太阳能电池及其制备方法技术

本申请提供了一种太阳能电池及其制备方法，制备方法包括：对硅基底进行清洗制绒，在硅基底的表面制备绒面结构；采用激光掺杂对清洗制绒后的硅基底进行硼掺杂；对硼掺杂后的硅基底依次进行再次制绒和退火修复，再次制绒用于对绒面结构进行修复，退火修复用于对所述硅基底的晶格缺陷进行修复。本申请通过再次制绒和退火修复，修复激光掺杂对基底造成的激光损伤造成的晶格缺陷和晶格畸变。造成的晶格缺陷和晶格畸变。造成的晶格缺陷和晶格畸变。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池及其制备方法


[0001]本专利技术涉及光伏器件
，特别是涉及一种太阳能电池及其制备方法。

技术介绍

[0002]TOPCon电池(Tunnel Oxide Passivated Contact的缩写，隧穿氧化层钝化接触)是采用管式LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition，低压化学气相沉积)设备进行制备，隧穿氧化层和掺杂多晶硅层两层共同形成钝化接触结构，该隧穿氧化钝化接触结构能够使得多数载流子穿过氧化层，对少数载流子起阻挡作用，有效地实现了载流子的选择通过性，从而极大地降低了少数载流子的复合速率，提高了电池的效率。目前，TOPCon电池的最高效率已达到26.81％，其量产效率也已经达到24.5％以上。
[0003]其中，TOPCon电池中发射极层采用激光SE技术进行硼掺杂，不仅能够改善正面钝化效果，而且能够改善金属浆料欧姆接触，从而提高开压并降低串阻，提高填充因子。
[0004]但是采用激光SE技术制备n型TOPCon电池正面发射极容易造成绒面损伤，且熔融硅在凝固过本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：对硅基底进行清洗制绒，在所述硅基底的表面制备绒面结构；采用激光掺杂对清洗制绒后的所述硅基底进行硼掺杂；对硼掺杂后的所述硅基底依次进行再次制绒和退火修复，所述再次制绒用于对所述绒面结构进行修复，所述退火修复用于对所述硅基底的晶格缺陷进行修复。2.如权利要求1所述太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述基底进行再次制绒前还进行酸洗，所述酸洗用于去除所述硅基底上的外观缺陷。3.如权利要求2所述太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述酸洗的过程采用的酸性溶液包括氢氟酸溶液。4.如权利要求2所述太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述酸洗的过程中酸性溶液的质量浓度为20％～40％，所述酸洗的时间为30s～60s。5.如权利要求1所述太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述再次制绒的过程包括：采用碱性溶液对硼掺杂后所述硅基底的激光掺杂区域进行刻蚀制绒。6.如权利要求5所述太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述再次制绒的过程中，还包括对硼掺杂后所述硅基底的非激光掺杂区域进行刻蚀制绒。7.如权利要求5所述太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述再次制绒的过程至少满足如下条件中的至少一...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴晓鹏，汪宏迪，刘成法，陈红，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：