一种组合式单晶硅压差传感器制造技术

本实用新型专利技术涉及压差传感器技术领域，且公开了一种组合式单晶硅压差传感器，包括传感器外壳、传感器外壳一侧设置的传感器正压腔、传感器外壳另一侧设置的传感器负压腔、传感器外壳空腔内安置的单晶硅传感器芯片、单晶硅传感器芯片上部连接的导油管路一以及单晶硅传感器芯片下部连接的导油管路二，导油管路一以及导油管路二远离单晶硅传感器芯片的一端分别与传感器正压腔以及传感器负压腔连接。本实用新型专利技术在导油管路一以及导油管路二的内部输送硅油的并到达缓冲槽的瞬间，可使冲击力作用在缓冲槽处，而缓冲槽、导流口以及油管内腔的内侧壁是处于同一直线上，整个推油片不易受到硅油的瞬间冲击产生位置的改变，提高传感器的压差测试的准确性。差测试的准确性。差测试的准确性。

【技术实现步骤摘要】
一种组合式单晶硅压差传感器


[0001]本技术涉及压差传感器
，具体为一种组合式单晶硅压差传感器。

技术介绍

[0002]压差传感器是一种用来测量两个压力之间差值的传感器，用于测量某一设备或部件前后两端的压差，通常用于压差变送器上检测液体或气体的压力差值，广泛应用于各种工业自控环境，涉及石油管道、水利水电、铁路交通、智能建筑、生产自控、航空航天、军工、石化、锅炉负压等众多行业。
[0003]经专利检索发现，公开号为CN218211735U的一种高稳定性单晶硅压差传感器，通过临时储油管和推油组件的配合，能够在单晶硅传感器芯片受到的压力过大时自动释放压力，将导油管路内部的硅油输送至临时储油管内，以减小因压力过大对单晶硅传感器芯片造成的损害，从而能有效减小对单晶硅传感器芯片检测结果造成的误差，上述对比文件采用两组油管分别完成向两组不同的导油管路减压工作，导油管路进入大油管内部的方向与推油片的运动轨迹处于同一直线，在正常状态下导油管路内部的硅油在输送的瞬间对推油片造成的冲击可能会对推油片产生位移，使传感器所测的数据存在微动的误差。

