【技术实现步骤摘要】
引线框架溢胶去除方法及设备
[0001]本专利技术涉及半导体封装
,具体而言,涉及一种引线框架溢胶去除方法及设备。
技术介绍
[0002]半导体产品在完成塑封后,不可避免地会在引线框架上产生溢胶现象,所以需要进行化学或水刀等方式,去除多余部分的胶体。由于物料的溢胶较大,如使用化学浸煮的方式不仅处理时间较长,且易对功能区域的塑封本体也造成腐蚀过度;用水刀去胶则很难完全去除溢胶,且精度较差,容易造成塑封体损伤。如采用的手工锉刀去胶方式,不仅效率低,且容易过度加工损伤框架。传统的去胶方式,不仅限制了产能,加工费用较大且难以管控加工质量。
技术实现思路
[0003]本专利技术的目的包括,例如,提供了一种引线框架溢胶去除方法及设备,其能够快速高效完成溢胶的去除。
[0004]本专利技术的实施例可以这样实现:第一方面,本专利技术提供一种引线框架溢胶去除方法,包括:获取装载有引线框架的托盘的第一坐标位置;根据所述坐标位置调整第一激光器和第二激光器的聚焦位置;开启所述第一激光器和所述第二激光器,去除所述引线框架上预设位置的溢胶;其中,所述第一激光器和所述第二激光器分别采用二氧化碳激光器;检测所述预设位置的溢胶是否清除干净;若所述预设位置的溢胶没有清除干净,则记录未清除的溢胶的第二坐标位置;对所述第二坐标位置的溢胶进行二次清除。
[0005]所述托盘上设有多列所述引线框架,每列引线框架上具有多个待除胶单元,所述待除胶单元的左右两侧分别具有溢胶部;其中,左侧溢胶部具有相对设置的第一溢胶面和第二溢胶面 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种引线框架溢胶去除方法,其特征在于,包括:获取装载有引线框架的托盘的第一坐标位置;根据所述第一坐标位置调整第一激光器和第二激光器的聚焦位置;开启所述第一激光器和所述第二激光器,去除所述引线框架上预设位置的溢胶;其中,所述第一激光器和所述第二激光器分别采用二氧化碳激光器;检测所述预设位置的溢胶是否清除干净;若所述预设位置的溢胶没有清除干净,则记录未清除的溢胶的第二坐标位置;对所述第二坐标位置的溢胶进行二次清除。2.根据权利要求1所述的引线框架溢胶去除方法,其特征在于,所述托盘上设有多列所述引线框架,每列引线框架上具有多个待除胶单元,所述待除胶单元的左右两侧分别具有溢胶部;其中,左侧溢胶部具有相对设置的第一溢胶面和第二溢胶面;右侧溢胶部包括多个引脚,每个所述引脚具有相对设置的第三溢胶面和第四溢胶面;所述第一激光器分别与所述第一溢胶面和所述第三溢胶面位于同一侧,所述第二激光器分别与所述第二溢胶面和所述第四溢胶面位于同一侧;开启所述第一激光器和所述第二激光器,去除所述引线框架上预设位置的溢胶的步骤包括:依次去除每列所述引线框架上的溢胶;其中,包括对每列引线框架上的多个待除胶单元依次除胶;对单个待除胶单元除胶的步骤包括:调整所述第一激光器和所述第二激光器的聚焦位置至所述左侧溢胶部;所述第一激光器去除所述第二溢胶面上的溢胶;所述第二激光器去除所述第一溢胶面上的溢胶;调整所述第一激光器和所述第二激光器的聚焦位置至所述右侧溢胶部;所述第一激光器依次去除每个所述引脚的第三溢胶面上的溢胶;所述第二激光器依次去除每个所述引脚的第四溢胶面上的溢胶;直至所有列的引线框架上的溢胶去除完毕。3.根据权利要求2所述的引线框架溢胶去除方法,其特征在于,还包括第一辅助激光器和第二辅助激光器;所述第一辅助激光器和所述第一激光器位于同一侧;所述第二辅助激光器和所述第二激光器位于同一侧;依次去除每列所述引线框架上的溢胶的步骤包括:去除第一列的引线框架上的溢胶;其中,所述第一辅助激光器和所述第二辅助激光器关闭,所述第一激光器和所述第二激光器开启,去除第一列的引线框架上的溢胶;检测第一列引线框架上的溢胶是否去除干净;去除第二列的引线框架上的溢胶;其中,所述第一辅助激光器和所述第二辅助激光器开启,去除第一列引线框架上没有去除干净的溢胶;所述第一激光器和所述第二激光器开启,去除第二列的引线框架上的溢胶;以此类推,去除最后一列的引线框架上的溢胶;其中,所述第一辅助激光器和所述第二辅助激光器开启,去除倒数第二列引线框架上没有去除干净的溢胶;所述第一激光器和所述第二激光器开启,去除最后一列的引线框架上的溢胶;检测最后一列引线框架上的溢胶是否去除干净;所述第一辅助激光器和所述第二辅助激光器开启,去除最后一列引线框架上没有去除干净的溢胶;所述第一激光器和所述第二激光器关闭。
4.根据权利要求1所述的引线框架溢胶去除方法,其特征在于,所述托盘上设有多列所述引线框架,每列引线框架上具有多个待除胶单元,所述待除胶单元的左右两侧分别具有溢胶部;根据所述第一坐标位置调整第一激光器和第二激光器的聚焦位置的步骤包括:将所述第一激光器的聚焦位置调整至第一列引线框架中第一个待除胶单元的左侧溢胶部;将所述第二激光器的聚焦位置调整至第一列引线框架中第一个待除胶单元的右侧溢胶部;开启所述第一激光器和所述第二激光器,去除所述引线框架上预设位置的溢胶的步骤包括:所述第一激光器依次去除第一列引线框架中多个待除胶单元的左侧溢胶部的溢胶;所述第二激光器依次去除第一列引线框架中多个待除胶单元的右侧溢胶部的溢胶;其中,每个所述待除胶单元的左右两侧的溢胶部同时去除;开启所述第一激光器和所述第二激光器,去除所述引线框架上预设位置的溢胶的步骤包括:所述第一激光器依次去除第一列引线框架中多个待除胶单元...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈占胜,潘宇文,
申请(专利权)人:浙江森尼克半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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