一种GaAs基LED外延片的老化方法技术

本发明专利技术涉及一种GaAs基LED外延片的老化方法，通过在GaAs基发光二极管外延片制作一个未完全分割开的正方形切割图形，再通过P面放在导电金属板、N面放在导电铜板上的方式，形成通电老化，将老化测试的过程选择在制备芯片的过程之前，从根本上解决了需制造GaAs基LED芯片造成的老化反馈周期长的问题，该老化方法操作简单，老化反馈周期可缩短80％以上，能有效的完成GaAs基LED外延片的老化，减少不必要的制造浪费。造浪费。

【技术实现步骤摘要】
一种GaAs基LED外延片的老化方法


[0001]本专利技术涉及一种GaAs基LED外延片的老化方法，属于光电子


技术介绍

[0002]LED作为21世纪的照明新光源，同样亮度下，半导体灯耗电仅为普通白炽灯的l/10，而寿命却可以延长100倍。LED器件是冷光源，光效高，工作电压低，耗电量小，体积小，可平面封装，易于开发轻薄型产品，结构坚固且寿命很长，光源本身不含汞、铅等有害物质，无红外和紫外污染，不会在生产和使用中产生对外界的污染。因此，半导体灯具有节能、环保、寿命长等特点，如同晶体管替代电子管一样，半导体灯替代传统的白炽灯和荧光灯，也将是大势所趋。无论从节约电能、降低温室气体排放的角度，还是从减少环境污染的角度，LED作为新型照明光源都具有替代传统照明光源的极大潜力。
[0003]上世纪50年代，在IBM Thomas J.Watson Research Center为代表的诸多知名研究机构的努力下，以GaAs为代表的III
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V族半导体在半导体发光领域迅速崛起。之后随着金属有机物化学气相沉积(MOCVD本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种GaAs基LED外延片的老化方法，其特征在于，包括步骤：1)在GaAs衬底上生长GaAs基LED外延层得到GaAs基LED外延片，然后在GaAs基LED外延片的P面由GaAs基LED外延层切割至GaAs衬底进行不完全切割，从而在P面形成正方形切割图形；2)在步骤1)制得的正方形切割图形上设置导电金属片，并且导电金属片与P面正方形图形之间涂覆上导电银胶，然后固化导电银胶；导电金属片位于正方形图形的上部；3)将步骤2)制得的GaAs衬底置于导电金属板上；4)测试电源负极与导电金属板相连接，测试电源正极通过导电测试针与导电金属片相连接，形成了通电，使得GaAs基LED外延片P面的正方形切割图形点亮，然后测试得到老化前的测试结果；5)将步骤4)制得的GaAs基LED外延片保持点亮状态并放在烘箱中，达到设定点亮的时间后，再进行测试，得到老化后的测试结果；6)将老化后的测试结果与老化前的测试结果进行比对，从而判断GaAs基LED外延片老化参数波动是否合格；若参数波动合格，则将GaAs基LED外延片的测试结果反馈至GaAs基LED外延片的生长阶段和GaAs基LED芯片的制造阶段；若参数波动不合格，则直接报废，避免LED芯片制...

【专利技术属性】
技术研发人员：李晓明，郑波，黄寿东，智友臻，王彦丽，
申请(专利权)人：山东浪潮华光光电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：