一种用于石英晶片的搭载基准确定方法技术

本发明专利技术涉及石英晶体生产领域，具体涉及一种用于石英晶片的搭载基准确定方法，包括：S1、获取石英晶片的基座基础数值；S2、利用所述石英晶片的基座基础数值建立基准筛选阈值；S3、根据所述基准筛选阈值完成石英晶片的搭载基准确定，规避了因可阀环与PAD的位置波动带来的胶点与晶片相对于PAD的位置波动，使胶点和晶片相对于PAD的位置相对唯一，从而提升最终产品的稳定性。产品的稳定性。产品的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种用于石英晶片的搭载基准确定方法


[0001]本专利技术涉及石英晶体生产领域，具体涉及一种用于石英晶片的搭载基准确定方法。

技术介绍

[0002]原有的点胶及晶片搭载定位方法是直接将PKG可阀环中心作为点胶及晶片搭载的位置基准，在此基准上进行点胶作业和晶片搭载作业。因不同PKG可阀环的位置相对于PAD具有波动性，故在以可阀环为基准的情况下，胶点及晶片位置相对于PAD也存在波动，造成最终石英晶体谐振器产品阻抗值的离散度大。

技术实现思路

[0003]针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种用于石英晶片的搭载基准确定方法，通过将多种坐标值相结合获取最终基准值，提升基准的获取效率与准确性。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提供了一种用于石英晶片的搭载基准确定方法，包括：
[0005]S1、获取石英晶片的基座基础数值；
[0006]S2、利用所述石英晶片的基座基础数值建立基准筛选阈值；
[0007]S3、根据所述基准筛选阈值完成石英晶片的搭载基准确定。
[0008]优选的，所述获取石英晶片的基座基础数值包括：
[0009]获取石英晶片的基座可阀环中心值；
[0010]获取石英晶片的基座第一电极位置与基座第二电极位置；
[0011]利用所述石英晶片的基座可阀环中心值、基座第一电极位置与基座第二电极位置作为石英晶片的基座基础数值。
[0012]进一步的，利用所述石英晶片的基座基础数值建立基准筛选阈值包括：
[0013]利用所述石英晶片的基座基础数值计算石英晶片的基座电极中心值；
[0014]根据所述石英晶片的基座电极中心值计算基座可阀环中心偏差值作为基准筛选阈值。
[0015]进一步的，利用所述石英晶片的基座基础数值计算石英晶片的基座电极中心值的计算式如下
[0016]Markx＝P1x
‑
P2x
[0017]Marky＝P1y
‑
P2y
[0018]其中，Mark(x，y)为石英晶片的基座电极中心值，P1(x，y)为石英晶片的基座第一电极位置，P2(x，y)为石英晶片的基座第二电极位置。
[0019]进一步的，根据所述石英晶片的基座电极中心值计算基座可阀环中心偏差值作为基准筛选阈值的计算式如下：
[0020]MarkCenterx＝Markx
‑
Centerx
[0021]MarkCentery＝Marky
‑
Centery
[0022]其中，MarkCenter(x，y)为基座可阀环中心偏差值，Mark(x，y)为石英晶片的基座电极中心值，Center(x，y)为石英晶片的基座可阀环中心值。
[0023]进一步的，根据所述基准筛选阈值完成石英晶片的搭载基准确定包括：
[0024]S3
‑
1、利用所述基准筛选阈值的X轴数值获取石英晶片的搭载基准X轴数值；
[0025]S3
‑
2、利用所述基准筛选阈值的Y轴数值获取石英晶片的搭载基准Y轴数值；
[0026]S3
‑
3、利用所述石英晶片的搭载基准X轴数值与石英晶片的搭载基准Y轴数值得到石英晶片的搭载基准。
[0027]进一步的，利用所述基准筛选阈值的X轴数值获取石英晶片的搭载基准X轴数值包括：
[0028]S3
‑1‑
1、判断所述基准筛选阈值的X轴数值是否位于X轴第一阈值内，若是，则利用所述基准筛选阈值的X轴数值作为石英晶片的搭载基准X轴数值，否则，执行S3
‑1‑
2；
[0029]S3
‑1‑
2、判断所述基准筛选阈值的X轴数值是否位于X轴第二阈值内且位于X轴第一阈值外，若是，执行S3
‑1‑
3，否则，放弃处理；
[0030]S3
‑1‑
3、当所述基准筛选阈值的X轴数值低于X轴第一阈值的下限值且高于X轴第二阈值的下限值时，利用所述X轴第二阈值的下限值作为石英晶片的搭载基准X轴数值；
[0031]当所述基准筛选阈值的X轴数值高于X轴第一阈值的上限值且低于X轴第二阈值的上限值时，利用所述X轴第二阈值的上限值作为石英晶片的搭载基准X轴数值；
