一种发光器件及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本申请公开一种发光器件及其制备方法、显示装置。所述发光器件包括层叠设置的阳极、空穴传输层、发光层和阴级；所述发光层的材料包括发光材料，所述空穴传输层的材料包括第一空穴传输材料；所述发光材料的导带能级与所述第一空穴传输材料的价带能级的差值为第一差值；所述第一空穴传输材料的价带能级与所述发光材料的价带能级的差值为第二差值，其中，所述第一差值大于两倍所述第二差值。从而通过在传统发光器件上限制空穴传输层与发光层的材料的能级搭配，可实现发光器件在保持良好效率及寿命的前提下，使发光器件在常规使用亮度下的效率得到大幅提升。效率得到大幅提升。效率得到大幅提升。

【技术实现步骤摘要】
一种发光器件及其制备方法、显示装置


[0001]本申请涉及显示
，尤其涉及一种发光器件及其制备方法、显示装置。

技术介绍

[0002]发光器件是指根据光电效应制作的器件，其在新能源、传感、通信、显示、照明等领域具有广泛的应用，如太阳能电池、光电探测器、有机电致发光器件(OLED或量子点电致发光器件(QLED)。
[0003]量子点(quantum dots，QD)是一种尺寸在1～10nm的半导体团簇，由于量子尺寸效应，具有带隙可调的光电子性质，可应用于发光二极管、太阳能电池、生物荧光标记等领域。与传统液晶显示器(LCD)相比，QLED显示器具有结构简单、功耗低、响应时间短、对比度高、视角宽等优点。与传统发光二极管(LED)类似，QLED通常具有p
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n结构，包括阳极、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)和阴极。在正向偏压下，电子和空穴从相反的电极被注入，并通过传输层传递到发光层，在量子点中注入的载流子通过辐射跃迁产生光子。
[0004]QLED提升的一个关键指标是器件在常规使用亮度(500nit左右)下的效率。目前QLED能达到的最大电流效率虽然基本符合标准，但是在常规使用亮度下的效率却很低，往往仅有最大效率的一半甚至更低。
[0005]因此，如何实现QLED在保持良好效率及寿命的前提下，使QLED在常规使用亮度下的效率得到大幅提升成为行业急需解决的问题。

