温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种GaAs基LED外延片的老化方法，通过在GaAs基发光二极管外延片制作一个未完全分割开的正方形切割图形，再通过P面放在导电金属板、N面放在导电铜板上的方式，形成通电老化，将老化测试的过程选择在制备芯片的过程之前，从根本上解决了...
该专利属于山东浪潮华光光电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东浪潮华光光电子股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。