[0032]其中，X轴第二阈值的上下限范围大于X轴第一阈值的上下限范围。
[0033]进一步的，利用所述基准筛选阈值的Y轴数值获取石英晶片的搭载基准Y轴数值包括：
[0034]S3
‑2‑
1、判断所述基准筛选阈值的Y轴数值是否位于Y轴第一阈值内，若是，则利用所述基准筛选阈值的Y轴数值作为石英晶片的搭载基准Y轴数值，否则，执行S3
‑2‑
2；
[0035]S3
‑2‑
2、判断所述基准筛选阈值的Y轴数值是否位于Y轴第二阈值内且位于Y轴第一阈值外，若是，执行S3
‑2‑
3，否则，放弃处理；
[0036]S3
‑2‑
3、当所述基准筛选阈值的Y轴数值低于Y轴第一阈值的下限值且高于Y轴第二阈值的下限值时，利用所述Y轴第二阈值的下限值作为石英晶片的搭载基准Y轴数值；
[0037]当所述基准筛选阈值的Y轴数值高于Y轴第一阈值的上限值且低于Y轴第二阈值的上限值时，利用所述Y轴第二阈值的上限值作为石英晶片的搭载基准Y轴数值；
[0038]其中，Y轴第二阈值的上下限范围大于Y轴第一阈值的上下限范围。
[0039]与最接近的现有技术相比，本专利技术具有的有益效果：
[0040]以PAD位置为基准进行点胶和搭载，同时考虑到PAD点的位置，并减小产品胶点位置和晶片位置与PAD点的相对波动，其本方案所选基准位置相对PAD点相对集中，从而产品的牢固度也相对提升，同时也对来料PKG进行了筛选，将可阀环位置波动较大的PKG进行了剔除，为后续生产环节降低隐患。
附图说明
[0041]图1是本专利技术提供的一种用于石英晶片的搭载基准确定方法的流程图；
[0042]图2是本专利技术提供的一种用于石英晶片的搭载基准确定方法的现有点胶及晶片搭载定位流程图；
[0043]图3是本专利技术提供的一种用于石英晶片的搭载基准确定方法的不同PKG可阀环的位置相对于PAD波动性示意图；
[0044]图4是本专利技术提供的一种用于石英晶片的搭载基准确定方法的PKG可阀环中心和PAD的边缘点坐标示意图。
具体实施方式
[0045]下面结合附图对本专利技术的具体实施方式作进一步的详细说明。
[0046]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于石英晶片的搭载基准确定方法，其特征在于，包括：S1、获取石英晶片的基座基础数值；S2、利用所述石英晶片的基座基础数值建立基准筛选阈值；S3、根据所述基准筛选阈值完成石英晶片的搭载基准确定。2.如权利要求1所述的一种用于石英晶片的搭载基准确定方法，其特征在于，所述获取石英晶片的基座基础数值包括：获取石英晶片的基座可阀环中心值；获取石英晶片的基座第一电极位置与基座第二电极位置；利用所述石英晶片的基座可阀环中心值、基座第一电极位置与基座第二电极位置作为石英晶片的基座基础数值。3.如权利要求2所述的一种用于石英晶片的搭载基准确定方法，其特征在于，利用所述石英晶片的基座基础数值建立基准筛选阈值包括：利用所述石英晶片的基座基础数值计算石英晶片的基座电极中心值；根据所述石英晶片的基座电极中心值计算基座可阀环中心偏差值作为基准筛选阈值。4.如权利要求3所述的一种用于石英晶片的搭载基准确定方法，其特征在于，利用所述石英晶片的基座基础数值计算石英晶片的基座电极中心值的计算式如下Markx＝P1x
‑
P2xMarky＝P1y
‑
P2y其中，Mark(x，y)为石英晶片的基座电极中心值，P1(x，y)为石英晶片的基座第一电极位置，P2(x，y)为石英晶片的基座第二电极位置。5.如权利要求3所述的一种用于石英晶片的搭载基准确定方法，其特征在于，根据所述石英晶片的基座电极中心值计算基座可阀环中心偏差值作为基准筛选阈值的计算式如下：MarkCenterx＝Markx
‑
CenterxMarkCentery＝Marky
‑
Centery其中，MarkCenter(x，y)为基座可阀环中心偏差值，Mark(x，y)为石英晶片的基座电极中心值，Center(x，y)为石英晶片的基座可阀环中心值。6.如权利要求3所述的一种用于石英晶片的搭载基准确定方法，其特征在于，根据所述基准筛选阈值完成石英晶片的搭载基准确定包括：S3
‑
1、利用所述基准筛选阈值的X轴数值获取石英晶片的搭载基准X轴数值；S3
‑
2、利用所述基准筛选阈值的Y轴数值获取石英晶片的搭载基准Y轴数值；S3
‑
3、...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨红永，袁东秀，付廷喜，魏苗，吴均花，
申请(专利权)人：天津伍嘉联创科技发展股份有限公司，
类型：发明
国别省市：