存储器及其制作方法、电子设备技术

本申请提供一种存储器及其制作方法、电子设备。存储器包括晶体管、以及设置于晶体管的电容器。电容器包括多个导体层和多个氧化层。上述导体层和氧化层沿远离晶体管的第一方向交替设置。电容器还包括贯穿导体层和氧化层的通道孔。通道孔的内部设置有导体柱。导体柱与通道孔的内壁之间设置有铁电层。导体柱与晶体管电性连接。铁电层与导体层电性连接。每个导体层与相邻的导体柱形成电容，相邻两个电容的电容值相等，从而可以使存储器中每个存储单元的电容值相同，以稳定存储器中“0”和“1”的读取窗口，保证电路功能的准确性，进而改善存储器的稳定性。的稳定性。的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
存储器及其制作方法、电子设备


[0001]本申请涉及存储器
，尤其涉及到一种存储器及其制作方法、电子设备。

技术介绍

[0002]存储器是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。随着科技的迅速发展，人工智能、虚拟现实、元宇宙等技术被广泛地应用于日常生活中，存储器与存储器之间、存储器与处理器之间的数据传输也变得越来越重要。传统的动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)利用其内部的电容存储单元来实现存储功能。通常，DRAM采用1晶体管1电容(1Transistor&1Conventional Capacitor，1T1C)的平面结构。然而，受限于电容器的制作工艺，DRAM的制作工艺复杂，且难以与逻辑电路的制作相集成，导致容量密度难以提高。因此，业界提出了铁电随存储器(Ferroelectric Random Access Memory，FeRAM)，以铁电材料代替传统的电容器材料。
[0003]而随着大容量存储的需要越来越多，对存储阵列的存储单元密度要求也越来越高，FeRA本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器，其特征在于，包括晶体管、以及设置于所述晶体管的电容器，所述电容器包括多个导体层和多个氧化层，所述多个导体层和所述多个氧化层沿远离所述晶体管的第一方向交替设置；所述电容器还包括贯穿所述多个导体层和所述多个氧化层的通道孔，所述通道孔的内部设置有导体柱，所述导体柱与所述通道孔的内壁之间设置有铁电层，所述导体柱与所述晶体管电性连接，所述铁电层与所述多个导体层电性连接；每个所述导体层与相邻的所述导体柱形成电容，相邻两个所述电容的电容值相等。2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述导体柱的直径沿所述第一方向逐渐变宽，且所述多个导体层的厚度沿所述第一方向逐渐变薄。3.如权利要求1或2所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括字线、位线和多个板线，所述晶体管包括栅极、漏极和源极；所述栅极与所述字线连接；所述多个导体层与所述多个板线一一对应连接，所述导体柱与第一电极连接，第二电极与所述位线连接，其中，所述第一电极为所述源区和所述漏极中的一者，所述第二电极为所述源区和所述漏极中的一者，且所述第一电极与所述第二电极不同。4.如权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括金属层，所述金属层设置于所述晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员：范人士，卜思童，方亦陈，丁士成，刘晓真，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：