电流传感器及其集成电路装置制造方法及图纸

本申请公开了一种电流传感器及其集成电路装置。其中，集成电路装置包括：基板，形成有相对设置的第一表面和第二表面；第一类引线构架，用于在基板的第一表面的一侧形成第一电流路径；和若干磁场换能器，设置于基板的第一表面上或第一表面的一侧；其中，第一类引线构架形成有用于环绕两个相异的磁场换能器的第一环绕部和第二环绕部；第一环绕部具有朝向第一方向的第一敞口；第二环绕部具有朝向与第一方向相异的第二方向的第二敞口。本申请的有益之处在于：提供了一种通过对磁场换能器的数目、排布和引线构架对它们环绕结构的改良设计从而改善检测精度的电流传感器及其集成电路装置。置。置。

【技术实现步骤摘要】
电流传感器及其集成电路装置


[0001]本申请涉及一种电流传感器及其集成电路装置。

技术介绍

[0002]如本领域公知的是，一种常规的电流传感器采用了位于导电体附件的磁场换能器(例如霍耳效应换能器或磁阻换能器)。磁场换能器所产生输出信号的幅值与流经所述导电体的电流的感应磁场成比例。
[0003]某些典型的霍耳效应电流传感器包括一个有隙的环形磁通集中器，且霍耳效应元件被布置在环形铁心的间隙中。霍耳效应器件和环形铁心被组装到一个壳体中，该壳体被安装到一个印刷电路板上。在使用过程中，单路导电体一例如电线穿过环形铁心的中心。无论是在高度方面，还是在电路板面积方面，这样的装置都趋于使尺寸不利地增大。
[0004]其它的霍耳效应电流传感器包括安装在一介电材料(例如电路板)上的霍耳效应元件。在第EP0867725号欧洲专利申请中公开了此类电流传感器中的一种。另外一些其它的霍耳效应电流传感器包括安装在一个基板上的霍耳效应元件，其中的基板例如是硅基板，第EP1111693号欧洲专利申请就公开了这样的电流传感器。
[0005]其些类似集成电路装置中，采用引线构架对霍尔元件环绕的方式实现其功能，如在CN200480024296.5专利申请中公开的电流传感器，但是在这样结构中，在收到外部磁场影响时，引线构架的磁场受到干扰从而导致检测精度收到影响。

