸盘结构示意图中区域A的局部放大图；
[0037]图5为采用橡胶密封环进行密封的静电吸盘的吸附层的温度分布仿真图；
[0038]图6为采用陶瓷密封环进行密封的静电吸盘的吸附层的温度分布仿真图；
[0039]图7为图2所示的另一种静电吸盘结构示意图中区域A的局部放大图；
[0040]图8为图2所示的又一种静电吸盘结构示意图中区域A的局部放大图；
[0041]图9为图2所示的又一种静电吸盘结构示本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种静电吸盘，其特征在于，应用于等离子体刻蚀装置中，包括：主体结构，所述主体结构包括胶接层，还包括沿第一方向依次层叠的基座、加热层、吸附层；所述胶接层包括沿所述第一方向排布的第一胶接层和第二胶接层，所述加热层位于所述第一胶接层和所述第二胶接层之间，并且所述第一胶接层位于所述基座朝向所述加热层的一侧表面，所述第二胶接层位于所述吸附层朝向所述加热层的一侧表面；陶瓷密封环，所述陶瓷密封环位于所述基座朝向所述加热层的一侧，并沿所述第一方向延伸至所述吸附层朝向所述加热层的一侧，环绕覆盖所述胶接层裸露的侧面；其中，沿着第二方向，所述陶瓷密封环在所述第一方向上的长度变大，所述第二方向由所述胶接层指向所述陶瓷密封环，所述第一方向与所述第二方向垂直。2.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，所述陶瓷密封环的材料为氧化锆、氧化铝、碳化硅。3.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，在所述第二方向上，所述陶瓷密封环的截面形状为梯形。4.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，所述陶瓷密封环包括沿所述第二方向依次排布的第一部分和第二部分，并且在所述第一方向上，所述第一部分的延伸长度小于所述第二部分的延伸长度。5.根据权利要求4所述的静电吸盘，其特征在于，在所述第二方向上，所述第一部分的截面形状为矩形，所述第二部分的截面形状为矩形。6.根据权利要求3或5所述的静电吸盘，其特征在于，所述陶瓷密封环与所述胶接层相接的表面以及所述陶瓷密封环与所述加热层相接的表面为弧形面。7.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，所述陶瓷密封环为封闭环形。8.根据权利要求7所述的静电吸盘，其特征在于，所述陶瓷密封环具有至少一个第一通孔。9.根据权利要求7所述的静电吸盘，其特征在于，所述陶瓷密封环包括至少两个弧形部分，所述至少两个弧形部分沿环绕所述胶接层的方向依次排布形成封闭环形。10.根据权利要求9所述的静电吸盘，其特征在于，所述陶瓷密封环包括两个弧形部分，分别为第一弧形部分...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨振，贺小明，李雪冬，郑天成，胡杰，邹博，王聪，许开东，
申请(专利权)人：江苏鲁汶仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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