一种用于评估光刻掩模中放置误差的方法，所述方法包括：提供或接收表示基准元件的一对基准点之间的距离的基准结果；对于来自与所述光刻掩模的多个分离元件相关的多对点的每对点，测量所述对点之间的距离，以便提供多个测量结果；其中测量结果与所述基准结果之间的差异表示相对放置误差；以及响应所述基准结果与每个测量结果之间的关系确定相对放置误差。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般属于诸如掩模或晶片的包括重复图形(pattern)的目标物体 (object)的自动光学检验的领域。
技术介绍
由于平版印刷术正在改进并且特征(feature)越来越小，就需要在精密度、 分辨率和准确度方面的进一步改进。重要的是，己经认识到不能再将CD预算作为单独控制测量来处理。例如，在亚45nrn节点中，使用双重图形技术(DPT), 覆盖误差(overlay eiror)成为全部CD预算的--部分。由于放置误差是影响CD的误差之一，因此重要的是能够在特征分辨率水 平上测量所述放置误差。由于一些CD预算是归因于掩模，因此重要的是能够 测量掩模上不同位置之间(或掩模之间)的放置误差。
技术实现思路
-种用于评估(evaluating)光刻掩模中放置误差的方法，所述方法包括 提供或接收表示基准元件(reference dement)的一对基准点之间的距离的基 准结果；对于来自与所述光刻掩模的多个分离元件相关的多对点的每对点，测 量所述对点之间的距离，以便提供多个测量结果；其中测量结果与所述基准结 果之间的差异表示相对放置误差；以及响应所述基准结果与每个测量结果之间 的关系确定相对放置误差。一种包含计算机可读介质的计算机程序产品，所述可读介质存储用于下述 方面的指令提供或接收表示基准元件时一对基准点之间的距离的基准结果对于来自与所述光刻掩模的多个分离元件相关的多对点的每对点，测量所述对 点之间的距离，以便提供多个测量结果；其中测量结果与所述基准结果之间的 差异表示相对放置误差；以及响应所述基准结果与每一个所述测量结果之间的 关系确定相对放置误差。... 一种用于评估放置误差的系统，.所述系统包含存储器部件和处理器卜其中 所述存储器部件存储表示基准元件的一对基准点之间的距离的基准结果；并且 其中处理器适于:对于来自与所述光刻掩模的多个分离元件相关的多对点的每 对点，测量所述对点之间的距离，以便提供多个测量结果；其中测量结果与所 述基准结果之间的差异表示相对放置误差；以及响应所述基准结果与每一个所 述测量结果之间的关系确定相对放置误差。为了理解本专利技术和了解如何在实践中实现本专利技术，现在将参考附图描述仅作为非限制性示例的实施例。在附图中附图说明图1示出根据本专利技术的实施方式的光刻掩模的分布图(map);图2示出根据本专利技术的实施方式的两个光刻掩模的两个分布图3示出亚元件的一个或更多个重复阵列(array)的多个交叠图像；图4示出根据本专利技术的实施方式的在两个亚图像之间的配准处理；图5是根据本专利技术的实施方式的用于确定放置误差的方法的流程图6是根据本专利技术的实施方式的用于确定预期覆盖误差的方法的流程图7示出根据本专利技术的实施方式的系统。具体实施例方式本专利技术提供了方法、系统和计算机程序产品。计算在基准对点之间的和在 与光刻掩模的不同元件相关的每对点之间的距离的差异，并且将其用于确定相 对放置误差。可以在执行全局校正处理和块(或更加局部的)校正处理之后计算所述相 对放置误差。虽然所述全局校正处理和更加局部的校正处理可以取决于专用 (dedicated)校正目标物体，但可以不使用这种专用校正目标物体确定所述相 对放置误差。这些相对放置误差表示所述光刻掩模从理想掩模的偏离。通过比较一个接一个地施加(applied)的不同光刻掩模的相对放置，可以 探测出覆盖误差并且可以任选地加以补偿。因此，当应用双重图形工艺时，可 以预先计算覆盖误差并通过前馈处理加以补偿。所述方法、系统和计算机程序产品可以提供在所述光刻掩模(也称为刻线) 的一个或更多个部分之上的、甚至在整个所述掩模之上的相对放置误差分布 图，甚至密集分布图(densemap，下文称之为密集图)。可以将所述相对放置误差提供给掩模制作工艺，后者可以设法生产所述相 对放置误差较小的另一个掩模。