一种H桥功率控制电路、芯片以及电子设备制造技术

本实用新型专利技术提供了一种H桥功率控制电路、芯片以及电子设备，其中，H桥功率控制电路包括：升压控制电路、H桥控制电路、H桥电路以及单片机；升压控制电路包括升压芯片；升压控制电路中升压芯片分别与H桥电路以及单片机电性连接；H桥控制电路包括第一H桥控制芯片以及第二H桥控制芯片；H桥控制电路中第一H桥控制芯片以及第二H桥控制芯片均电性连接于H桥电路以及单片机。通过本实用新型专利技术的实施，采用控制升压芯片的输出电压等级来调节H桥电路的输出功率，从而能够有效提高H桥电路输出功率的调节范围，且调节灵活度高。且调节灵活度高。且调节灵活度高。

【技术实现步骤摘要】
一种H桥功率控制电路、芯片以及电子设备


[0001]本技术涉及电路
，尤其涉及一种H桥功率控制电路、芯片以及电子设备。

技术介绍

[0002]目前市面上的气泵，通常采用以功率控制气泵的充气流量与压力的控制方法，而控制电路一般选用H桥电路。H桥功率控制方法一般采用控制H桥MOS管的占空比进行控制。而这样的控制存在一定的弊端，即H桥输出功率的范围幅度受限于MOS管的占空比；当H桥的两个上MOS管占空比接近50％时，功率达到最大，之后再调节占空比将不能控制H桥的输出功率。

