一种覆膜机控制系统技术方案

本实用新型专利技术涉及覆膜机技术，公开了一种覆膜机控制系统，其包括主控制器、变频器、覆膜机伺服器、进料辊台伺服器、操作台和显示器；变频器、覆膜机伺服器、进料辊台伺服器、操作台和显示器均与主控制器相连；其还包括温度监控系统，温度监控系统用于对温度进行实时的监控，并将监控的信号传送至主控制器，主控制器进一步对温度监控系统进行控制操作。本实用新型专利技术通过设有温度控制，能够实时的监控覆膜机的温度，这样能够进一步保证覆膜机生产产品的质量，而且能够根据不同的材质调节不同的温度。而且能够根据不同的材质调节不同的温度。而且能够根据不同的材质调节不同的温度。

【技术实现步骤摘要】
一种覆膜机控制系统


[0001]本技术涉及覆膜机技术，尤其涉及了一种覆膜机控制系统。

技术介绍

[0002]覆膜工艺是纸板印刷后的一种表面加工工艺,又称为过塑、裱胶或贴膜，是指在印刷品的表面覆盖一层透明塑料薄膜而形成一种纸塑复合纸板的加工技术。覆膜机是在纸板上进行覆膜加工的设备,覆膜机的覆膜过程首先是薄膜上胶，上胶后的膜经过干燥后与纸板辊压贴合,最后整平烘干。现有的纸板覆膜机通常仅具备将朔料薄膜压粘在纸板上的功能,而成品从纸板原料到具有图案的覆膜纸板需要经过印刷、覆膜、辊压、烘干等多个过程，
[0003]如现有技术CN201620168609.4，现有技术覆膜机构不能很好地进行温度监控，这样会导致覆膜过程中产品出现瑕疵

