一种半导体近场主动成像传感器制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体近场主动成像传感器，包括：硅光电感应层，其朝向成像目标物的一面为感应接收面；所述硅光电感应层内包括：像素单元阵列，其靠近感应接收面一侧具有PN结；主动照射单元阵列，其位于像素单元间隙，其包括一个与感应接收面相垂直的微光垂直导管，从感应接收面向外对目标物提供原位主动照射，本发明专利技术采用与光电感应像素单元一起规则排列的点阵微光源照射，为光电成像单元提供原位、均匀的主动近场照射，可以从根本解决上述问题，实现高质量、更和目标相符的成像。更和目标相符的成像。更和目标相符的成像。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体近场主动成像传感器


[0001]本专利技术半导体图像传感器
，尤其涉及一种近场主动成像传感器。

技术介绍

[0002]通常典型的近场光学成像系统的应用场景是一个介入式的内部成像。例如，插入人体机体内(如食管、气管)的自照明摄像头，基本上均包括光电成像传感器、光学镜头组和主动成像所必需的照射光附件。由于肌体作为成像的目标物，其与成像传感器的距离，仅为传感器平面尺寸的几倍到一倍甚至更少，因此实现清楚的成像透镜组的焦距同样要小(曲度较大)，而且透镜设计加工难度会增大。同时，照射光附件及其提供的主动照明光只能在光电成像传感器之外照射目标物，因而主动照射光场自身就不规则、不均匀，这样也导致光电感应成像的图像天生就不会一致、不稳定、质量差，一直是填入式近场主动成像的难题。

技术实现思路

[0003]为了解决以上技术问题，本专利技术提供了一种半导体近场主动成像传感器，包括：硅光电感应层，其朝向成像目标物的一面为感应接收面；所述硅光电感应层内包括：像素单元阵列，其靠近感应接收面一侧具有PN结；主动照射单元阵列，其位于像素单元间隙本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体近场主动成像传感器，其特征在于，包括：硅光电感应层，其朝向成像目标物的一面为感应接收面；所述硅光电感应层内包括：像素单元阵列，其靠近感应接收面一侧具有PN结；主动照射单元阵列，其位于像素单元间隙，其包括一个与感应接收面相垂直的微光垂直导管，从感应接收面向外对目标物提供原位主动照射。2.根据权利要求1所述的半导体近场主动成像传感器，其特征在于，主动照射单元还包括一个设置于微光垂直导管靠近感应接收面的光扩散体，所述光扩散体为半圆形，用于将微光垂直导管发射的光多方位扩散。3.根据权利要求2所述的半导体近场主动成像传感器，其特征在于，微光垂直导管的外壁，具有反射层，反射层的材料为Al、Cu、Ti、Cr、Co、Wu、Ta，或其合金的任意一种。4.根据权利要求3所述的半导体近场主动成像传感器，其特征在于，微光垂直导管的内部填充有光传导载体，所述光传导载体为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的任意一种或其组合。5.根据权利要求1所述的半导体近场主动成像传感器，其特征在于，所述硅光电感应层的像素单元还包含一个置于PN结靠近感应接收面一侧的光吸收黑体环，其对特定波段的光照射产生吸收。6.根据权利要求4所述的半导体近场主动成像传感器，其特征在于，还包括光传输层，其位于硅光电感应层背离感应接收面的一侧，其包括：至少一个穿片电学互连件，所述穿片电学互连件与硅光感应层中的感应电路互联网络相连；光源导入件，...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄河，
申请(专利权)人：深圳瑞纳电子技术发展有限公司，
类型：发明
国别省市：