技术实现思路

[0003]本技术提供了一种H桥功率控制电路、芯片以及电子设备，旨在解决相关技术中H桥电路输出功率的调节范围受限于MOS管的占空比的问题。
[0004]为了解决上述技术问题，本技术第一方面提供了一种H桥功率控制电路，其特征在于，包括：升压控制电路、H桥控制电路、H桥电路以及单片机；
[0005]所述升压控制电路包括升压芯片；所述升压控制电路中所述升压芯片分别与所述H桥电路以及所述单片机电性连接；所述H桥控制电路包括第一H桥控制芯片以及第二H桥控制芯片；所述H桥控制电路中所述第一H桥控制芯片以及所述第二H桥控制芯片均电性连接于所述H桥电路以及所述单片机。
[0006]本技术第二方面提供了一种H桥功率控制芯片，包括如本技术第一方面所述的H桥功率控制电路。
[0007]本技术第三方面提供了一种电子设备，包括如本技术第一方面所述的H桥功率控制电路或如本技术第二方面所述的H桥功率控制芯片。
[0008]从上述描述可知，与相关技术相比，本技术的有益效果在于：
[0009]通过将升压控制电路中升压芯片所输出的电压反馈到单片机中，单片机再进行设定，并输出信号来调节升压控制电路的输出电压以及H桥控制芯片；当H桥电路的MOS管的占空比达到最大值时，即可通过调节输出电压的电压等级来调节H桥电路的输出功率，从而可以有效提高H桥电路输出功率的调节范围，且调节灵活度高。
附图说明
[0010]图1是本技术实施例的一种H桥功率控制电路的模块框图；
[0011]图2是本技术实施例的一种升压控制电路的电路原理图；
[0012]图3是本技术实施例的一种H桥功率控制电路的电路原理图。
具体实施方式
[0013]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。此外，下面所描述的本技术的各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。
[0014]在相关技术中，由于存在H桥电路输出功率的调节范围受限于MOS管的占空比的问题。为此，本技术实施例提供了一种H桥功率控制电路。
[0015]请参阅图1，本技术实施例提供的H桥功率控制电路，包括：升压控制电路100、H桥控制电路200、H桥电路300以及单片机400。
[0016]具体的，升压控制电路100包括升压芯片110，升压控制电路100中升压芯片110分别与H桥电路300以及单片机400电性连接；H桥控制电路200包括第一H桥控制芯片210以及第二H桥控制芯片220，第一H桥控制芯片210以及第二H桥控制芯片220均电性连接于H桥电路300以及单片机400。
[0017]当升压芯片输出的电压反馈到单片机中，单片机再通过设定，输出模拟信号来调节输出电压，在初始阶段，H桥电路的功率输出是通过MOS管的上管来调节的，当MOS管的上管占空比接近50％时，H桥电路输出功率达到最大，这时调节占空比已经不能调节H桥的输出功率，需要通过单片机控制升压芯片的输出电压从而控制输入到H桥电路中的电压等级，电压等级越高，则输出的功率等级越高，从而使H桥电路提供的功率范围更广。
[0018]请参见图2，升压控制电路100还包括：第一电容C4、第二电容C6、第三电容C7以及第一电阻R5。
[0019]具体的，升压芯片110的第一引脚Vin电性连接于电源VCC；升压芯片110的第二引脚INTVcc、第三引脚Vc、第四引脚SS、第五引脚RT分别与第一电容C4、第二电容C6、第三电容C7、第一电阻R5的一端电性连接；第一电容C4、第二电容C6、第三电容C7、第一电阻R5的另一端均接地；升压芯片110的第六引脚SW2、第七引脚SW1均电性连接于H桥电路300；升压芯片110的第八引脚FBX电性连接于单片机400。
[0020]本实施例中，升压控制电路还包括：电阻R6；升压芯片110(U1)的引脚EN/UVLO用于电性连接外部的使能信号发生器以接收使能信号BOOST_ENABLE；电阻R6的一端与第二电容C6的另一端电性连接，另一端接地。其中，第一电容C4的电容值为2.2uF、第二电容C6的电容值为220pF、第三电容C7的电容值为10nF、第一电阻R5、电阻R6的电阻值均为45.3KΩ，升压芯片110的引脚GND接地，型号为LT8362。
[0021]再进一步地，请参见图2，升压控制电路100还包括：电感L1、晶体二极管D1、第二电阻R1以及第三电阻R3。
[0022]具体的，电感LI的一端电性连接于电源VCC，另一端电性连接于晶体二极管D1的一端；晶体二极管D1的另一端电性连接于H桥电路300；升压芯片110的第六引脚SW2、第七引脚SW1均电性连接于电感L1与晶体二极管D1的公共连接端；第二电阻R1的一端与晶体二极管D1的另一端电性连接，另一端与第三电阻R3的一端电性连接；第三电阻R3的另一端接地；升压芯片110的第八引脚FBX电性连接于第二电阻R1与第三电阻R3的公共连接端。
[0023]本实施例中，电感L1、晶体二极管D1的型号分别为XEL4030
‑
152MEC、PMEG6010CEJ,
115，第二电阻R1、第三电阻R3的阻值分别为649KΩ、45.3KΩ。
[0024]再进一步地，请参见图2，升压控制电路100还包括：第四电阻R2、第五电阻R4、第四电容C2、第五电容C3。
[0025]具体的，第四电容C2、第五电容C3的一端均电性连接于电源VCC与升压芯片的第一引脚Vin的公共连接端；第四电阻R2的一端电性连接于升压芯片110与H桥电路300的公共连接端；第五电阻R4的一端与第四电阻R2的另一端电性连接；单片机400电性连接于第四电阻R2与第五电阻R4的公共连接端；第四电容C2、第五电容C3、第五电阻R4的另一端均接地。
[0026]本实施例中，第四电阻R2、第五电阻R4、第四电容C2、第五电容C3的值分别为649KΩ、27KΩ，100uF、100uF。此外，升压控制电路100还包括：电容C1、电容C5以及电阻R7，电容C1的一端电性连接于升压芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种H桥功率控制电路，其特征在于，包括：升压控制电路、H桥控制电路、H桥电路以及单片机；所述升压控制电路包括升压芯片，所述升压控制电路中所述升压芯片分别与所述H桥电路以及所述单片机电性连接；所述H桥控制电路包括第一H桥控制芯片以及第二H桥控制芯片，所述第一H桥控制芯片以及所述第二H桥控制芯片均电性连接于所述H桥电路以及所述单片机。2.根据权利要求1所述的H桥功率控制电路，其特征在于，所述升压控制电路还包括：第一电容、第二电容、第三电容以及第一电阻；所述升压芯片的第一引脚电性连接于电源；所述升压芯片的第二引脚、第三引脚、第四引脚、第五引脚分别与所述第一电容、所述第二电容、所述第三电容、所述第一电阻的一端电性连接；所述第一电容、第二电容、第三电容、第一电阻的另一端均接地；所述升压芯片的第六引脚、第七引脚均电性连接于所述H桥电路；所述升压芯片的第八引脚电性连接于所述单片机。3.根据权利要求2所述的H桥功率控制电路，其特征在于，所述升压控制电路还包括：电感、晶体二极管、第二电阻以及第三电阻；所述电感的一端电性连接于所述电源，另一端电性连接于所述晶体二极管的一端；所述晶体二极管的另一端电性连接于所述H桥电路；所述升压芯片的第六引脚、第七引脚均电性连接于所述电感与所述晶体二极管的公共连接端；所述第二电阻的一端与所述晶体二极管的另一端电性连接，另一端与所述第三电阻的一端电性连接；所述第三电阻的另一端接地；所述升压芯片的第八引脚电性连接于所述第二电阻与所述第三电阻的公共连接端。4.根据权利要求2所述的H桥功率控制电路，其特征在于，所述升压控制电路还包括：第四电阻、第五电阻、第四电容以及第五电容；所述第四电容、第五电容的一端均电性连接于所述电源与所述升压芯片的第一引脚的公共连接端；所述第四电阻的一端电性连接于所述升压芯片与所述H桥电路的公共连接端；所述第五电阻的一端与所述第四电阻的另一端电性连接；所述单片机电性连接于所述第四电阻与所述第五电阻的公共连接端；所述第四电容、第五电容、第五电阻的另一端均接地。5.根据权利要求2所述的H桥功率控制电路，其特征在于，所述H桥电路包括：第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第六电阻以及第七电阻；所述第一MOS管、第二MOS管的漏极均电性连接于所述升压控制电路；所述第一MOS管、第二MOS管的源极分别电...

【专利技术属性】
技术研发人员：全吉朋，邹栋，
申请(专利权)人：深圳市科曼医疗设备有限公司，
类型：新型
国别省市：