需要指出的是，所述系统可以光学地获取所述光刻掩模的图像，但是也可 以是不能光学地获取这种图像的系统。需要指出的是，可以产生多个掩模的相对放置误差，并随后提供给掩模制 作工艺或(使用光刻掩模的)光刻工艺。所述相对放置误差响应基准结果。所述基准结果可以从数据库、从另一个 光刻掩模、从多个其它光刻掩模、或从所评估的光刻掩模的另一个部分获得。通过使用一个或更多个检测工具可以获得所述基准结果以及，附加地或替 代地，获得测量结果。在作必要修正之后，可以将所述系统、方法和计算机程序产品应用到晶片 上、晶片组(set of wafers)上、光刻掩模组(set of lithographic)上。下面的解释是针对光刻掩模进行描述的，但是也可以用于晶片、来自数据 库的掩模配置图(masklayout),或掩模、配置图和晶片的任何组合。通过相对距离的方法测量放置误差为了沿整个掩模和在整个掩模内使用检测机器执行放置误差测量，选择一 些基准点/位置/特征。随后，测量所述基准特征(例如，所述基准特征从其开 始到其结束的长度或基准元件(element)的周期性亚元件的几个周期的长度) 并在相同特征(所测量的特征)上沿整个所述掩模或沿所述掩模的一个或更多 个预定部分重复该测量。比较在所测量元件(特征)与所述基准元件之间的差 异(相对距离)可以提供相对放置误差。响应与位于所述掩模之上不同位置中 的元件相关的相对放置误差可以建立相对放置误差分布图(map)。图1示出根据本专利技术的实施方式的相对放置误差分布图10。分布图10包括表示基准结果与测量结果之间的关系的曲线20。 曲线20在每个点处的斜率(slope)表示所述基准结果和与该点相关的测量元件的测量结果之间的比值。可以基于所述测量元件的位置确定所述相关，但并不是必须如此。 '曲线20可以是接近所述基准结果(诸如水平线(&1， b。 -31)与所述测量结果(诸如D (ai， b。 41)之间的关系的多项式(并且尤其是低阶多项式)。图1还示出诸如(&， bn) 38的附加基准结果和诸如D (&， bn) 48的附加测量结果。需要指出的是，可以提供多个基准结果。在该情况中，可以将一个或更多 个测量结果与每个基准结果相比较。当不存在放置误差时，基准结果应该等于 测量结果。根据本专利技术的一个实施方式，通过相对梯度计算相对放置误差。这包括 (i)获得导数变化分布图；(ii)应用归一化(normalization)处理；以及(iii) 重建放置变化分布图。基于縮放比例知识和放置变化较小的事实可以重建所述 放置变化分布图。该分布图可以表示在整个所述光刻掩模或所选部分之上的导 数变化。通过下述处理可以测量所述导数(i)在每个帧中(在每个视场一FOV中) 获得两个远离的特征(该两个远离的特征提供两个点)，测量它们之间(该一 对点之间)的距离，并且或者将所述测量距离(也称为测量结果)除以基准结 果或者将所述测量结果减去所述基准结果(该基准结果可以是所述两个点之间 的预期距离)。可以从包含相同点的基准图像、从数据库、从另--个掩模、或 从晶片获得所述基准结果。所述基准结果也可以是亚元件的重复阵列的多个亚 元件之间的距离(它可以用周期数量-亚元件数量表示)。需要指出的是，所述基准元件可以与测量元件不同(甚至没有替代误差 (replacement error)存在)，但本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于评估光刻掩模内的放置误差的方法，所述方法包含：、 提供或接收表示基准元件的一对基准点之间的距离的基准结果； 对于来自与所述光刻掩模的多个分离元件相关的多对点的每对点，测量所述对点之间的距离，以便提供多个测量结果；其中测量结果与所 述基准结果之间的差异表示相对放置误差；以及 响应所述基准结果与每个测量结果之间的关系确定相对放置误差。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：肖穆里克曼根，迈克尔本伊谢，里奥肖瓦尔，
申请(专利权)人：以色列商应用材料以色列公司，
类型：发明
国别省市：IL[以色列]
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