一种LED芯片制备方法、LED芯片技术

本发明专利技术提供一LED芯片制备方法、LED芯片，提供一包含电流阻挡层的半成品芯片，利用电子束蒸镀方式在电流阻挡层上制备ITO膜层，将半成品芯片浸入酸性溶液中，以使酸性溶液透过ITO膜层对电流阻挡层进行侵蚀，采用电子束蒸镀的方式制备ITO膜层的方式，此方式制备的ITO膜层相较磁控溅射获取的膜层在未退火之前更加疏松，正因为ITO膜层在未退火之前致密性较差，因此可依靠未退火ITO膜层疏松特性，在电流阻挡层上方镀ITO膜层，使其浸泡在HF溶液中，通过疏松膜层的扩散作用，HF酸渗透ITO膜层刻蚀底部电流阻挡层，刻蚀效果为多孔结构，从而达到电流阻挡层层表面的粗化目的。到电流阻挡层层表面的粗化目的。到电流阻挡层层表面的粗化目的。

【技术实现步骤摘要】
一种LED芯片制备方法、LED芯片


[0001]本专利技术涉及LED
，特别涉及一LED芯片制备方法、LED芯片。

技术介绍

[0002]发光二极管(Light Emitting Diode，简称：LED)是一种能发光的半导体电子元件，由于其体积小、亮度高、能耗低等特点，吸引了越来越多研究者的注意。
[0003]近年来，随着P型氮化镓掺杂技术取得了巨大的进展，具有响应快、寿命长、功耗低、体积小、亮度高等优良特性的氮化镓基LED，被广泛应用于液晶显示、全彩色显示、交通显示等背光源，光提取效率一直都是困扰其发展的技术难题。
[0004]目前氮化镓基LED光提取效率取决于内量子效率和光提取效率，而内量子效率目前已经实现了最大化，由于表层材料与空气之间的折射相差较大，容易在界面处形成全发射，造成外量子效率较低，因此，外量子效率目前仍然有待进一步的提升。

技术实现思路

[0005]基于此，本专利技术的目的是提供一LED芯片制备方法、LED芯片，旨在解决现有技术中，目前氮化镓基LED光提取效率取决于内量子效率和光提取效本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一包含电流阻挡层的半成品芯片；利用电子束蒸镀方式在所述电流阻挡层上制备ITO膜层；将所述半成品芯片浸入酸性溶液中，以使所述酸性溶液透过所述ITO膜层对所述电流阻挡层进行侵蚀。2.根据权利要求1所述的LED芯片制备方法，其特征在于，所述ITO膜层厚度为25nm～110nm。3.根据权利要求1所述的LED芯片制备方法，其特征在于，所述酸性溶液为HF溶液。4.根据权利要求3所述的LED芯片制备方法，其特征在于，所述HF溶液浓度为5mol/L～25mol/L。5.根据权利要求1所述的LED芯片制备方法，其特征在于，所述将所述半成品芯片浸入酸性溶液中，浸泡时间为30min～100min。6.如权利要求1所述的LED芯片制备方法，其特征在于，所述提供一包含电流阻挡层的半成品芯片的步骤包括：提供一生长所需衬底；在所述衬底上依次生长N型半导体层、发光层以及P型半导体层形成外延层；对所述外延层通过ICP进行蚀刻以将所述外延层上的N型半导体层裸露；利用PECVD在蚀刻后的所述外延层上沉积电流阻挡层，并在所述电流阻挡层表面依次...

【专利技术属性】
技术研发人员：周志兵，张星星，林潇雄，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：