铁电器件及半导体装置制造方法及图纸

提供一种具有良好的铁电性的铁电器件。该铁电器件包括第一绝缘体上的第一导电体、第一导电体上的铁电层、铁电层上的第二导电体、第二导电体上的第二绝缘体以及包裹第一导电体、铁电层、第二导电体及第二绝缘体的第三绝缘体，第二绝缘体具有俘获或固定氢的功能，第三绝缘体具有抑制氢的扩散的功能。绝缘体具有抑制氢的扩散的功能。绝缘体具有抑制氢的扩散的功能。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】铁电器件及半导体装置


[0001]本专利技术的一个方式涉及一种金属氧化物或利用该金属氧化物的铁电器件以及其制造方法。此外，本专利技术的一个方式涉及一种晶体管、半导体装置以及电子设备。此外，本专利技术的一个方式涉及一种半导体装置的制造方法。另外，本专利技术的一个方式涉及一种半导体晶片及模块。
[0002]在本说明书等中，半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。除了晶体管等的半导体元件之外，半导体电路、运算装置或存储装置也是半导体装置的一个方式。显示装置(液晶显示装置、发光显示装置等)、投影装置、照明装置、电光装置、蓄电装置、存储装置、半导体电路、摄像装置以及电子设备等有时包括半导体装置。
[0003]注意，本专利技术的一个方式不局限于上述
本说明书等所公开的专利技术的一个方式涉及一种物体、方法或制造方法。此外，本专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。

技术介绍

[0004]近年来，已对半本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种铁电器件，包括：第一绝缘体上的第一导电体；所述第一导电体上的铁电层；所述铁电层上的第二导电体；所述第二导电体上的第二绝缘体；以及包裹所述第一导电体、所述铁电层、所述第二导电体及所述第二绝缘体的第三绝缘体，其中，所述第二绝缘体具有俘获或固定氢的功能，并且，所述第三绝缘体具有抑制氢的扩散的功能。2.根据权利要求1所述的铁电器件，其中所述第二绝缘体包含氧及铝，并且所述第三绝缘体包含氮及硅。3.根据权利要求1或2所述的铁电器件，其中所述第二绝缘体具有非晶结构。4.根据权利要求1至3中任一项所述的铁电器件，其中所述第一绝缘体包含氮及硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，神保安弘，大野敏和，佐藤优一，江头祥惠，川口忍，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：