技术实现思路

[0004]本技术针对现有技术中现有技术覆膜机构不能很好地进行温度监控，这样会导致覆膜过程中产品出现瑕疵的问题，提供了一种覆膜机控制系统。
[0005]为了解决上述技术问题，本技术通过下述技术方案得以解决：
[0006]一种覆膜机控制系统，包括主控制器、变频器、覆膜机伺服器、进料辊台伺服器、操作台和显示器；变频器、覆膜机伺服器、进料辊台伺服器、操作台和显示器均与主控制器相连；其还包括温度监控系统，温度监控系统用于对温度进行实时的监控，并将监控的信号传送至主控制器，主控制器进一步对温度监控系统进行控制操作。
[0007]作为优选，温度监控系统包括带隙基准子电路和监测判断子电路；温度监控系统输入偏置电压至带隙基准子电路，带隙基准子电路产生与温度无关的基准电压；并输出该基准电压；监测判断子电路产生监测电压，并输出监测电压；通过比较输出的基准电压及监测电压大小判断当前监测温度点。
[0008]作为优选，带隙基准子电路包括第一PMOS管M1、第二PMOS管M2、第一NMOS管M3、第四NMOS管M4；第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4、第五三极管Q5、第六三极管Q6、第七三极管Q7、第八三极管Q8、第九三极管Q9；第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3和第四电阻R4；第一PMOS管M1的源极接电源，其栅极接第二PMOS管M2的栅极，其漏极接第一三极管Q1的发射极、第二三极管Q2的发射极、第三三极管Q3的发射极和第九三极管Q9的基极；第一三极管Q1的基极接第二三极管Q2的集电极和第四三极管Q4的集电极，其集电极接第一NMOS管M3的漏极；第一NMOS管M3的栅极和漏极互连，其源极接地；第二三极管Q2的基极接第三三极管Q3的基极；第三三极管Q3的基极和集电极互连，其集电极接第五三极管Q5的集电极；第五三极管Q5的基极接第四三极管Q4的基极，其发射极依次通过第一电阻R1和第二电阻R2后接地；第四三极管Q4的发射极通过第二电阻R2后接地；第六三极管Q6的集电极接电源，其基极和发射极互连，其发射极接第七三极管Q7的基极；第七三极管Q7的集电极接电源，其发射极通过第二电阻R2后接地；第九三极管Q9的集电极接电源，其发射极
接第八三极管Q8的基极；第九三极管Q9的发射极通过第四电阻R4后接第二NMOS管M4的漏极；第二NMOS管M4的栅极和漏极互连，其源极接地；第二PMOS管M2的源极接电源，其栅极和漏极互连，其漏极接第八三极管Q8的集电极；第八三极管Q8的发射极通过第三电阻R3后接地；第四三极管Q4基极、第五三极管Q5基极、第八三极管Q8基极、第九三极管Q9发射极与第四电阻R4的连接点为基准电压源的输出端。
[0009]作为优选，监测判断子电路包括第五NMOS管M5，与第五NMOS管M5相连的第六NMOS管M6及与第六NMOS管M6相连的第五电阻R5。
[0010]作为优选，变频器包括出料变频器、上板变频器和下板变频器，出料变频器、上板变频器和下板变频器均与控制器相连；通过控制器对出料变频器进行控制控制覆膜机的出料操作，通过控制器对上板变频器进行控制覆膜机的上板操作，通过控制器对下板变频器进行控制覆膜机的下板操作。
[0011]作为优选，显示单元为触屏显示单元，且触屏显示单元上设置有启动键、停止键、自动控制键，启动键、停止键、自动控制键均与主控制器相连。
[0012]本技术的设计，达到了下述的技术效果：
[0013]本技术通过设有温度控制，能够实时的监控覆膜机的温度，这样能够进一步保证覆膜机生产产品的质量，而且能够根据不同的材质调节不同的温度。
[0014]本技术设计的带隙基准子电路调节阻值时比较方便，可以得到更加适合不同用途的带隙基准电压，结构简单，成本低。
附图说明
[0015]图1是本技术的系统结构图；
[0016]图2是本技术的温度监控系统电路图；
[0017]图3是本技术的带隙基准子电路图；
具体实施方式
[0018]下面结合附图与实施例对本技术作进一步详细描述。
[0019]实施例1
[0020]一种覆膜机控制系统，包括主控制器、变频器、覆膜机伺服器、进料辊台伺服器、操作台和显示器；变频器、覆膜机伺服器、进料辊台伺服器、操作台和显示器均与主控制器相连；其还包括温度监控系统，温度监控系统用于对温度进行实时的监控，并将监控的信号传送至主控制器，主控制器进一步对温度监控系统进行控制操作。
[0021]温度监控系统包括带隙基准子电路和监测判断子电路；温度监控系统输入偏置电压至带隙基准子电路，带隙基准子电路产生与温度无关的基准电压；并输出该基准电压；监测判断子电路产生监测电压，并输出监测电压；通过比较输出的基准电压及监测电压大小判断当前监测温度点。
[0022]带隙基准子电路包括第一PMOS管M1、第二PMOS管M2、第一NMOS管M3、第四NMOS管M4；第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4、第五三极管Q5、第六三极管Q6、第七三极管Q7、第八三极管Q8、第九三极管Q9；第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3和第四电阻R4；第一PMOS管M1的源极接电源，其栅极接第二PMOS管M2的栅极，其漏极接第一
三极管Q1的发射极、第二三极管Q2的发射极、第三三极管Q3的发射极和第九三极管Q9的基极；第一三极管Q1的基极接第二三极管Q2的集电极和第四三极管Q4的集电极，其集电极接第一NMOS管M3的漏极；第一NMOS管M3的栅极和漏极互连，其源极接地；第二三极管Q2的基极接第三三极管Q3的基极；第三三极管Q3的基极和集电极互连，其集电极接第五三极管Q5的集电极；第五三极管Q5的基极接第四三极管Q4的基极，其发射极依次通过第一电阻R1和第二电阻R2后接地；第四三极管Q4的发射极通过第二电阻R2后接地；第六三极管Q6的集电极接电源，其基极和发射极互连，其发射极接第七三极管Q7的基极；第七三极管Q7的集电极接电源，其发射极通过第二电阻R2后接地；第九三极管Q9的集电极接电源，其发射极接第八三极管Q8的基极；第九三极管Q9的发射极通过第四电阻R4后接第二NM本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种覆膜机控制系统，包括主控制器、变频器、覆膜机伺服器、进料辊台伺服器、操作台和显示器；变频器、覆膜机伺服器、进料辊台伺服器、操作台和显示器均与主控制器相连；其特征在于，还包括温度监控系统，温度监控系统用于对温度进行实时的监控，并将监控的信号传送至主控制器，主控制器进一步对温度监控系统进行控制操作。2.根据权利要求1所述的一种覆膜机控制系统，其特征在于，温度监控系统包括带隙基准子电路和监测判断子电路；温度监控系统输入偏置电压至带隙基准子电路，带隙基准子电路产生与温度无关的基准电压；并输出该基准电压；监测判断子电路产生监测电压，并输出监测电压；通过比较输出的基准电压及监测电压大小判断当前监测温度点。3.根据权利要求2所述的一种覆膜机控制系统，其特征在于，带隙基准子电路包括第一PMOS管M1、第二PMOS管M2、第一NMOS管M3、第四NMOS管M4；第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4、第五三极管Q5、第六三极管Q6、第七三极管Q7、第八三极管Q8、第九三极管Q9；第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3和第四电阻R4；第一PMOS管M1的源极接电源，其栅极接第二PMOS管M2的栅极，其漏极接第一三极管Q1的发射极、第二三极管Q2的发射极、第三三极管Q3的发射极和第九三极管Q9的基极；第一三极管Q1的基极接第二三极管Q2的集电极和第四三极管Q4的集电极，其集电极接第一NMOS管M3的漏极；第一NMOS管M3的栅极和漏极互连，其源极接地；第二三极管Q2的基极接第三三极管Q3的基极；第三三极管Q3的基极和集电极互连，其集电极接第五三极管Q5的...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏守阳，董亚非，
申请(专利权)人：温州璐琳包装有限公司，
类型：新型
国别省市：