一种氘代组合物及其应用制造技术

技术编号:39135369 阅读:8 留言:0更新日期:2023-10-23 14:52
本发明专利技术提供一种氘代组合物及其应用。所述氘代组合物包括第一组分,所述第一组分包括至少2种具有如下式I所示结构的化合物。本发明专利技术中通过对氘代组合物的具体组成进行设计,由此氘代组合物作为发光层主体材料,制备得到的OLED器件具有较低的驱动电压、较高的电流效率和较长的寿命。长的寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种氘代组合物及其应用


[0001]本专利技术属于有机电致发光材料
,具体涉及一种氘代组合物及其应用。

技术介绍

[0002]显示器集电子、通信和信息处理技术于一体,被视为电子工业继电子和计算机之后的又一个重大发展机会。在目前的多种平板显示器中,液晶显示器(LCD)具有重要地位,但是,液晶显示器(LCD)具有许多不足:自身不发光,需要靠光源或借助环境光、存在视角问题、响应速度慢、分辨率不高等。因此,人们一直在寻找新的平板显示技术。有机电致发光现象早在1963年就已经被发现,但在当时并未引起人们的重视;直到1987年美国柯达公司Tang研究小组发表了以有机荧光材料和空穴材料制成直流低电压驱动的高亮度、高效率的薄膜型有机电致发光器件(OLED)后,该技术才重新得到关注,并开创了一个全新的研究领域。
[0003]OLED具有突出的优势,如功耗低、响应速度快、易弯曲、视角广、可大面积显示、发光色彩全等,并可与现有的多种标准、技术兼容制成低成本的发光器件,在实现彩色平板显示方面展现出广阔的应用前景。在过去的数十年里,OLED作为一种新的显示技术已经获得了长足发展,在平板显示、柔性显示、固态照明和车载显示领域中获得了广泛应用。
[0004]因此,开发更多种类、性能更加完善的OLED类材料,以满足其在高性能OLED器件的使用需求,是本领域的研究重点。

技术实现思路

[0005]针对现有技术的不足,本专利技术的目的在于提供一种氘代组合物及其应用。本专利技术中通过对氘代组合物的具体组成进行设计,由此氘代组合物作为发光层主体材料,制备得到的OLED器件具有较低的驱动电压、较高的电流效率和较长的寿命。
[0006]为达此目的,本专利技术采用以下技术方案:
[0007]第一方面,本专利技术提供一种氘代组合物,所述氘代组合物包括第一组分,所述第一组分包括至少2种具有如下式I所示结构的化合物;
[0008][0009]其中,式I化合物中的氢原子各自独立地可以被如式I

1所示结构的基团、C1~C12烷基、C1~C12烷氧基、C6~C30芳基或C5~C20杂芳基中的至少一种替代,*表示连接位点;
[0010]Ar
601
选自取代或未取代的C6~C30芳基、取代或未取代的C5~C20杂芳基中的任意
一种;
[0011]R
602
、R
603
、R
604
各自独立地选自取代或未取代的C6~C30芳基;
[0012]Ar
601
、R
602
、R
603
、R
604
中所述取代的取代基各自独立地选自C1~C12烷基、C1~C12烷氧基、C6~C12芳基中的至少一种;
[0013]m、n独立的选自0或者1;
[0014]所述第一组分中式I化合物符合条件(1)或条件(2),且至少1种式I化合物符合条件(2):
[0015](1)式I化合物中不含氘原子(D);
[0016](2)式I化合物中至少一个氢原子被氘原子替代(D)。
[0017]需要说明的是,当n为1时,Ar
601
选自取代或未取代的C6~C30亚芳基或取代或未取代的C5~C20亚杂芳基;当n为0时,Ar
601
选自取代或未取代的C6~C30芳基或取代或未取代的C5~C20杂芳基。
[0018]本专利技术中,通过对氘代组合物的具体组成进行设计,进一步通过包括至少2种具有如下式I所示结构的化合物作为第一组分,以包括第一组分的材料作为OLED发光层主体材料,制备得到的OLED发光器件的综合性能较好,驱动电压较低,电流效果较高,使用寿命较长。
[0019]本专利技术中,“D”表示氘原子,下同。
[0020]本专利技术中,C1~C12可以是C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10、C11或C12。
[0021]C6~C30可以是C6、C7、C8、C10、C12、C15、C18、C20、C24、C26或C30等。
[0022]C5~C20可以是C5、C7、C8、C10、C12、C15、C18或C20等。
[0023]C6~C12可以是C6、C10或C12等。
[0024]以下作为本专利技术的优选技术方案,但不作为对本专利技术提供的技术方案的限制,通过以下优选的技术方案,可以更好的达到和实现本专利技术的目的和有益效果。
[0025]作为本专利技术的优选技术方案,所述第一组分包括至少两种式I化合物,所述两种式I化合物的母核结构相同。
[0026]需要说明的是,化合物的母核结构相同是指不同化合物中,除了氢原子、氘原子外,其他结构均相同。
[0027]优选地,所述第一组分包括至少两种式I化合物,所述两种式I化合物的母核结构不同。
[0028]需要说明的是,化合物的母核结构不同是指不同化合物中,除了氢原子、氘原子外,其他结构不同。
[0029]作为本专利技术的优选技术方案,所述C6~C30芳基选自苯基、联苯基、三联苯基、四联苯基、萘基、菲基、蒽基、芴基、苯并芴基、二苯并芴基、三亚苯基、荧蒽基、芘基、苝基、螺芴基、茚并芴基、氢化的苯并蒽基、三苯基硅基、四苯基硅基中的任意一种或至少两种的组合。
[0030]优选地,所述C5~C20杂芳基选自吡啶、嘧啶、氮杂萘、二氮杂萘、咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩、萘并苯并呋喃、萘并苯并噻吩、二萘并噻吩、二萘并呋喃、二苯并呋喃并苯并呋喃中的任意一种或至少两种的组合。
[0031]优选地,所述C1~C12烷基选自甲基、乙基、叔丁基、戊基、己基中的任意一种。
[0032]优选地,所述C1~C12烷氧基选自甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧
基、庚氧基中的任意一种。
[0033]优选地,所述C6~C12芳基选自苯基、萘基或二联苯基中的任意一种。
[0034]优选地,式I化合物中的氢原子各自独立地可以被式I

