基于掺杂氮化铝薄膜的1T1C铁电存储器及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种基于掺杂氮化铝薄膜的1T1C铁电存储器及其制备方法，涉及半导体制造技术领域。所述1T1C铁电存储器包括：氧化物绝缘层、衬底、栅极电极、源极区、漏极区、漏极电极、源极电极、电容底电极、铁电层、电容顶电极、钝化保护层、源极接触点、栅极接触点、漏极接触点、电容底电极接触点和电容顶电极接触点；其中，所述氧化物绝缘层包括第一绝缘区域和第二绝缘区域；本发明专利技术能够制备基于Al1‑

【技术实现步骤摘要】
基于掺杂氮化铝薄膜的1T1C铁电存储器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，特别是涉及一种基于掺杂氮化铝薄膜的1T1C铁电存储器及其制备方法。

技术介绍

[0002]铁电存储器在现代计算机科学领域发挥着重要的作用。这种存储器具有非易失性和高密度存储的特点，适用于各种场合，例如嵌入式系统、智能终端和数据中心等。其中，1T1C结构是铁电存储器的一种常见结构形式，即一个晶体管一个电容，该结构利用铁电材料的双稳态性质实现数据的存储。由于铁电材料的双稳态性质，即在外加电场的作用下，铁电材料具有两种稳定的极化状态，分别对应0和1两种不同的存储状态，所以铁电材料在铁电存储器中被广泛应用。在1T1C结构中，铁电薄膜作为电容的铁电层，是实现铁电存储器功能的关键材料
[0003]目前一种新型的铁电材料Al1‑
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N正在崛起，相比之前的氧化铪基材料其拥有极高的剩余极化值，能提高1T1C存储器的稳定性、可靠性以及存储密度。目前制备Al1‑
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xr/>N的常规方法为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于掺杂氮化铝薄膜的1T1C铁电存储器，其特征在于，包括：氧化物绝缘层、衬底、栅极电极、源极区、漏极区、漏极电极、源极电极、电容底电极、铁电层、电容顶电极、钝化保护层、源极接触点、栅极接触点、漏极接触点、电容底电极接触点和电容顶电极接触点；其中，所述氧化物绝缘层包括第一绝缘区域和第二绝缘区域；所述衬底上生长有所述钝化保护层；在所述衬底和所述钝化保护层中，由一端到另一端依次沉积有所述源极区、生长有所述第一绝缘区域、沉积有所述漏极区和生长有所述第二绝缘区域；所述源极区的上表面设置有所述源极电极；所述源极电极通过通孔引线连接有所述源极接触点，且所述源极接触点设置于所述钝化保护层的上表面；所述第一绝缘区域的上表面设置有所述栅极电极；所述栅极电极通过通孔引线连接有所述栅极接触点，且所述栅极接触点设置于所述钝化保护层的上表面；所述漏极区的上表面设置有所述漏极电极；所述漏极电极通过通孔引线连接有所述漏极接触点；所述第二绝缘区域的上表面设置有所述电容底电极；所述电容底电极通过通孔引线连接有所述电容底电极接触点；所述漏极接触点和所述电容底电极接触点相连，且均设置于所述钝化保护层的上表面；所述电容底电极的上表面依次生长有所述铁电层和所述电容顶电极；所述电容顶电极通过通孔引线连接有所述电容顶电极接触点，且设置于所述钝化保护层的上表面；所述铁电层的材质采用Al1‑
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N。2.根据权利要求1所述的基于掺杂氮化铝薄膜的1T1C铁电存储器，其特征在于，所述铁电层的厚度为3～50nm。3.根据权利要求1所述的基于掺杂氮化铝薄膜的1T1C铁电存储器，其特征在于，所述钝化保护层的材质采用氮化硅，且所述钝化保护层的厚度为100nm～200nm。4.根据权利要求1所述的基于掺杂氮化铝薄膜的1T1C铁电存储器，其特征在于，所述通孔引线的材质采用金属铝。5.一种基于掺杂氮化铝薄膜的1T1C铁电存储器制备方法，其特征在于，包括：S1、在...

【专利技术属性】
技术研发人员：任青华，刘鑫，丁泽新，周群辉，刘宇熙，王楠，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：