一种手性均一的二维材料的纳米带及其制备方法和应用技术

本发明专利技术涉及纳米材料的制备领域，公开了一种手性均一的二维材料的纳米带及其制备方法和应用。本发明专利技术的二维材料的纳米带的制备方法包括以下步骤：1)通过化学气相沉积法(CVD)制备二维材料的晶体；2)通过热蒸发沉积法，在步骤1)的二维材料的晶体上外延生长有机分子的晶体，形成掩膜；3)用等离子体刻蚀二维材料的晶体；4)除去掩膜，得到二维材料的纳米带。本发明专利技术的制备方法通用、有效、操作简便。本方法制备得到的二维材料纳米带具有晶体质量高、手性均一等优点，在二维纳米材料研究领域有良好的应用前景。用前景。用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种手性均一的二维材料的纳米带及其制备方法和应用


[0001]本专利技术涉及一种手性均一的二维材料的纳米带及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]自从2004年英国曼彻斯特大学两位科学家发现石墨烯以来，二维材料由于其优异的性能得到了广泛的关注，这说明除了材料中原子的组成和排列外，维数在材料的基本性质方面也起着至关重要的作用。二维材料是原子级厚度的薄片，因为其特有的结构特性，如电子的二维限域、较大的比表面积、良好的机械可塑性、高表面原子暴露率等，展现出许多独特的性能。因此，二维材料具有巨大的应用价值与研究潜力。常见的二维材料有石墨烯，六方氮化硼(h
‑
BN)，石墨相氮化碳(g
‑
C3N4)和过渡金属二硫族化合物(TMDs)等。二维石墨烯展示了石墨体材料中所没有的奇异的凝聚态现象，因其在电子、光电、电化学和生物医学方面的卓越应用，是目前研究最多的二维材料。石墨烯显示出极高的载流子迁移率，在2K时超过106cm
2 V
‑1s
‑1。然而，由于原始石墨烯没有带隙，石墨烯构建的场效应晶体管本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种二维材料的纳米带的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：1)通过化学气相沉积法(CVD)制备二维材料的晶体；2)通过热蒸发沉积法，在步骤1)的二维材料的晶体上外延生长有机分子的晶体，形成掩膜；3)用等离子体刻蚀二维材料的晶体；4)除去掩膜，得到二维材料的纳米带。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述二维材料选自过渡金属硫族化合物、单元素二维材料、
Ⅲ‑Ⅳ
族层状半导体、二维碳氮聚合物、二维金属
‑
有机框架、二维共价有机框架、二维聚合物、二维过渡金属碳化物、碳氮化合物、金属磷三硫化物、过渡金属卤氧化物、金属卤化物、金属氧化物、贵金属、无机钙钛矿、有机
‑
无机杂化钙钛矿中的至少一种。优选地，所述过渡金属硫族化合物选自二硫化钼、二硫化钨、二硒化钼、二硒化钨、二硒化铌、二碲化钼、二碲化镍、二硒化钽、碲化铋、硫化钽、二硒化钒和二硫化钛中的至少一种。优选地，所述单元素二维材料选自石墨烯、硅烯、锗烯、锑烯、锡烯和黑磷中的至少一种。3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述气相沉积法具体包括：通过气相沉积法在基底上沉积得到二维材料的晶体。优选地，所述基底还需要清洗和/或吹干。优选地，所述有机分子选自饱和烷烃。优选地，所述饱和烷烃选自三十烷、三十一烷、三十二烷、三十三烷、正五十五烷中的至少一种。优选地，所述有机分子的升华温度为不小于80℃。优选地，所述有机分子的晶体在纵向上的长度为2～50μm。优选地，所述有机分子的晶体的的纵横比为4～250。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤2)...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑健，安宁，崔雪萍，
申请(专利权)人：中国科学院化学研究所，
类型：发明
国别省市：