1所示结构的基团、甲基、乙基、叔丁基、甲氧基、苯基、联苯基、9,9

二甲基芴基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基或萘基中的至少一种替代;
[0035]式I

1所示结构的基团的结构式如上所述。
[0036]作为本专利技术的优选技术方案,所述式I化合物具有如下式I

A或I

B所示结构:
[0037][0038]其中,式I

A化合物或I

B化合物中的氢原子各自独立地可以被式I

1所示结构的基团替代,*表示连接位点。
[0039]作为本专利技术的优选技术方案,所述式I

A化合物中Ar
601
选自亚苯基、亚二联苯基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚9,9

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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氘代组合物,其特征在于,所述氘代组合物包括第一组分,所述第一组分包括至少2种具有如下式I所示结构的化合物;其中,式I化合物中的氢原子各自独立地可以被如式I

1所示结构的基团、C1~C12烷基、C1~C12烷氧基、C6~C30芳基或C5~C20杂芳基中的至少一种替代,*表示连接位点;Ar
601
选自取代或未取代的C6~C30芳基、取代或未取代的C5~C20杂芳基中的任意一种;R
602
、R
603
、R
604
各自独立地选自取代或未取代的C6~C30芳基;Ar
601
、R
602
、R
603
、R
604
中所述取代的取代基各自独立地选自C1~C12烷基、C1~C12烷氧基、C6~C12芳基中的至少一种;m、n独立的选自0或者1;所述第一组分中式I化合物符合条件(1)或条件(2),且至少1种式I化合物符合条件(2):(1)式I化合物中不含氘原子;(2)式I化合物中至少一个氢原子被氘原子替代。2.根据权利要求1所述的氘代组合物,其特征在于,所述第一组分包括至少两种式I化合物,所述两种式I化合物的母核结构相同;优选地,所述第一组分包括至少两种式I化合物,所述两种式I化合物的母核结构不同。3.根据权利要求1或2所述的氘代组合物,其特征在于,所述C6~C30芳基选自苯基、联苯基、三联苯基、四联苯基、萘基、菲基、蒽基、芴基、苯并芴基、二苯并芴基、三亚苯基、荧蒽基、芘基、苝基、螺芴基、茚并芴基、氢化的苯并蒽基、三苯基硅基、四苯基硅基中的任意一种或至少两种的组合;优选地,所述C5~C20杂芳基选自吡啶、嘧啶、氮杂萘、二氮杂萘、咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩、萘并苯并呋喃、萘并苯并噻吩、二萘并噻吩、二萘并呋喃、二苯并呋喃并苯并呋喃中的任意一种或至少两种的组合;优选地,所述C1~C12烷基选自甲基、乙基、叔丁基、戊基、己基中的任意一种;优选地,所述C1~C12烷氧基选自甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基中的任意一种;优选地,所述C6~C12芳基选自苯基、萘基或二联苯基中的任意一种;优选地,式I化合物中的氢原子各自独立地可以被式I

1所示结构的基团、甲基、乙基、叔丁基、甲氧基、苯基、联苯基、9,9

二甲基芴基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基或萘基中的至少一种替代;
式I

1所示结构的基团的结构式如权利要求1所述。4.根据权利要求1

3任一项所述的氘代组合物,其特征在于,所述式I化合物具有如下式I

A或I

B所示结构:其中,式I

A化合...

【专利技术属性】
技术研发人员:洪豪志王占奇李志强陆金波黄常刚
申请(专利权)人:阜阳欣奕华材料科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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