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本发明公开了一种半导体近场主动成像传感器，包括：硅光电感应层，其朝向成像目标物的一面为感应接收面；所述硅光电感应层内包括：像素单元阵列，其靠近感应接收面一侧具有PN结；主动照射单元阵列，其位于像素单元间隙，其包括一个与感应接收面相垂直的微光...
该专利属于深圳瑞纳电子技术发展有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳瑞纳电子技术发展有限公司授权不得商用。

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