清洗装置、晶圆处理设备及其清洗方法制造方法及图纸

本公开涉及一种清洗装置、晶圆处理设备及其清洗方法，当控制阀处于第一工作状态时，排气管路与喷嘴相连通，便能将喷嘴内部的酸气通过排气管路向外抽出，并输出到废物排放机构；当控制阀处于第二工作状态时，清洗管路与排气管路相连通，清洗管路通入的第一清洗液通过第一端进入到排气管路，对排气管路内壁上附着的颗粒物清洁干净，第一清洗液顺势通过第二端排放到废物排放机构中。如此，排气管路内壁上附着的颗粒物会被清洗管路及时地清理掉，不会随制程配液过程中进入到半导体晶片表面而造成旋风状图形的缺陷，进而能够减少微尘颗粒数量，提高产品良率。提高产品良率。提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】
清洗装置、晶圆处理设备及其清洗方法


[0001]本公开涉及半导体清洗
，特别是涉及一种清洗装置与晶圆处理设备及其清洗方法。

技术介绍

[0002]在半导体晶片制造过程中，半导体晶片表面会附着各种有机化合物、金属杂质和微粒等，而半导体晶片(例如晶圆)表面的清洁度是影响半导体晶片可靠性的重要因素之一，如果不对其清洗会大大降低半导体晶片的性能和合格率，所以在半导体晶片制造过程中，会对半导体晶片进行清洗，即去除依附于半导体晶片表面上的有机化合物、金属杂质和微粒等污染物，提高半导体器件的性能和合格率。现有技术中通常使用例如SPM清洗溶液对半导体晶片执行湿法刻蚀，SPM清洗溶液包括硫酸和双氧水，其能够去除半导体晶片上的光刻胶残留物。
[0003]清洗制程过程中，喷嘴的清洗液喷吐结束后，喷嘴内部仍然残留有清洗液，因此通常会通过回吸操作将喷嘴内的残留液体向外抽出，以防止半导体晶片处理过程中因为残留液体偷滴而导致污染半导体晶片。此外，排气管路也会将制程过程中喷嘴内部的酸气同步向外抽出外排。然而，制程喷吐配液过程中，半导体晶片仍然存在因颗粒污染造成的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种清洗装置，其特征在于，所述清洗装置包括：喷嘴；排气管路，所述排气管路包括第一端与第二端，所述第二端连接到废物排放机构；清洗管路，所述清洗管路用于通入第一清洗液；控制阀，所述控制阀分别与所述喷嘴、所述第一端、所述清洗管路相连，所述控制阀设有第一工作状态与第二工作状态；所述控制阀处于第一工作状态时，所述排气管路与所述喷嘴相连通；所述控制阀处于第二工作状态时，所述清洗管路与所述排气管路相连通。2.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述清洗装置还包括干燥管路，所述干燥管路用于通入干燥气体，所述控制阀还与所述干燥管路相连通，所述控制阀还设有第三工作状态，当所述控制阀处于所述第三工作状态时，所述干燥管路与所述排气管路相连通。3.根据权利要求2所述的清洗装置，其特征在于，所述控制阀包括串联地设置于所述第一端与所述喷嘴之间的两个三通阀；其中一个所述三通阀与所述清洗管路相连，另一个所述三通阀与所述干燥管路相连。4.根据权利要求1或2所述的清洗装置，其特征在于，所述清洗管路上串联地设置有第一开关阀和/或流量调控阀。5.根据权利要求2所述的清洗装置，其特征在于，所述干燥管路上串联地设置有第二开关阀、气体流量计、气体压力计中的至少一个。6.根据权利要求2所述的清洗装置，其特征在于，所述第一清洗液包括去离子水；所述干燥气体包括惰性气体。7.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述清洗装置还包括第一抽吸管路、第三开关阀以及第一抽吸器；所述第一抽吸管路一端与所述排气管路相连通，所述第一抽吸管路另一端用于连接到废物排放机构；所述第三开关阀和所述第一抽吸器串联地设置于所述第一抽吸管路上。8.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述清洗装置还包括排液容器，所述排液容器用于接收半导体晶片清洗排出的废液，并将所述废液输出到所述废物排放机构。9.根据权利要求8所述的清洗装置，其特征在于，所述排液容器设有排液管，所述排液管与所述第二端均连接到共用管，所述共...

【专利技术属性】
技术研发人员：陶剑峰，蒋国彪，杨哲闵，王建忠，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：