技术实现思路

[0006]有鉴于此，本申请提供一种发光器件及其制备方法、显示装置，旨在改善发光器件在常规使用亮度下的效率低的问题。
[0007]本申请实施例是这样实现的，一种发光器件，所述发光器件包括层叠设置的阳极、空穴传输层、发光层和阴极；所述发光层的厚度大于等于10nm；所述发光层的材料包括发光材料，所述空穴传输层的材料包括第一空穴传输材料；所述发光材料的导带能级与所述第一空穴传输材料的价带能级的差值为第一差值；所述第一空穴传输材料的价带能级与所述发光材料的价带能级的差值为第二差值，其中，所述第一差值大于两倍所述第二差值。
[0008]可选地，所述发光层的厚度大于等于10nm。
[0009]可选地，所述发光材料选自单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点选自II
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VI族化合物、III
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V族化合物和I
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III
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VI族化合物中的至少一种，所述II
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VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe及CdZnSTe中的至少一种，所述III
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V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP及InAlNP中的至少一种，所述I
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III
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VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2及AgInS2中的至少一种；所述核壳结构的量子点的核选自所述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料选自CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnSe、CdZnS、CdSeS、ZnSe、ZnSeS和ZnS中的至少一
种；和/或，所述空穴传输层的第一空穴传输材料选自TFB、PVK、poly
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TPD、TCATA、CBP、TPD、NPB、PEDOT:PSS、TAPC、掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯以及C60中的一种或多种，或者所述第一空穴传输材料选自掺杂或非掺杂的NiO、MoOx、WOx以及CuO中的一种或多种。
[0010]可选地，所述发光器件还包括空穴注入层，所述空穴注入层位于空穴传输层与阳极之间；和/或，所述空穴注入层的材料选自PEDOT:PSS、MCC、CuPc、F4
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TCNQ、HATCN、过渡金属氧化物、过渡金属硫系化合物中的一种或多种。
[0011]可选地，所述发光器件还包括电子传输层，所述电子传输层位于发光层与阴极之间；和/或，所述电子传输层的材料选自纳米氧化锌、纳米氧化钛、纳米氧化锡、纳米钛酸钡，及其元素掺杂纳米氧化物电子传输材料中的至少一种，所用掺杂元素选自铝元素、镁元素、锂元素、锰元素、钇元素、镧元素、铜元素、镍元素、锆元素、铈元素、钆元素中的至少一种。
[0012]可选地，所述阳极的材料选自金属、碳材料以及金属氧化物中的一种或多种，所述金属选自Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca以及Mg中的一种或多种；所述碳材料选自石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的一种或多种；所述金属氧化物包括掺杂或非掺杂金属氧化物，包括ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO以及AMO中的一种或多种，或者包括掺杂或非掺杂透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极，所述复合电极选自AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2以及TiO2/Al/TiO2中的一种或多种；和/或，所述阴极的材料选自金属、碳材料以及金属氧化物中的一种或多种，所述金属选自Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca以及Mg中的一种或多种；所述碳材料选自石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的一种或多种；所述金属氧化物包括掺杂或非掺杂金属氧化物，包括ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO以及AMO中的一种或多种，或者包括掺杂或非掺杂透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极，所述复合电极选自AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2以及TiO2/Al/TiO2中的一种或多种。
[0013]相应的，本申请实施例还提供一种发光器件的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
[0014]提供阳极；
[0015]在所述阳极上依次层叠设置空穴传输层、发光层和阴极；
[0016]其中，所述发光材料的导带能级与所述第一空穴传输材料的价带能级的差值为第一差值；所述第一空穴传输材料的价带能级与所述发光材料的价带能级的差值为第二差值，所述第一差值大于两倍所述第二差值；
[0017]或者，
[0018]提供阴极；
[0019]在所述阴极上依次层叠设置发光层、空穴传输层和阳极；
[0020]其中，所述发光材料的导带能级与所述第一空穴传输材料的价带能级的差值为第一差值；所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于，所述发光器件包括层叠设置的阳极、空穴传输层、发光层和阴极；所述发光层的材料包括发光材料，所述空穴传输层的材料包括第一空穴传输材料；所述发光材料的导带能级与所述第一空穴传输材料的价带能级的差值为第一差值；所述第一空穴传输材料的价带能级与所述发光材料的价带能级的差值为第二差值，其中，所述第一差值大于两倍所述第二差值。2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光层的厚度大于等于10nm。3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光材料选自单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点选自II
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VI族化合物、III
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V族化合物和I
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III
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VI族化合物中的至少一种，所述II
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VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe及CdZnSTe中的至少一种，所述III
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V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP及InAlNP中的至少一种，所述I
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III
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VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2及AgInS2中的至少一种；所述核壳结构的量子点的核选自所述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料选自CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnSe、CdZnS、CdSeS、ZnSe、ZnSeS和ZnS中的至少一种；和/或，所述第一空穴传输材料选自TFB、PVK、poly
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TPD、TCATA、CBP、TPD、NPB、PEDOT:PSS、TAPC、掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯以及C60中的一种或多种，或者所述第一空穴传输材料选自掺杂或非掺杂的NiO、MoOx、WOx以及CuO中的一种或多种。4.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括空穴注入层，所述空穴注入层位于空穴传输层与阳极之间；和/或，所述空穴注入层的材料选自PEDOT:PSS、MCC、CuPc、F4
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TCNQ、HATCN、过渡金属氧化物、过渡金属硫系化合物中的一种或多种。5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括电子传输层，所述电子传输层位于发光层与阴极之间；和/或，所述电子传输层的材料选自纳米氧化锌、纳米氧化钛、纳米氧化锡、纳米钛酸钡，及其元素掺杂纳米氧化物电子传输材料中的至少一种，所用掺杂元素选自铝元素、镁元素、锂元素、锰元素、钇元素、镧元素、铜元素、镍元素、锆元素、铈元素、钆元素中的至少一种。6.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述阳极的材料选自金属、碳材料以及金属氧化物中的一种或多种，所述金属选自Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca以及Mg中的一种或多种；所述碳材料选自石墨、...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈开敏，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：