技术实现思路

[0006]本申请的内容部分用于以简要的形式介绍构思，这些构思将在后面的具体实施方式部分被详细描述。本申请的内容部分并不旨在标识要求保护的技术方案的关键特征或必要特征，也不旨在用于限制所要求的保护的技术方案的范围。
[0007]本申请的一些实施例提出了一种集成电路装置，包括：基板，形成有相对设置的第一表面和第二表面；第一类引线构架，用于在基板的第一表面的一侧形成第一电流路径；和若干磁场换能器，设置于基板的第一表面上或第一表面的一侧；其中，第一类引线构架形成有用于环绕两个相异的磁场换能器的第一环绕部和第二环绕部；第一环绕部具有朝向第一方向的第一敞口；第二环绕部具有朝向与第一方向相异的第二方向的第二敞口。
[0008]进一步的，第一方向与第二方向为相对垂直的方向。
[0009]进一步的，第一方向和第二方向所成夹角的取值范围为5度至85度。
[0010]进一步的，第一敞口至少包括一个平行于第一方向的直线的敞口边缘。
[0011]进一步的，第一敞口至少包括两个沿第一方向平行设置的直线的敞口边缘。
[0012]进一步的，直线的敞口边缘延伸至包围磁场换能器的位置。
[0013]进一步的，第二敞口至少包括一个平行于第二方向的直线的敞口边缘。
[0014]进一步的，第二敞口至少包括两个沿第二方向平行设置的直线的敞口边缘。
[0015]进一步的，直线的敞口边缘延伸至包围磁场换能器的位置。
[0016]作为本申请的第二方面，本申请的一些实施例提供了一种电流传感器，该电流传感器包括前述的集成电路装置。
[0017]本申请的有益效果在于：提供了一种通过对磁场换能器的数目、排布和引线构架对它们环绕结构的改良设计从而改善检测精度的电流传感器及其集成电路装置。
附图说明
[0018]构成本申请的一部分的附图用来提供对本申请的进一步理解，使得本申请的其它特征、目的和优点变得更明显。本申请的示意性实施例附图及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。
[0019]另外，贯穿附图中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的元素。应当理解附图是示意性的，元件和元素不一定按照比例绘制。
[0020]在附图中：
[0021]图1是根据本申请第一种实施例的集成电路装置的立体结构示意图；
[0022]图2是图1所示的集成电路装置的分解结构示意图；
[0023]图3是图2所示的集成电路装置的平面布局示意图；
[0024]图4是图3所示的集成电路装置的局部放大图；
[0025]图5是图3所示的集成电路装置的一部分布线示意图；
[0026]图6是根据本申请第二种实施例的集成电路装置的平面布局示意图；
[0027]图7是根据本申请第三种实施例的集成电路装置的平面布局示意图；
[0028]图8是根据本申请第四种实施例的集成电路装置的平面布局示意图；
[0029]图9是根据本申请第五种实施例的集成电路装置的平面布局示意图；
[0030]图10是根据本申请第六种实施例的集成电路装置的平面布局示意图；
[0031]图11是图10所示的集成电路装置的局部放大图；
[0032]图12是根据本申请第七种实施例的集成电路装置的平面布局示意图；
[0033]图13是根据本申请第八种实施例的集成电路装置的平面布局示意图；
[0034]图14是根据本申请第九种实施例的集成电路装置的平面布局示意图；
[0035]图15是根据本申请一个实施例的电流传感器的结构示意图
具体实施方式
[0036]下面将参照附图更详细地描述本公开的实施例。虽然附图中显示了本公开的某些实施例，然而应当理解的是，本公开可以通过各种形式来实现，而且不应该被解释为限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例是为了更加透彻和完整地理解本公开。应当理解的是，本公开的附图及实施例仅用于示例性作用，并非用于限制本公开的保护范围。
[0037]另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与有关专利技术相关的部分。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0038]需要注意，本公开中提及的“第一”、“第二”等概念仅用于对不同的装置、模块或单元进行区分，并非用于限定这些装置、模块或单元所执行的功能的顺序或者相互依存关系。
[0039]需要注意，本公开中提及的“一个”、“多个”的修饰是示意性而非限制性的，本领域技术人员应当理解，除非在上下文另有明确指出，否则应该理解为“一个或多个”。
[0040]本公开实施方式中的多个装置之间所交互的消息或者信息的名称仅用于说明性的目的，而并不是用于对这些消息或信息的范围进行限制。
[0041]下面将参考附图并结合实施例来详细说明本公开。
[0042]参照图1至图3所示，本申请的集成电路装置100包括：基板20、第一类引线构架30、第二类引线构架40以及若干磁场换能器。
[0043]其中，基板20从形状而言，大致被构造为一个板结构，即在图1所述坐标系中，在X轴方向和Y轴方向具有较大的尺寸，而在Z轴方向具有较小的尺寸。更具体而言，基板20形成有相对设置的第一表面21和第二表面22，基板20的第一表面21和第二表面22被构造为大致平坦的表面，但是并不仅限标准的平面，其也可以由于集成电路构造的需求在第一表面21或第二表面22形成一定沟道或凸起等。
[0044]基板20可以由硅等半导体材料构成，作为一个可选实施方式，基板20也可以由本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路装置，其特征在于：所述集成电路装置包括：基板，形成有相对设置的第一表面和第二表面；第一类引线构架，用于在所述基板的第一表面的一侧形成第一电流路径；和若干磁场换能器，设置于所述基板的第一表面上或第一表面的一侧；其中，所述第一类引线构架形成有用于部分的环绕两个相异的磁场换能器的第一环绕部和第二环绕部；所述第一环绕部具有朝向第一方向的第一敞口；所述第二环绕部具有朝向与所述第一方向相异的第二方向的第二敞口。2.根据权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于：所述第一方向与所述第二方向为相对垂直的方向。3.根据权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于：所述第一方向和所述第二方向所成夹角的取值范围为5度至85度。4.根据权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于：所述第一敞口至少包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑律，陈占胜，夏凌辉，黄禾，
申请(专利权)人：浙江森尼克半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：