一种修饰铁电薄膜表面的方法及得到的铁电薄膜技术

本发明专利技术提供一种修饰铁电薄膜表面的方法及得到的铁电薄膜，所述方法包括：在铁电薄膜表面修饰正离子或负离子，以在铁电薄膜表面构建与铁电薄膜的初始极化方向相反的表面电场。本发明专利技术在初始极化向上铁电薄膜表面修饰H

【技术实现步骤摘要】
一种修饰铁电薄膜表面的方法及得到的铁电薄膜


[0001]本专利技术涉及铁电薄膜材料
，更具体地，涉及一种修饰铁电薄膜表面的方法及得到的铁电薄膜。

技术介绍

[0002]目前随着信息技术的高速发展，人工智能、物联网等新兴技术的出现对信息存储器的性能提出了更高的要求，因此研究新型信息存储器成为推动信息技术发展的重要环节。新型存储器的研究中，铁电材料由于具有安全性高、功耗低、读取写入速度快、抗电磁辐射等特点成为最具有潜力的新型信息存储材料之一。铁电存储器是利用铁电材料拥有的能够在外电场作用下调控(反转)的自发极化实现信息存储，极化向上或向下分别对应信息存储当中的“1”或“0”态。这些被“写入”(反转)的铁电畴(极化状态)的保持性能将决定着存储器件的有效期限，因此研究并提高“写入”的纳米铁电畴的保持性能十分重要。但是目前的铁电材料中通常会存在极化弛豫失效现象，即“写入”的极化态会随时间的推移发生弛豫，极化方向自发反转回初始的状态。
[0003]针对上述铁电极化保持失效问题，虽然实验上发现可以通过引入相界、畴壁、缺陷等方法来提高铁电极化保持本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种修饰铁电薄膜表面的方法，其特征在于，包括：在铁电薄膜表面修饰正离子或负离子，以在所述铁电薄膜表面构建与所述铁电薄膜的初始极化方向相反的表面电场。2.根据权利要求1所述的修饰铁电薄膜表面的方法，其特征在于，所述铁电薄膜覆盖在底电极表面上，所述底电极覆盖在衬底表面上，方法具体包括：将铁电薄膜、底电极和衬底浸没于电解液中，电解液中设置有对电极，底电极接地，向对电极施加正电压或负电压，使电解液中的正离子或负离子聚集在铁电薄膜表面并与铁电薄膜表面成键；停止向对电极施加正电压或负电压，取出铁电薄膜并去除表面的残余电解液。3.根据权利要求2所述的修饰铁电薄膜表面的方法，其特征在于，向对电极施加的电压为大小5
‑
10V、频率1kHz
‑
10MHz的脉冲电压，施加电压的时间为1
‑
20分钟。4.根据权利要求2所述的修饰铁电薄膜表面的方法，其特征在于，所述底电极通过导线接地，所述底电极与导线连接处不与电解液接触；所述底电极用银胶与导线相连。5.根据权利要求2所述的修饰铁电薄膜表面的方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：田瑜，曾召利，张金星，
申请(专利权)人：中国人民解放军空军军医大学，
类型：发明
国别省市：