电镀设备制造技术

本发明专利技术揭示了一种电镀设备，包括：膜架，中心设有通孔；输送支管，从膜架通孔的侧壁延伸到膜架的边缘；电镀液缓冲结构，包括中心帽和稳流套筒；中心帽，固定在膜架的通孔上方且覆盖膜架的通孔，顶部设有多个第一孔；稳流套筒，固定于中心帽下方并插设于膜架的通孔内，其侧壁上开设至少一个第二孔；扩散板，固定于膜架顶部，开设多个第三孔；其中，阴极电镀液通过输送支管进入稳流套筒与膜架通孔的侧壁之间，再通过稳流套筒侧壁上开设的第二孔进入稳流套筒内部，继而通过中心帽的第一孔供应到扩散板并通过第三孔到达基板。本发明专利技术能够对流体的流速进行缓冲，有效解决受镀基板的中心与边缘的差异化问题，提高电镀产品的质量。提高电镀产品的质量。提高电镀产品的质量。

【技术实现步骤摘要】
电镀设备


[0001]本专利技术属于半导体制造
，特别涉及电镀设备。

技术介绍

[0002]目前倒装芯片封装工艺是市场的主流工艺，2.5D及3D封装也逐渐成熟量产化，在电镀应用领域，针对Solder产品的均匀性的提升及共面性的降低尤为重要，如果能得到有效改善，可以大大提高产品的可靠性，从而提高产品的竞争力。
[0003]晶圆级封装电镀目前采用两种电镀形式：水平电镀与垂直挂镀。所述的两种电镀方式对应使用的设备为水平喷流式电镀设备与垂直挂镀式设备。在实际工艺过程中，因为垂直挂镀式设备为较为传统的电镀设备，水平喷流式电镀设备是在垂直挂镀式设备之后进行改进的电镀设备，水平喷流式电镀设备具有操作方便，镀槽扩充性佳及自动化程度高的特性，镀液交叉污染风险低，镀液易于管理，节约用水量及成本，作业环境优，产品均匀性好，可靠性高等特点已然成为取代传统垂直挂镀式设备成为半导体制造厂商选购设备时的优先选择。
[0004]在使用水平喷流式电镀设备对基板进行电镀时，由于通过整个基板上的电流密度不均匀，会导致受镀基板上的镀膜均一性差，共面性高。如果在没有任何结构改进的情况下，简单地通过增加电镀液的流量来提高电镀速率，将会使镀膜的不均匀性更加严重，对于电镀设备来说，虽然化学物质是影响电镀速率的一个因素，但电镀速率主要与电镀液在整个基板上的流量有关。为了达到高的电镀速率，必须有大而稳定的电镀液流供应给基板。但是，一旦电镀液流量增加，就很难控制整个基板的电场和电镀液流动的均匀性。尤其是当电镀设备的流场扩散方式为喷泉式流场时，因为喷泉式流场为中心强，边缘相对较弱。如何控制流场的稳定，成为了如何改善受镀基板的中心与边缘的差异化的至关重要的点。