技术实现思路

[0004](一)解决的技术问题
[0005]针对现有技术所存在的上述缺点，本技术提供了一种组合式单晶硅压差传感器，能够有效地解决现有技术的问题。
[0006](二)技术方案
[0007]为实现以上目的，本技术通过以下技术方案予以实现：
[0008]本技术公开了一种组合式单晶硅压差传感器，包括传感器外壳、传感器外壳一侧设置的传感器正压腔、传感器外壳另一侧设置的传感器负压腔、传感器外壳空腔内安置的单晶硅传感器芯片、单晶硅传感器芯片上部连接的导油管路一以及单晶硅传感器芯片下部连接的导油管路二，导油管路一以及导油管路二远离单晶硅传感器芯片的一端分别与传感器正压腔以及传感器负压腔连接；
[0009]油管主仓，设置于单晶硅传感器芯片的下方，且位于导油管路一以及导油管路二靠近单晶硅传感器芯片下方弯折部的中间位置，油管主仓内置两组尺寸以及结构相同的油管内腔；
[0010]推油片，安装于油管内腔的腔内，推油片的表面固设有磁石；
[0011]电磁铁，设置于油管内腔的腔内且位于磁石的一侧，电磁铁的表面固设有套筒，所述套筒远离电磁铁的一端螺纹插接有螺杆；
[0012]传动电机，通过螺栓固设于油管主仓的侧部，传动电机的输出端穿过油管主仓的侧壁与螺杆连接；
[0013]导油连管一，连接于导油管路一以及油管主仓之间，导油管路二以及油管主仓之
间连接有导油连管二；
[0014]导流口，开设于油管主仓的侧壁，通过导流口完成油管主仓与导油管路一以及导油管路二的连通；
[0015]缓冲槽，开设于推油片的侧壁。
[0016]更进一步地，油管主仓的侧部与传感器外壳的内壁固定。
[0017]更进一步地，所述螺杆与套筒螺纹连接，电磁铁通过螺杆与套筒的螺纹连接沿着油管内腔的槽内壁横向移动。
[0018]更进一步地，缓冲槽采用矩形凹槽状结构。
[0019]更进一步地，导流口的开口位置与推油片贴在油管内腔槽一端处的缓冲槽位置相对设置。
[0020](三)有益效果
[0021]采用本技术提供的技术方案，与已知的公有技术相比，具有如下有益效果：
[0022]本技术将对比文件设置的两组分开式的大油管设置呈组合式的油管主仓，减少整个油管主仓在传感器外壳内部的占用空间以及施工难度，并在推油片的侧部设置了与导流口开口位置相对分布的缓冲槽，在导油管路一以及导油管路二的内部输送硅油的并到达缓冲槽的瞬间，可使冲击力作用在缓冲槽处，而缓冲槽、导流口以及油管内腔的内侧壁是处于同一直线上，因此整个推油片不易受到硅油的瞬间冲击产生位置的改变，提高传感器的压差测试的准确性，使用更加方便。
附图说明
[0023]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0024]图1为本技术的外形图；
[0025]图2为本技术的内部图；
[0026]图3为本技术中油管主仓处放大图；
[0027]图4为本技术中油管主仓处内部图截面图；
[0028]图5为本技术中推油片处结构示意图；
[0029]图中的标号分别代表：1、传感器外壳；2、传感器正压腔；3、传感器负压腔；4、单晶硅传感器芯片；5、导油管路一；6、导油管路二；7、导油连管一；8、导油连管二；9、油管主仓；10、传动电机；11、油管内腔；12、螺杆；13、套筒；14、电磁铁；15、推油片；16、磁石；17、缓冲槽；18、导流口。
具体实施方式
[0030]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于
本技术保护的范围。
[0031]下面结合实施例对本技术作进一步的描述。
[0032]实施例
[0033]本实施例的一种组合式单晶硅压差传感器，如图1
‑
5所示，包括传感器外壳1、传感器外壳1一侧设置的传感器正压腔2、传感器外壳1另一侧设置的传感器负压腔3、传感器外壳1空腔内安置的单晶硅传感器芯片4、单晶硅传感器芯片4上部连接的导油管路一5以及单晶硅传感器芯片4下部连接的导油管路二6，导油管路一5以及导油管路二6远离单晶硅传感器芯片4的一端分别与传感器正压腔2以及传感器负压腔3连接，上述部分结构是应用
技术介绍
中对比文件的现有技术；油管主仓9设置于单晶硅传感器芯片4的下方，且位于导油管路一5以及导油管路二6靠近单晶硅传感器芯片4下方弯折部的中间位置，油管主仓9内置两组尺寸以及结构相同的油管内腔11，油管主仓9的侧部与传感器外壳1的内壁固定，将对比文件的两组油管设计呈组合式的且较大结构的油管主仓9，一组油管主仓9的设计方便了整个油管主仓9的安装，施工更简单，而且具备完成对比文件所有功能的结构；推油片15安装于油管内腔11的腔内，推油片15的表面固设有磁石16；电磁铁14设置于油管内腔11的腔内且位于磁石16的一侧，电磁铁14、单晶硅传感器芯片4以及控制芯片电性连接，当单晶硅传感器芯片4过压后，会通过控制芯片向电磁铁14发送信号，从而将电磁铁14关闭，关闭电磁铁14后的推油片15可在油管内腔11的腔内自由移动，从而利用油管内腔11的空腔作为临时的储油区域，硅油通过进入至油管内腔11的腔内完成释放压力，从而减少对单晶硅传感器芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种组合式单晶硅压差传感器，包括传感器外壳(1)、传感器外壳(1)一侧设置的传感器正压腔(2)、传感器外壳(1)另一侧设置的传感器负压腔(3)、传感器外壳(1)空腔内安置的单晶硅传感器芯片(4)、单晶硅传感器芯片(4)上部连接的导油管路一(5)以及单晶硅传感器芯片(4)下部连接的导油管路二(6)，导油管路一(5)以及导油管路二(6)远离单晶硅传感器芯片(4)的一端分别与传感器正压腔(2)以及传感器负压腔(3)连接；其特征在于：油管主仓(9)，设置于单晶硅传感器芯片(4)的下方，且位于导油管路一(5)以及导油管路二(6)靠近单晶硅传感器芯片(4)下方弯折部的中间位置，油管主仓(9)内置两组尺寸以及结构相同的油管内腔(11)；推油片(15)，安装于油管内腔(11)的腔内，推油片(15)的表面固设有磁石(16)；电磁铁(14)，设置于油管内腔(11)的腔内且位于磁石(16)的一侧，电磁铁(14)的表面固设有套筒(13)，所述套筒(13)远离电磁铁(14)的一端螺纹插接有螺杆(12)；传动电机(10)，通过螺栓固设于油管主仓(9)的侧部，...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜永春，臧兴杰，曹新芬，
申请(专利权)人：浙江中微自控设备有限公司，
类型：新型
国别省市：