技术实现思路

[0005]为了更好的保障基板电镀的质量，控制流场的相对稳定，本申请提出一种电镀设备，将阴极电镀液通过输送支管进入稳流套筒与膜架中心的通孔侧壁之间，阴极电镀液通过稳流套筒侧壁上开设的第二孔进入稳流套筒内部，继而通过中心帽的第一孔供应到扩散板上的方式，以解决当电镀设备的流场扩散方式为喷泉式流场时，流场不稳定的问题，进而解决所封装的基板产品的中心与边缘的差异化的问题。
[0006]本专利技术提出的一种电镀设备，包括：
[0007]膜架，中心设有通孔；
[0008]输送支管，从膜架通孔的侧壁延伸到膜架的边缘；
[0009]电镀液缓冲结构，包括中心帽和稳流套筒；
[0010]中心帽，固定在膜架的通孔上方且覆盖膜架的通孔，中心帽的顶部设有多个第一孔；
[0011]稳流套筒，固定于中心帽下方，稳流套筒的侧壁上开设至少一个第二孔，稳流套筒
插设于膜架的通孔内；
[0012]扩散板，固定于膜架顶部，扩散板开设多个第三孔；
[0013]其中，阴极电镀液通过输送支管进入稳流套筒与膜架通孔的侧壁之间，阴极电镀液通过稳流套筒侧壁上开设的第二孔进入稳流套筒内部，继而通过中心帽的第一孔供应到扩散板并通过扩散板上的第三孔到达基板。
[0014]根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述中心帽上的第一孔与扩散板上的第三孔的排布方式相同。
[0015]根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述中心帽上的第一孔与扩散板上的第三孔的排布方式不同。
[0016]根据本申请实施例的一种具体实现方式，每一个所述中心帽上的第一孔分别与扩散板上的对应的第三孔完全重合。
[0017]根据本申请实施例的一种具体实现方式，每一个所述中心帽上的第一孔分别与扩散板上的对应的第三孔局部重合。
[0018]根据本申请实施例的一种具体实现方式，每一个所述中心帽上的第一孔分别与扩散板上的对应的第三孔完全不重合。
[0019]根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述中心帽上的第一孔、扩散板上的第三孔的排布方式均为蜂窝状。
[0020]根据本申请实施例的一种具体实现方式，当所述稳流套筒上的第二孔的数量大于1，所述稳流套筒上的第二孔均匀设置在稳流套筒侧壁上。
[0021]根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述输送支管与通孔连通处与稳流套筒上的第二孔正对应安装。
[0022]根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述输送支管与通孔连通处与稳流套筒上的第二孔相互错开安装。
[0023]根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述稳流套筒上的第二孔的中心均位于同一水平线。
[0024]根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述稳流套筒上的第二孔的中心位于不同水平线上。
[0025]根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述中心帽上的第一孔等径设置。
[0026]根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述中心帽上的第一孔变径设置。
[0027]本专利技术的电镀设备，采用将阴极电镀液通过输送支管进入稳流套筒与膜架中心的通孔侧壁之间形成的空间即第一容纳空间，阴极电镀液通过稳流套筒侧壁上开设的第二孔进入稳流套筒内部空间的第二容纳空间，继而通过中心帽的第一孔供应到扩散板上的方式，有效地防止阴极电镀液直接从膜架中心通孔内向上冲出，影响基板中心区域电镀均匀性的问题，对流体的速度进行了很好地缓冲，有效解决了受镀基板的中心与边缘的差异化问题，提高了电镀产品的质量。本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书以及附图中所指出的结构来实现和获得。
附图说明
[0028]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0029]图1示出了本专利技术实施例的电镀设备局部结构示意图；
[0030]图2示出了本专利技术实施例的膜架俯视结构示意图；
[0031]图3示出了本专利技术实施例的膜架仰视结构示意图；
[0032]图4示出了本专利技术实施例的电镀液缓冲结构立体示意图；
[0033]图5示出了本专利技术实施例的电镀液缓冲结构俯视结构示意图；
[0034]图6示出了本专利技术实施例的电镀液缓冲结构仰视结构示意图；
[0035]图7示出了本专利技术实施例中电镀液缓冲结构与膜架装配完成局部结构示意图；
[0036]图8示出了本专利技术实施例的扩散板俯视结构示意图；
[0037]图9示出了本专利技术实施例的扩散板仰视结构示意图；以及
[0038]图10示出了本专利技术实施例的流体传输示意图。
具体实施方式
[0039]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地说明，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电镀设备，其特征在于，包括：膜架，中心设有通孔；输送支管，从膜架通孔的侧壁延伸到膜架的边缘；电镀液缓冲结构，包括中心帽和稳流套筒；中心帽，固定在膜架的通孔上方且覆盖膜架的通孔，中心帽的顶部设有多个第一孔；稳流套筒，固定于中心帽下方，稳流套筒的侧壁上开设至少一个第二孔，稳流套筒插设于膜架的通孔内；扩散板，固定于膜架顶部，扩散板开设多个第三孔；其中，阴极电镀液通过输送支管进入稳流套筒与膜架通孔的侧壁之间，阴极电镀液通过稳流套筒侧壁上开设的第二孔进入稳流套筒内部，继而通过中心帽的第一孔供应到扩散板并通过扩散板上的第三孔到达基板。2.根据权利要求1所述的电镀设备，其特征在于：所述中心帽上的第一孔与扩散板上的第三孔的排布方式相同。3.根据权利要求1所述的电镀设备，其特征在于：所述中心帽上的第一孔与扩散板上的第三孔的排布方式不同。4.根据权利要求2所述的电镀设备，其特征在于：每一个所述中心帽上的第一孔分别与扩散板上的对应的第三孔完全重合。5.根据权利要求2所述的电镀设备，其特征在于：每一个所述中心帽上的第一孔分别与扩散板上的对...

【专利技术属性】
技术研发人员：李佳奇，李彪，盛俊威，杨宏超，贾照伟，王坚，王晖，
申请(专利权)人：盛美半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：